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[发明专利]倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法-CN202011181384.3在审
发明人：王兵兵;张传胜;陈雨璐;刘文辉;童武林;陈栋;张皓星;张伟;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括高纯砷化镓衬底和依次设置在高纯砷化镓衬底上的公共负电极接触层、砷化镓掺硫吸收层、本征砷化镓阻挡层、氮化硅钝化层，以及正电极接触层、正电极、负电极；本征砷化镓阻挡层上设置有容纳正电极接触层的正电极凹槽；本征砷化镓阻挡层、砷化镓掺硫吸收层上开设有倒梯形负电极凹槽，氮化硅钝化层分布在本征砷化镓阻挡层表面以及倒梯形负电极凹槽的侧面；正电极、负电极分别设置在正电极接触层的
梯形结构阻挡杂质探测器及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管-CN201611076133.2在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括一N型掺杂的砷化镓半导体层；一本征的砷化镓半导体层；一P型锑化镓半导体层；一在N型掺杂的砷化镓半导体层上形成的漏电极；一在P型锑化镓半导体材料上形成的源电极；一在本征砷化镓半导体层上生长的氧化铝介质层；一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极。
一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管

[发明专利]超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法-CN201110428386.2有效
发明人：朱亦鸣;李州;杜少卿;陈麟;彭滟;袁明辉;倪争技;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：一种超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、参杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层之间紧密相连；上电极层设置有一个窗口，上电极层、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从本征砷化镓层中通过窗口辐射出来
征砷化镓材料二极管赫兹辐射源制作方法

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201410683554.6在审
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维电子气(2-DEG)的霍尔元件及其制备方法，所述霍尔元件结构包括以外延方式倒装生长的铟镓砷（In_xGa_1-xAs）沟道层，铝镓砷（Al_xGa_1-xAs）空间隔离层以及铝镓砷（Al_xGa_1-xAs）势垒层。所述制备方法包括步骤：在一砷化镓(GaAs)衬底上生长牺牲层；在牺牲层上通过倒装方式依次生长的平面型掺杂（δ-掺杂）铝镓砷势垒层、本征铝镓砷空间隔离层以及本征铟镓砷沟道层；通过衬底剥离技术，将外延功能层与衬底分离，并粘附于一支撑衬底上；在铝镓砷势垒层上制备金属电极、进行台面刻蚀、钝化工艺，划片封装获得目标霍尔元件。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法-CN202110104663.8有效
发明人：李彤;王世俊;邢振远 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：制备红外发光二极管外延片时，生长外延层的衬底选用半绝缘砷化镓衬底，可以避免衬底导电。在半绝缘砷化镓衬底上依次生长的第一本征GaAs层、p型GaAs层与第二本征GaAs层，整体的导电性较弱；且第一本征GaAs层与第二本征GaAs层之间的p型GaAs层，可以起到消耗电子的作用，对电流起到阻挡作用，减小漏电电流直接流至半绝缘砷化镓衬底的情况出现。
红外发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]光纤珐珀应变传感器、传感系统及传感器制作方法-CN201510124825.9在审
发明人：冉曾令;罗配良;骆书成;饶云江;杨彦广;戴金雯;李绪国;闽夫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明的光纤珐珀应变传感器，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2)，光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与单模光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有砷化镓镀膜本发明的有益效果：本发明的光纤珐珀应变传感器及其系统与现有的珐珀应变传感器相比具有如下优点：砷化镓薄膜的本征吸收波长不受薄膜应力等外界因素影响，只和温度有关。砷化镓薄膜本征吸收快，耐高温，能满足高温条件下温度的实时测量。该珐珀应变传感器输入输出同一根光纤，结构简单，便于批量安装。
光纤应变传感器传感系统制作方法

[发明专利]光纤珐珀应变传感器、传感系统及传感器制作方法-CN201410370391.6无效
发明人：冉曾令;罗配良;骆书成;杨彦广;戴金雯;李绪国;闽夫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明的光纤珐珀应变传感器，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2)，光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与单模光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有砷化镓镀膜本发明的有益效果：本发明的光纤珐珀应变传感器及其系统与现有的珐珀应变传感器相比具有如下优点：砷化镓薄膜的本征吸收波长不受薄膜应力等外界因素影响，只和温度有关。砷化镓薄膜本征吸收快，耐高温，能满足高温条件下温度的实时测量。该珐珀应变传感器输入输出同一根光纤，结构简单，便于批量安装。
光纤应变传感器传感系统制作方法

[发明专利]光电探测器的制备方法及光电探测器-CN202211069833.4在审
发明人：单智发;张永;方天足;陈阳华;张双翔 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电探测器的制备方法及光电探测器，该方法包括：提供磷化铟衬底；在磷化铟衬底上表面依次生长出层叠的N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下欧姆接触层、铟镓砷磷过渡层、本征砷化铟镓吸收层和磷化铟窗口层；在磷化铟窗口层远离磷化铟衬底的表面渐变生长P型砷化铟镓上欧姆接触层，其中，P型砷化铟镓上欧姆接触层包括依次层叠设置的高速生长层、低速生长层和中速生长层，高速生长层的生长速率大于中速生长层的生长速率，中速生长层的生长速率大于低速生长层的生长速率
光电探测器制备方法

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210776874.0在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

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