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C 化学；冶金

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法-CN200510059736.7无效
发明人：鹿岛一日儿 -专利权人：东芝陶瓷股份有限公司
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：使用由砷与硅的混合烧结体构成的、硅对砷的摩尔比为35％～55％的砷掺杂剂，用直拉法直拉单晶硅。
单晶硅掺杂及其制造方法以及使用

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺
一种直拉单晶炉底部保温装置

[发明专利]一种直拉单晶法的冷却工艺-CN201210462789.3有效
发明人：周慧敏;高俊伟;汪奇;徐志群 -专利权人：晶科能源有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种直拉单晶法的冷却工艺，即在冷却时，停止向炉体内通入冷却气体，与此同时，关闭真空泵，这样，就形成了一个密闭的空间，炉体内的气体作为介质就可以把更多的热传给炉壁流动的水，冷却效率更高。本发明在保证直拉单晶硅棒质量、成晶率以及生产周期的前提下，不仅使直拉法冷却工艺更加高效明显，还大大降低了冷却气体的使用量，从而较大程度上降低直拉法的生产成本。
一种直拉单晶法冷却工艺

[实用新型]直拉法生长高少子寿命掺镓硅单晶炉用的附加导流装置-CN201320077801.9有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。本实用新型具有不破坏通用单晶炉构造、改造成本低、具有能够有效提高直拉法生长掺镓硅单晶少子寿命的特点，并且同样适用于其它直拉法掺杂硅单晶炉，生产掺杂硼的硅单晶和掺杂磷的硅单晶。
直拉法生长少子寿命掺镓硅单晶炉用附加导流装置

[发明专利]太阳能电池的硅原料-CN200480039417.3有效
发明人： E·埃内巴克;K·弗里斯塔德;R·特伦斯塔;C·扎赫迪;C·德特洛夫 -专利权人：埃尔凯姆有限公司
申请日： 2004-01-12 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅原料，所述硅原料用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带，其含有分布在该材料中的0.2－10ppma硼和0.1－10ppma磷。本发明进一步涉及用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带，其含有分布在锭中的0.2－10ppma硼和0.1－10ppma磷，所述硅锭在位于所述锭高度或者片或带的厚度的最后，本发明涉及用于制备硅原料的方法，所述硅原料用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带。
太阳能电池原料

[实用新型]一种直拉法单晶炉用提取热系统的夹具-CN201720053791.3有效
发明人：杨鑫 -专利权人：陕西西京电子科技有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，具体公开了一种直拉法单晶炉用提取热系统的夹具，包括刚性外壳、软性内衬、吊杆和吊钩；所述刚性外壳的截面为凹槽形，所述软性内衬设置于所述刚性外壳的凹槽内部；所述吊杆的上端为安装端该直拉法单晶炉用提取热系统的夹具结构简单、使用方便，避免了人工提取中保温筒时烫伤员工或者中保温筒掉落损坏的事件发生，也不需要长时间冷却，提高了生产效率。
一种直拉法单晶炉用提取系统夹具

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池-CN201580072597.3有效
发明人：大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：利用切克劳斯基法，提拉掺镓直拉单晶硅；以及，将前述直拉单晶硅作为原料棒，以1.6气压以上对该原料棒进行浮区处理，由此制造区熔单晶硅由此，可提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，该太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法能减少不可避免地进入直拉晶体中的氧，防止生成会对太阳能电池特性造成影响的硼‑氧对，并能抑制浮区处理中的镓掺杂剂的蒸发量
太阳能电池用区熔单晶硅制造方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法-CN201110306525.4无效
发明人：李立伟;王彦君;王岩;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法，首先用直拉法工艺完成清理直拉炉膛、装料、抽真空、充氩气、加热化料、引晶、拉细颈、放肩、收肩、等径、收尾、提起降温、出炉过程；然后进行锭形加工、清洗腐蚀
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]基于直拉法生长单晶硅的方法-CN201710402193.7在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法生长单晶硅的方法，该直拉硅单晶生长方法主要步骤为：流程准备→装炉→抽空→捡漏→充氩气→加热→引晶→缩细颈→放肩→转肩→等径生长→收尾→降温→停电→停氩气→停真空泵→拆炉。本发明采用直拉法生长单晶的设备和工艺简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中的杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。
直拉法单晶生长单晶硅制备大直径单晶直拉硅单晶氩气等径生长低电阻率流程准备生产效率充氩气真空泵拆炉放肩细颈引晶装炉加热抽空收尾停电

[发明专利]多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用-CN201910414330.8有效
发明人：宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明涉及硅制造领域，特别涉及多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用。包括以下步骤：将多晶硅原料切割为多晶硅板；对所述多晶硅板的表面进行研磨处理及蚀刻处理，得到多晶硅试样；在荧光灯条件下，对所述多晶硅试样的表面进行观察，根据所述多晶硅试样的表面形态特征，判断并选择最适合用于直拉法的多晶硅原料该多晶硅选择方法，可以通过肉眼直接观察的方式，判断并选择出较为适合用于直拉法的多晶硅原料，所述方法简单、快速、明确，且判断的准确率高。本发明选择出的多晶硅原料经过直拉法生产单晶硅时，融化速度快，较少出现错乱，解决了由于多晶硅原料筛选不当导致的单晶硅的质量差、生产效率低的问题。
多晶选择方法及其直拉法中的应用

[发明专利]少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法-CN201110186037.4无效
发明人：周聪 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法，包括如下步骤：第一步，用带锯机截取测试样片；第二步，用混酸溶液对所述样片表面损伤层进行腐蚀，使其表面呈镜面；第三步，用洗涤液将所述样片清洗干净；第四步，将所述样片放入容器中，再加入碘酒溶液，使所述碘酒溶液均匀的覆盖于所述样片表面；第五步，将处理好的所述样片用少子寿命扫描设备扫描所述样片少子寿命，测量出少子寿命分布图形。本发明少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法步骤简练，减少了设备的导入及电量的损耗。在样片处理方面，效率更高，可以节约大量的时间以及辅助材料的使用，节约了测试成本。
少子寿命扫描测试单晶硅中的氧化诱生层错方法

[发明专利]一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法-CN201210059756.4无效
发明人：张雪囡;菅瑞娟;徐强;李建宏;王彦君;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法，在硅多晶棒的生产时，采用双石英坩埚法、降压直拉法获得轴向电阻率一致的硅多晶，之后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀直拉区熔气掺法

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