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[发明专利]氧化物半导体薄膜-CN201880074511.4在审
发明人：大竹文人;小林大士;上野充;和田优;松本浩一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由包含In、Zn、Ti及Sn的氧化物半导体构成，(In+Sn)/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.36以上且0.92以下，Sn/(In+Sn)的原子比为0.02
氧化物半导体薄膜

[发明专利]氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法-CN201811337726.9在审
发明人：李敏敏 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供氧化物半导体的前驱体溶液；将氧化物半导体的前驱体溶液置于保护气体环境中，对氧化物半导体的前驱体溶液进行紫外光光照处理，反应完全后，得到氧化物半导体溶胶；将氧化物半导体溶胶在衬底上成膜和热处理，即得氧化物半导体薄膜。该制备方法采用紫外光对氧化物半导体的前驱体溶液进行光照处理，氧化物半导体的前驱体吸收紫外光后，加速水解反应和缩聚反应，获得良好的氧化物半导体溶胶，再经过成膜和热处理，氧化物半导体薄膜由疏松多孔的结构转变为致密的结构，进而实现高性能氧化物半导体薄膜的制备。
氧化物半导体薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法-CN201580035431.4有效
发明人：川上信之;林和志;钉宫敏洋;越智元隆 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
氧化物半导体薄膜上述表面具有保护膜层叠品质评价方法以及管理

[发明专利]氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件-CN202211739559.7在审
发明人：朱博文;宋春燕 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件，涉及半导体技术领域。该氧化物半导体薄膜的制备方法包括：提供基底；在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，所述氧化物半导体薄膜的厚度小于或等于15nm。该氧化物半导体薄膜的制备方法能够具备高迁移率等性能优势。
氧化物半导体薄膜及其制备方法薄膜晶体管显示器件

[发明专利]一种贵金属修饰复合型气体传感器-CN202210463275.3在审
发明人：刘黎明;惠裕充;贾强生;易子川;张小文;曾丽雅 -专利权人：电子科技大学中山学院;桂林电子科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，响应层包括石墨烯薄膜和贵金属纳米颗粒。正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。
一种贵金属修饰复合型气体传感器

[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法-CN201811494714.7在审
发明人：关峰;袁广才;王治;许晨;姚琪;曹占锋;宁策;李禹奉;陈蕾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明的氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源层的图形。
氧化物半导体有源层制备非晶氧化物半导体氧化物薄膜晶体管薄膜阵列基板基底准分子激光退火半导体材料结晶氧化物激光退火沟道区

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示面板-CN202211717856.1在审
发明人：张波 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，薄膜晶体管包括：栅极；氧化物半导体层，与栅极相对设置，氧化物半导体层包括：下氧化物半导体层，下氧化物半导体层包括锌元素；以及上氧化物半导体层，与下氧化物半导体层叠置，上氧化物半导体层包括锌元素以及钇元素；以及源极和漏极，与氧化物半导体层连接。
薄膜晶体管阵列显示面板

[发明专利]改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法-CN201710477261.6有效
发明人：王选芸 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：本发明提供一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法。该方法通过对氧化物半导体薄膜晶体管进行预设次数的弯折或对氧化物半导体薄膜晶体管进行弯折并保持预设的时长，利用弯折使得所述氧化物半导体层压缩或拉伸，进而改变氧化物半导体薄膜晶体管的沟道中原子间的距离，使得氧化物半导体层中的原子间成键轨道和反键轨道之间的能量差值改变，最终将氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压调控到合适的范围内，达到改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的目的。
改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压方法

[实用新型]一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管-CN202221729960.8有效
发明人：林宏达;孙曾平;王科 -专利权人：成都中浦科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括薄膜晶体管组件，薄膜晶体管组件包括绝缘衬底、设置在绝缘衬底上端的栅电极、设置在栅电极上端的双层金属氧化物半导体层、设置在双层金属氧化物半导体层上端一侧的源电极和设置在双层金属氧化物半导体层上端另一侧的漏电极该种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，通过第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层之间形成的二维电子气极大的提高了金属氧化物半导体薄膜晶体管的电学性能。
一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910221306.9有效
发明人：桑原秀明;秋元健吾;佐佐木俊成 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率。本发明的另一个目的在于使薄膜晶体管的电特性稳定。在包含氧化物半导体层的薄膜晶体管中，通过在该氧化物半导体层上形成其电导率高于该氧化物半导体层的半导体层或导电层，可以提高该薄膜晶体管的场效应迁移率。另外，通过在氧化物半导体层和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率高于该氧化物半导体层的半导体层或导电层，可以防止氧化物半导体层的组成的变化或氧化物半导体层的膜质的劣化，而使薄膜晶体管的电特性稳定。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种退火后的氧化物半导体薄膜和改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法-CN202011607453.2在审
发明人：张振中;乔宝石;申德振;刘可为;陈星;李炳辉;谢修华 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火后的氧化物半导体薄膜，所述退火后的氧化物半导体薄膜具有表面平整的微观形貌；所述退火后的氧化物半导体薄膜不具有裂纹。本发明提供的能够改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法，使得本发明退火后的氧化物半导体薄膜具有特定的微观形貌，表面平整且不会产生裂纹。本发明得到的退火后的氧化物半导体薄膜产生的晶界少、缺陷少，薄膜内部晶界密度低，载流子迁移率高；同时氧化物薄膜表面形貌不发生变化，可重复性好；而且氧化物组分变化不明显，结晶质量能够得到有效提高。
一种退火氧化物半导体薄膜改善结晶质量两步退火法

[发明专利]氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法-CN201110163468.9有效
发明人：钉宫敏洋;安野聪;森田晋也;前田刚彰;三木绫 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法，其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止上述激励光的照射，并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据上述测定的值算出寿命值，由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。
氧化物半导体薄膜评价方法质量管理

[发明专利]一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法-CN200810240149.1无效
发明人：陶霞;郑言贞;许辉;王立新;陈建峰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法属于无机非金属材料技术和能源材料制备技术领域。采用一步法制备半导体氧化物微纳复合结构薄膜可控性和重复性差。本发明采用滴敷法或涂敷法依次在导电玻璃上制备半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜，得到厚度为3-25μm的半导体氧化物微纳复合结构薄膜，其中，半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜的厚度比为
一种半导体氧化物复合结构薄膜制备方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板-CN202311006657.4在审
发明人：陶灵芝;朱健;刘华 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底；在衬底上沉积形成栅极；在衬底上形成覆盖栅极的栅极绝缘薄膜层，并对栅极绝缘薄膜层图案化形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层沉积一层金属氧化物半导体薄膜；对金属氧化物半导体薄膜中的氧缺陷位置进行掺杂处理；在金属氧化物半导体薄膜上沉积一层蚀刻阻挡薄膜层；对蚀刻阻挡薄膜层蚀刻图案化形成蚀刻阻挡层；对金属氧化物半导体薄膜蚀刻图案化形成金属氧化物半导体层；以及沉积形成第二金属薄膜层，并对第二金属薄膜层图案化形成源极和漏极；其中，源极和漏极相互间隔并覆盖部分金属氧化物半导体层与金属氧化物半导体层接触连接。
金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法阵列

[发明专利]结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置-CN201910634324.3在审
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的是提供结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置，所述结晶性氧化物半导体薄膜用于形成半导体特性出色的结晶性层叠结构体。所述结晶性氧化物半导体薄膜具有刚玉结构，所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，膜厚为1μm以上，并且至少含有镓。
结晶性氧化物半导体薄膜半导体装置表面粗糙度Ra 半导体特性层叠结构体结晶性刚玉膜厚

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