专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种前处理的自动添加装置-CN201721204077.6有效
  • 刘斌 - 天津普林电路股份有限公司
  • 2017-09-20 - 2018-05-22 - H05K3/38
  • 本实用新型公开了一种前处理的自动添加装置,外置补充槽(15)通过自动添加管路(1)与加药盒(13)连接,在自动添加管路(1)上设有隔膜泵(2)和液压泵(16),加药盒(13)内设有第二位感应器(14),加药盒(13)与主槽(4)管路连接,主槽(4)与排药盒(10)通过抽药管路(5)连接,在排药管路(5)上设有第三电磁阀(12),在排药盒(10)上设有第一位感应器(11),排药盒(10)与高有机废液排放管(8)通过排药管路(6)连接,在排药管路(6)上安装第二电磁阀(9),在所述主槽(4)上连接有入料光电感应器(7)。
  • 一种微蚀前处理自动添加装置
  • [实用新型]一种智能自动化控制量的装置-CN202221491872.9有效
  • 付志伟;洪佳桦;黄杰华;段伦永 - 珠海中京电子电路有限公司
  • 2022-06-15 - 2022-11-08 - B01F35/21
  • 本实用新型提供一种智能自动化控制量的装置,涉及印制电路板制造领域,包括架体,所述架体的一侧放置有控制终端,所述架体的顶部卡接有加料容器,所述架体的顶部共有七个加料容器,所述加料容器的底部套接有输料器,所述输料器的顶部套接有电子控制器,所述电子控制器的一侧电性连接有电子感应器,所述电子控制器的底部设有球阀,本设备主要通过将定量的不同溶液进行混合,使其合成的溶液更符合药水要求,解决了现有的处理为了确保效果更好,都会采用多种溶液混合,但是在生产时无法快速检测出这些混合的处理所含的PH值,这样就可能导致药水的酸性过高或者过低,直接影响量的问题。
  • 一种智能自动化控制微蚀量装置
  • [发明专利]一种线路板化学镀镍工艺-CN202310807946.8在审
  • 刘统发;张纪友;朱利明;王权龙 - 江苏贺鸿电子有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-09-19 - C23C18/36
  • 本发明涉及化学镀镍技术领域,具体为一种线路板化学镀镍工艺。具体提出以下方案:步骤一:将4‑甲基‑5咪唑甲酸酰氯化后,与聚丙烯酰胺接枝,制成改性聚丙烯酰胺,并用其制备;对洁净的线路板进行处理后,经清洗、干燥,得到前处理线路板;步骤二:将1‑苯基‑3‑甲基‑4‑苯甲酰基‑5‑吡唑啉酮、稀土化合物和2,2`‑联吡啶‑3,3`二羧酸制成稀土配合物,其当添加剂;再制备一种Ag@SiO2复合纳米粒子,两者来配制化学镀镍
  • 一种线路板化学工艺
  • [实用新型]用于处理的沉淀槽-CN201220423811.9有效
  • 韦建敏;赵兴文;张晓蓓;吴圣杰 - 成都虹华环保科技有限公司
  • 2012-08-24 - 2013-01-23 - B01D21/02
  • 本实用新型公开了一种用于处理的沉淀槽,包括内部中空的方形槽体(2),所述方形槽体(2)内部空腔设有孔板(6),方形槽体(2)内壁上端设有与任意相对两面连接的溢流槽(5),溢流槽(5)一端与设置在方形槽体(2)外壁的溢流管(8)连通,溢流管(8)上设有控制开关(7),方形槽体(2)任意平面外壁底部还设有与方形槽体(2)内部连通的进口管(1)和排污管(9)。本实用新型的优点在于:本实用新型设计的这种用于处理的沉淀槽,不仅成本低、结构简单而且效率高。
  • 用于微蚀液处理沉淀
  • [发明专利]一种含铜废液回收装置与方法-CN201410145030.1在审
  • 胡庶鼎 - 清英实业有限公司
  • 2014-04-11 - 2015-10-14 - C23F1/46
  • 本发明公开一种含铜废液回收装置,包括:一废液储存槽,用于储存含铜废液;一马达,用于驱动含铜废液;一电解槽,其经由一配管连接至该废液储存槽,用于将该含铜废液电解以析出铜;一药水感测器,其连接至该废液储存槽,用于感测该含铜废液的浓度。本发明也公开了一种含铜废液回收方法。本发明含铜废液回收装置与方法可以达成从废液回收铜作业自动化的目的,其中含铜废液浓度的感测与药水添加完全自动化,在整个铜回收过程中无须人为介入,可节省人工,并提升回收作业效率与准确度。借助此种设计,此含铜废液可以循环重复使用不必排出,不会造成环境污染。
  • 一种含铜微蚀废液回收装置方法
  • [实用新型]一种含铜废液回收装置-CN201420175781.3有效
  • 胡庶鼎 - 清英实业有限公司
  • 2014-04-11 - 2014-09-03 - C23F1/46
  • 本实用新型揭示一种含铜废液回收装置,包括:一废液储存 槽,用于储存含铜废液;一马达,用于驱动含铜废液;一电解槽,其经由一配管连接至该废液储存槽,用于将该含铜废液电解以析出铜;一药水感测器,其连接至该废液储存槽,用于感测该含铜废液的浓度;一药水剂含量控制器(微处理器),其连接该药水感测器,以接受并判断该浓度是否低于一预设临界值。本实用新型含铜废液回收装置可以达成从废液回收铜作业自动化的目的,其中含铜废液浓度的感测与药水添加完全自动化,在整个铜回收过程中无须人为介入,可节省人工,并提升回收作业效率与准确度。 
  • 一种含铜微蚀废液回收装置
  • [实用新型]一种含铜废液再生回收装置-CN201420852705.1有效
  • 韦建敏;张小波;张晓蓓 - 成都虹华环保科技股份有限公司
  • 2014-12-29 - 2015-06-24 - C23F1/46
  • 本实用新型公开了一种含铜废液再生回收装置,包括废液回收槽、过滤装置、废液储存槽、电解槽和废液再生槽,所述电解槽内设有多个阴阳极电板和报警装置,废液再生槽包括药液感应器、药液剂量控制器和加药调节储存槽,所述药液感应器直接与废液再生槽相连,药液剂量控制器与药液感应器通讯连接,加药调节储存槽分别与药液剂量控制器和废液再生槽相连。该回收装置中由于设置了PLC控制系统,实现了完全自动化处理,不仅实时监测控制,节省了大量的人力成本;对废液的再生回收率及铜电解回收率较高,实现了废液的零排放,具有很强的环保性能。
  • 一种含铜微蚀废液再生回收装置
  • [发明专利]硫酸铜减量增浓处理系统-CN202110047109.0在审
  • 周伯超 - 清钰环保科技(上海)有限公司
  • 2021-01-14 - 2021-06-01 - C25D21/16
  • 本发明涉及处理技术领域,且公开了硫酸铜减量增浓处理系统,包括以下步骤,将含硫酸及硫酸铜的废液通入原液预处理系统中,去除废液中的悬浮物、双氧水,降低微废液的颗粒物含量、浊度。该硫酸铜减量增浓处理系统,通过原液预处理系统和硫酸铜分离处理系统,将剩余的废液分成两部分:一部分浓缩硫酸铜浓液,含硫酸铜60g/L以上,回到冷却结晶工艺段直接生成五水硫酸铜,结晶后的饱和硫酸铜溶液回到前端和新排放的废液一起再次浓缩处理,另一部分为硫酸及稀释硫酸铜溶液,其中含铜量低于0.5g/L,可以用于废碱的中和,通过封闭式膜设备的处理,不仅大大改善了现场空气环境,大幅降低了处理单位能耗,经济效益明显。
  • 硫酸铜减量增浓处理系统
  • [实用新型]一种废液处理装置-CN201520924770.5有效
  • 刘伟伟;靳俊强 - 陶克(苏州)机械设备有限公司
  • 2015-11-18 - 2016-05-11 - C02F9/06
  • 本实用新型公开了一种废液处理装置,包括槽、沉降槽、离心机、清槽、固溶槽、盐槽、碱槽、电渗析槽、酸槽、铜槽、电解槽、整流器、支架、电控柜、工艺管道、泵浦;所述支架设有上、下层,上层设有沉降槽、电渗析槽、整流器和电解槽;下层设有盐槽、碱槽、酸槽和铜槽;所述支架外部设有离心机、清槽和固溶槽,所述沉降槽内装配有搅拌器,所述清槽、固溶槽、盐槽、碱槽、酸槽和铜槽内装配有泵浦,所述电控柜与搅拌器、泵浦、离心机、阀组、电解槽、电渗析槽、整流器电气信号连接;本新型采用沉降、分离、电渗析、电解成套设备,优化设计处理废液,解决排放问题,经济效益高,真正实现了经济环保达标排放的目标。
  • 一种废液处理装置
  • [发明专利]单晶硅晶向间刻蚀速率比的提高方法-CN202110647558.9在审
  • 谭鑫;焦庆斌;马振予 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2021-06-10 - 2022-12-13 - H01L21/033
  • 本发明提供一种单晶硅晶向间刻蚀速率比的提高方法,如下步骤:S1、在单晶硅片上生长抗层,并在抗层上涂覆光刻胶并进行前烘;S2、在光刻胶的表面制作扇形光刻胶掩模图形;S3、先后利用抗层刻蚀、单晶硅刻蚀将扇形光刻胶掩模图形转移到单晶硅片上;S4、利用扇形光刻胶掩模图形内不同矩形条对应不同刻蚀现象确定单晶硅片的晶向;S5、在光刻胶的表面制作纳器件光刻胶掩模图形;S6、利用抗层刻蚀纳器件光刻胶掩模图形转移至抗层上得到抗层掩模图形,并去除光刻胶;S7、利用单晶硅刻蚀将抗层掩模图形转移至单晶硅片上。
  • 单晶硅刻蚀速率提高方法

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