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[发明专利]砷化镓衬底材料制备方法-CN201610579595.X有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人：江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓衬底材料制备方法。所述制备方法包括如下步骤超高纯镓制备、超高纯砷制备、砷化镓多晶料的制备、砷化镓单晶棒制备、超薄砷化镓晶片制备、砷化镓衬底材料的制备，通过所述工艺制备的太阳能电池发电效率得到提升可达到38％，电池的稳定性更好
砷化镓衬底材料制备方法

[发明专利]一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法-CN201810612700.4在审
发明人：潘勇进;李胜春;刘凯;谭明亮 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法，所述方法包括：以含有砷化镓的废料为阳极，在含镓的碱性电解液中进行电解，得到金属镓和含有砷酸盐的电解残液，通过后续的离子交换法能够分离并回收电解液中的砷所述方法能够得到纯度高于99.99wt％的金属镓，镓的回收率大于99％，砷的回收率大于95％，且能够得到纯度大于99.9wt％的砷酸盐产品，整体工艺安全环保不产生任何有毒物质，工艺简单流程短，整体回收率较高
砷化镓回收率金属镓砷酸盐回收碱性电解液离子交换法阳极安全环保电解残液简单流程整体工艺电解液电解

[发明专利]一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法-CN201711346303.9有效
发明人：陈辉;殷亮;熊平;朱刘 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法，包括以下步骤：a)将砷化镓污泥与水按固液比1：(5～6)混合，进行浆化，再加入强碱进行碱浸，过滤后得到浸出液；b)将步骤a)得到的浸出液进行中和，过滤后得到中和渣；c)将步骤b)得到的中和渣与水、浓硫酸混合，进行酸浸除硅，过滤后得到含镓滤液；d)将步骤c)得到的含镓滤液与氢氧化钠混合，进行沉镓，过滤后得到氢氧化镓。与现有技术相比，本发明采用浆化碱浸、中和、酸浸除硅和沉镓的特定工艺，实现了镓从砷化镓污泥中的分离回收；本发明提供的砷化镓污泥中镓的分离回收方法回收率高，并且无需高温炉煅烧，能耗低，同时不会产生有毒有害气体
一种砷化镓污泥分离回收方法

[发明专利]等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法-CN201510341778.3在审
发明人：赵颖;刘娜;刘松喆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法，其特征在于：每个三结砷化镓太阳能电池的效率大于28％；在每个三结砷化镓太阳能电池上粘贴有抗辐照玻璃盖片；在每个抗辐照玻璃盖片上蒸镀有MgFsub>2减反射膜，在MgF₂减反射膜上蒸镀有ITO透明导电膜；在ITO透明导电膜上蒸镀有一对ITO膜金属电极；每对ITO膜金属电极之间的电阻值不大于10kΩ；每个三结砷化镓太阳能电池组件由M个三结砷化镓太阳能电池组成，M个三结砷化镓太阳能电池的ITO膜金属电极之间通过ITO互连片依次串联；N个三结砷化镓太阳能电池组件之间通过ITO汇流条和导线相互并联之后，再通过铰链与卫星结构地连接。
电位网络三结砷化镓太阳能电池结构制造方法

[发明专利]一种新型的智能变色太阳镜控制模组-CN201910883419.9在审
发明人：汤小玲 -专利权人：东莞市艾特眼镜科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的智能变色太阳镜控制模组，包括芯片主体和砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池包括衬底，衬底的表面电性连接有砷化镓电池结构，砷化镓电池结构的表面电性连接有石墨烯层和金属电极，石墨烯层和金属电极之间形成电连接；石墨烯层和金属电极与所述砷化镓电池结构形成复合正面电极，衬底的底面电性贴合有背面电极，砷化镓太阳能电池与所述分频器相连接，所述芯片主体内部中间位置电性安装有分频器，所述分频器左侧处电路连接有振荡电路以及右侧处电性连接有柔性液晶显示器信号放大输出电路；所述砷化镓太阳能电池位于芯片主体内部的下端处；有效的降低了芯片的能耗、稳定性好、结构简单、生产成本低，延长超低能耗CPU芯片使用寿命时间。
一种新型智能变色太阳镜控制模组

[实用新型]一种新型的智能变色太阳镜控制模组-CN201921554311.7有效
发明人：汤小玲 -专利权人：东莞市艾特眼镜科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的智能变色太阳镜控制模组，包括芯片主体和砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池包括衬底，衬底的表面电性连接有砷化镓电池结构，砷化镓电池结构的表面电性连接有石墨烯层和金属电极，石墨烯层和金属电极之间形成电连接；石墨烯层和金属电极与所述砷化镓电池结构形成复合正面电极，衬底的底面电性贴合有背面电极，砷化镓太阳能电池与所述分频器相连接，所述芯片主体内部中间位置电性安装有分频器，所述分频器左侧处电路连接有振荡电路以及右侧处电性连接有柔性液晶显示器信号放大输出电路；所述砷化镓太阳能电池位于芯片主体内部的下端处；有效的降低了芯片的能耗、稳定性好、结构简单、生产成本低，延长超低能耗CPU芯片使用寿命时间。
一种新型智能变色太阳镜控制模组

[发明专利]从含油砷化镓泥浆中回收镓的方法-CN201611006381.X有效
发明人：汪丽红;李琴香;黄华强;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含油砷化镓泥浆中回收镓的方法，该方法通过采用减压蒸馏除油、控电位氧化浸出、萃取除砷、造液电解，得到金属镓。本方法将含油砷化镓泥浆中的有机物分离回收，酸浸过程中控制溶液电位，防止砷烷产生，减小了反应对操作人员和环境的危害。本发明提供的方法，得到的镓回收率高，纯度高，反应过程对环境友好，资源利用率高。
含油砷化镓泥浆回收方法

[发明专利]从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法-CN201610908388.4有效
发明人：詹路;李建国 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法，将砷化镓芯片生产废料经过破碎、研磨，将芯片粉末与升华硫混合均匀，在氮气氛围下进行加热、蒸发、冷凝、除硫，制备得到低毒性砷的硫化物。本发明不仅有效提取了砷化镓芯片生产废料中的砷，而且在提取过程中，镓也以硫化物形式稳定残留在坩埚中，得到富集。本发明在减少环境污染和提高资源利用率方面优势突出，具有成本低、高效、无污染等特点。
砷化镓芯片生产废料制备硫化物方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088980.6无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。
砷化镓基增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[实用新型]一种砷化镓单晶生产设备-CN201821051365.7有效
发明人：王新峰;谈笑天;雷仁贵 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶制备技术领域，具体涉及一种砷化镓单晶生产设备。本实用新型提供的砷化镓单晶生产设备坩埚、石英管和生长炉，所述坩埚内形成长方体状的生长腔体，将合成好的砷化镓多晶料以及籽晶等装入坩埚并密封在抽真空的石英管中，将装好多晶料的石英管垂直放入立式多温区晶体生长炉中，在生长炉内升温化料，温度保持、接籽晶、等径生长、降温等过程，单晶从籽晶端开始缓慢向上生长，形成所述砷化镓单晶，由于坩埚内形成的生长腔体为长方体状，因此生长出来的砷化镓晶体为长方体状，不需要再经过圆形单晶砷化镓切边处理
砷化镓单晶坩埚长方体状生产设备石英管本实用新型生长腔体砷化镓生长炉单晶砷化镓晶体生长炉单晶制备等径生长晶体加工切边处理人力成本生产效率温度保持向上生长抽真空多晶料多温区籽晶端单晶放入化料接籽籽晶装入密封垂直合成生长节约加工

[发明专利]一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法-CN202110970200.X在审
发明人：焦旺;郑兆祯;吴阳烽;丁新琪;艾佳瑞 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本申请提供一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法。该应力调整衬底包括至少一层调整膜，上述至少一层调整膜设置在砷化镓基板上，用于调整上述砷化镓基板的应力。
一种砷化镓基板应力调整衬底方法

[发明专利]一种砷化镓电源调制电路-CN202210207931.3在审
发明人：邹文静;潘晓枫;阮启恒;林瑞;凌显宝;刘飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓电源调制电路，采用砷化镓工艺进行设计，包括静电防护电路、电平转换电路、开关控制电路和输出缓冲电路。本发明提出的砷化镓电源调制电路便于和砷化镓芯片集成，具有降低成本和系统复杂程度，提高系统可靠性的特点。
一种砷化镓电源调制电路

[发明专利]一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法-CN201810386281.7在审
发明人：范襄;于振海;雷刚;陈超奇;付坤;石梦奇;杨洪东;姜德鹏;王训春 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法，其特征在于，薄型砷化镓太阳电池包含应力匹配柔性支撑衬底、砷化镓太阳电池材料、金属电极、减反射膜，其制备方法包括：键合金属层制备、外延键合、临时键合、器件制作，所述应力匹配柔性支撑衬底为线膨胀系数低于11×10‑6/℃的金属薄膜或耐高温聚合物薄膜，与砷化镓太阳电池材料热力学性能匹配良好。所制备的砷化镓太阳电池翘曲小、平整度好、可焊性高、易于太阳电池组件的研制，空间应用可靠性高。
砷化镓制备薄型太阳电池材料柔性支撑应力平衡衬底匹配耐高温聚合物太阳电池组件键合金属层线膨胀系数减反射膜金属薄膜金属电极空间应用临时键合器件制作性能匹配可焊性平整度热力学键合翘曲薄膜

[发明专利]高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法-CN201310176608.5有效
发明人：周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。
质量表面粗糙硅基砷化镓材料制备方法

[实用新型]一种砷化镓及温差发电装置-CN201220660591.1有效
发明人：余印强 -专利权人：福建省能宝光电集团有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能发电技术领域，特指一种砷化镓及温差发电装置，该发电装置包括砷化镓太阳能电池片、导热板、温差发电片及散热器，其中，所述砷化镓太阳能电池片设置在导热板上表面，所述温差发电片的热端设置在导热板的下表面本实用新型采用上述技术方案后，利用砷化镓太阳能发电片发电的同时，又通过温差发电片对砷化镓太阳能发电片工作时的热量加以利用并转换成电能，进一步提高太阳能的利用效率。
一种砷化镓温差发电装置