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[发明专利]低温液相沉积法以及液相沉积设备的清理方法-CN03100475.X有效
发明人：张翼;梁沐旺;江世明;曾志远;蒋邦民 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种液相沉积方法，用以在具有至少一个预先制造完成、有独立电路功能的半导体组件样本表面上，形成一层低温生长薄膜或极好逐步覆盖性薄膜。本发明还揭露一种液相沉积设备的清理方法，其特征在于使用一循环系统供该设备清洗用，以避免二氧化硅粉末在该设备管路中残留而造成堵塞。
低温沉积以及设备清理方法

[实用新型]液相沉积生产装置-CN01224833.9无效
发明人：梁沐旺;蒋邦民;陈朝明;黄振荣;叶清发 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2001-05-28 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：本实用新型系有关于一种液相沉积(LPD)生产装置,其主要构造包括一组饱和反应设备、一组稳流过饱和循环反应设备、一组溶液化学浓度自动监控设备,及一组废液回收处理设备。稳流过饱和循环反应设备含一只过饱和反应槽、一只液位控制槽、两只以上的反应剂供给装置、搅拌器、过滤循环装置。废液回收处理设备包含两只以上的废液储存槽。其中并搭配相关管路阀体控制组件。由于本实用新型采用单槽密闭、双出入口暨两侧溢流式稳流循环设备进行低温液相沉积,可使饱和反应液过滤、循环、加热使用,达到良好的沉积薄膜可靠度。
沉积生产装置

[实用新型]化学液相沉积装置-CN200320109851.7无效
发明人：周挺 -专利权人：西安诚瑞科技发展有限公司
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C23C18/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及化学液相沉积装置。生产效率高，沉积速度快，成本低，消耗能源少，环保性好，化学裂解后，化合物可以回收再利用，不直接排放到大气中去。提高效率几十倍以上。具有较好的社会和经济效益。
化学沉积装置

[发明专利]一种液气相交替沉积制备高温绝缘薄膜的方法-CN201810761459.1有效
发明人：梁军生;张朝阳;陈亮;王金鹏;王大志 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明一种液气相交替沉积制备高温绝缘薄膜的方法属于先进制造技术领域，涉及一种液相‑气相交替沉积制备高温绝缘薄膜的方法。该方法中交替采用液相沉积和气相沉积步骤，将绝缘材料逐层沉积到待测试件表面。该方法首先配制绝缘材料的液态浆料，接着采用液相沉积方法将液态浆料按照特定厚度沉积到待测试件上，经过烘干和高温烧结，获得第I绝缘层；然后采用气相沉积方法，在第I绝缘层上沉积第II绝缘层；以此类推，多次交替重复液相沉积步骤和气相沉积步骤
一种相交沉积制备高温绝缘薄膜方法

[发明专利]液相沉积法的单面生长与量产方法及装置-CN01119229.1无效
发明人：李明达;廖星智 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-05-14 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提出一种液相沉积法的单面生长与量产方法,用以对一晶片进行一液相沉积工艺过程。它是通过将晶片置放于一晶片承载器上,并使一生长液槽的一开口与晶片承载器上的晶片接合,而于进行所述液相沉积工艺过程后,将上述开口朝上,以取出所述晶片承载器上的晶片。另外,本发明还提出一种液相沉积法的单面生长与量产装置,它是由晶片承载器及生长液槽构成,借助生长液槽的开口与晶片承载器上晶片的接合以进行液相沉积工艺过程。
沉积单面生长量产方法装置

[发明专利]气相沉积冷却装置-CN201810350546.8在审
发明人：蒲春 -专利权人：北京创昱科技有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及气相沉积技术领域，公开了一种气相沉积冷却装置，包括：冷却液注入机构和升降装置；冷却液注入机构包括：注液部件和进液管；注液部件设置在真空沉积区内，当载体停留在真空沉积区内时，注液部件在升降装置的驱动下上下移动插入载体内部的冷却液容纳区内，注入冷却液；所述进液管从外部伸入所述真空沉积区内并与所述注液部件连通，以便于从外部通过所述注液部件向所述冷却液容纳区内注入冷却液；进液管从外部伸入真空沉积区内并与注液部件连通，以便于从外部通过注液部件向冷却液容纳区内注入冷却液本发明的气相沉积冷却装置能够实现在线气相沉积装置中基片的冷却散热，结构简单、操作方便，散热效率高。
冷却液注液部件真空沉积冷却装置气相沉积进液管外部升降装置注入机构容纳伸入连通气相沉积装置散热效率上下移动散热沉积冷却驱动停留

[实用新型]气相沉积冷却装置-CN201820554418.0有效
发明人：蒲春 -专利权人：北京创昱科技有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及气相沉积技术领域，公开了一种气相沉积冷却装置，包括：冷却液注入机构和升降装置；冷却液注入机构包括：注液部件和进液管；注液部件设置在真空沉积区内，当载体停留在真空沉积区内时，注液部件在升降装置的驱动下上下移动插入载体内部的冷却液容纳区内，注入冷却液；所述进液管从外部伸入所述真空沉积区内并与所述注液部件连通，以便于从外部通过所述注液部件向所述冷却液容纳区内注入冷却液；进液管从外部伸入真空沉积区内并与注液部件连通，以便于从外部通过注液部件向冷却液容纳区内注入冷却液本实用新型的气相沉积冷却装置能够实现在线气相沉积装置中基片的冷却散热，结构简单、操作方便，散热效率高。
冷却液注液部件真空沉积冷却装置气相沉积进液管本实用新型外部升降装置注入机构容纳伸入连通气相沉积装置散热效率上下移动散热沉积冷却驱动停留

[发明专利]一种基于热喷涂制备耐冲蚀高温可磨耗封严涂层的方法-CN201310045723.9无效
发明人：李长久;杨冠军;李成新 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热喷涂制备耐冲蚀高温可磨耗封严涂层的方法，将表面熔化的液固两相颗粒碰撞并沉积在基体表面，控制基体表面温度使液固两相颗粒中的液态部分凝固时形成具有高热稳定性的相结构，基体表面与液固两相颗粒中的固相颗粒之间形成有效结合；后续液固两相颗粒沉积到已经沉积的颗粒表面，逐渐累加形成具有孔隙结构的沉积层；将颗粒尺寸小于沉积层孔隙结构的填充粉末或该填充粉末的前驱体，通过固相或悬浮液的状态填充到沉积层的连通孔隙中，获得具有耐冲蚀、
一种基于喷涂制备冲蚀高温磨耗涂层方法

[发明专利]实现颗粒输送和液态金属中空射流的喷射沉积装置及方法-CN201610164243.8有效
发明人：隋大山;崔振山;王钧卿;王晓平 -专利权人：上海交通大学;上海汇智新材料科技有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： B22F3/115 文献下载
摘要：一种实现颗粒输送和液态金属中空射流的喷射沉积装置及方法，包括固相颗粒流化输送器、固相颗粒分配器、导液管、雾化器、塞杆和管道等。所述固相颗粒流化输送器能够对固相颗粒进行流化态处理，所述固相颗粒分配器通过管道分别与流化输送器和导液管相连，所述导液管包括中心孔结构和环缝结构。所发明装置工作时，流化态固相颗粒由导液管中心孔喷出，金属液由导液管环缝以中空射流方式喷出。二者在雾化器作用下同时雾化并均匀混合，经沉积制备出金属基复合材料锭坯。所发明的喷射沉积装置改进了固相颗粒的加入方式，并使金属液形成中空射流，改善了固相颗粒和金属液的雾化沉积效果，有利于提高锭坯质量。
实现颗粒输送液态金属中空射流喷射沉积装置方法

[发明专利]用于形成半导体器件和系统的沉积工艺-CN202011197842.2在审
发明人：柯忠廷;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成半导体器件和系统的沉积工艺。一种方法包括：将半导体衬底置于沉积室中，其中，半导体衬底包括沟槽；以及执行原子层沉积(ALD)工艺以在沟槽内沉积电介质材料，包括：使电介质材料的第一前体作为气相流入沉积室；使电介质材料的第二前体作为气相流入沉积室；以及控制沉积室内的压力和温度，使得第二前体作为第二前体的液相凝聚在沟槽内的表面上，其中，第二前体的液相具有毛细现象。
用于形成半导体器件系统沉积工艺

[发明专利]一种气相沉积工艺的控制方法、装置、介质及电子设备-CN201811038782.2有效
发明人：杨正杰;吕翼君 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种气相沉积工艺的控制方法、装置、介质及电子设备，包括：当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后，对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数，获得计数结果；将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比，获得对比结果；基于对比结果实现控制气相沉积工艺。本发明实施例的技术方案能够检测化学气相沉积材料使用状况，在低材料液位警报后，对化学气相沉积工艺的次数进行计数，当到达设定最高次数后，控制停止化学气相沉积设备的使用，并发出通知对进行化学气相沉积材料进行更换，从而提高了化学气相沉积材料的使用率，节约了材料成本。
一种沉积工艺控制方法装置介质电子设备

[发明专利]一种用于模拟蜡沉积的实验装置-CN201910356431.4在审
发明人：豆宁辉;杨顺辉;何汉平;鲍洪志;刘浩亚;王志远;高永海 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油工程技术研究院
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01N15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于模拟蜡沉积的实验装置，包括蜡沉积测试单元、供液单元、供气单元、温控单元、测厚装置、可调支撑装置和计算机数据采集分析系统。其中，供气单元与供液单元均与气液混合器连接，气液混合器与蜡沉积测试单元连接。温控单元分别与蜡沉积测试单元、供液单元和供气单元连接。测量单元和可调支撑装置分别与蜡沉积单元连接。本发明提供的用于模拟蜡沉积的实验装置能够模拟深水井筒气液两相流条件下的蜡沉积情况，从而能够开展深水井筒气液两相流条件下蜡沉积问题的实验研究，为深水含蜡原油开发过程中蜡沉积预测与防治研究提供基础。
一种用于模拟沉积实验装置

[发明专利]从联氨除去湿气的方法-CN201780068327.4在审
发明人：清水秀治;马克·W·瑞农;丹尼尔·J·丹贝尔;罗宾·加德纳;小丹尼尔·阿尔瓦莱斯 -专利权人：曼瑟森三汽油公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B01D53/02 文献下载
摘要：本发明涉及气相与液相干燥的技术领域。具体而言，本发明涉及从联氨中除去湿气(以及氧前驱物)的方法，由此提供适用于气相沉积的高纯度气体来源。气相沉积包括但不限于化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)。
湿气气相沉积联氨化学气相沉积高纯度气体原子层沉积前驱物

[实用新型]一种化学气相沉积装置-CN201521042165.1有效
发明人：曹玉霞 -专利权人：唐山学院
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种化学气相沉积装置，包括加热炉，加热炉具有密闭的炉膛和设置在炉膛外周的加热体，炉膛中部设置有热电偶，炉膛具有气体入口和气体出口；还包括并联的载气流路和稀释气流路，二者都与炉膛的气体入口连接；载气流路中设置有汽化器，液相原料在汽化器中汽化后由载气携带进入加热炉中进行气相沉积。根据本实用新型的化学气相沉积装置，能够采用液相前驱体作为原料来进行气相沉积薄膜或涂层；结构简单，操作方便。
一种化学沉积装置

[发明专利]一种新型化学液相沉积炉-CN201910762558.6在审
发明人：周挺;岳浩 -专利权人：西安宸瑞电工科技发展有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳/碳复合材料的致密及生产制备中的新型化学液相沉积炉，包括工作室、冷凝器和炉盖，工作室和冷凝器是两个由若干冷凝管相贯通的腔室；其中工作室中包括前驱体槽、支架、预制体和感应线圈等；预制体在工作室中被局部感应加热，实现液相沉积；所述前驱体槽位于工作室内，且底部与工作室底部不接触；前驱体槽和工作室底部之间充有前驱体，前驱体槽内充有前驱体；本装置采取局部感应加热，使得预制体不受尺寸限制，较传统化学液相沉积炉工作状态而言，新型化学液相沉积炉致密效果可控制，降低了生产成本。新型化学液相沉积炉采用多管螺旋轴式冷凝器，大大提高了前驱体的回收率，在节省成本的同时降低了对环境的污染。
前驱体液相沉积工作室新型化学冷凝器预制体感应加热碳/碳复合材料致密尺寸限制传统化学感应线圈螺旋轴式致密效果不接触可控制冷凝管多管炉盖腔室支架制备生产成本回收率贯通室内污染生产

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