专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5411272个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种硫酸铜铜离子回收装置-CN202021188959.X有效
  • 张宏伟 - 浙江富浦线缆有限公司
  • 2020-06-24 - 2021-01-29 - C25C7/00
  • 本实用新型公开了一种硫酸铜铜离子回收装置,包括自动添加槽和管路:其特征是所述自动添加槽包含双氧水槽和硫酸槽,所述自动添加槽通过管路连接有槽,所述槽通过管路连接有溢流槽,所述溢流槽通过管路连接有用后槽,所述用后槽通过管路并联有调整槽,所述用后槽还通过管路连接有处理槽,所述处理槽包含循环槽和电解槽;所述电解槽上安装有提升机构;所述槽和循环槽中还安装有搅拌机构。
  • 一种硫酸铜离子回收装置
  • [发明专利]使用了两层型防反射膜的光致抗剂图形的形成方法-CN200580040348.2有效
  • 畑中真 - 日产化学工业株式会社
  • 2005-11-01 - 2007-10-31 - G03F7/11
  • 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工序中、使用能用光致抗显影进行显影的防反射膜、形成光致抗剂和防反射膜都为矩形形状的图形的方法。本发明通过提供下述光致抗剂图形的形成方法解决了上述课题,即,一种光致抗剂图形的形成方法,其包括形成可溶于光致抗显影的第1防反射膜的工序;在上述第1防反射膜上形成可溶于光致抗显影并且对光致抗显影的溶解速度比上述第1防反射膜小的第2防反射膜的工序;在上述第2防反射膜上形成光致抗剂的工序;对由上述第1防反射膜、上述第2防反射膜和上述光致抗剂被覆的半导体基板进行曝光的工序;和利用光致抗显影进行显影的工序。
  • 使用两层型防反射光致抗蚀剂图形形成方法
  • [发明专利]处理系统及相关设备-CN201410050962.8有效
  • 幸锐敏;崔怀磊;苏怀昌;姜海星;张喜龙 - 深南电路有限公司
  • 2014-02-13 - 2017-12-01 - C23F1/08
  • 本发明公开了一种处理系统及相关设备,以解决现有的处理厚度均匀性较差的技术问题。本发明实施例处理系统用于电路板垂直生产线,包括主槽和副槽以及循环装置;其中,副槽内的药剂在泵浦的作用下,经底部循环管道进入喷射管,经喷射管上的喷射孔喷射进入主槽内,用于对主槽内的板件进行;主槽内的药剂经顶部循环管道向副槽回流本发明技术方案可大大提高处理后板件的厚度均匀性,实践表明,对于各种厚度的板件,采用本发明处理系统处理后,有利于将其表面厚度的极差控制在3微米以内。
  • 处理系统相关设备
  • [发明专利]图案的形成方法及显影-CN201080019592.1有效
  • 东野诚司;近重幸 - 株式会社德山
  • 2010-05-20 - 2012-04-11 - G03F7/32
  • 本发明提供一种抗图案的形成方法及抗显影,所述抗图案的形成方法包括如下工序:抗膜形成工序:在基板上形成含有特定的杯芳烃衍生物的抗膜;潜像形成工序:使所述抗膜选择性地曝光于高能射线、形成图案的潜像;及显影工序:含有选自由含氟烷基醚以及含氟醇组成的组中的至少一种的含氟溶剂的显影将没有曝光于高能射线的抗膜的部分除去,由此对所述潜像进行显影;以上述含氟溶剂作为抗显影
  • 图案形成方法显影液

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top