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[发明专利]二维材料的转移方法-CN202310098331.2有效
发明人：闫家旭;赵寻;李治朴;刘雷;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料转移技术领域，尤其涉及一种二维材料的转移方法。二维材料的转移方法包括如下步骤：使用结晶水合物制作衬底；将样品粘附在衬底表面，将衬底放置在带有加热系统的光学显微操作台上，选出待转移的目标样品；将探针安装在光学显微操作台上调节位置；开启加热系统，使结晶水合物析出水；使用探针将目标样品挑起转移到目标物上，完成二维材料的转移。本发明不会对材料产生额外污染或损坏，实现了方便、快捷、清洁的转移。
二维材料转移方法

[发明专利]二维材料在不同衬底间的转移方法-CN202310098330.8在审
发明人：闫家旭;李治朴;赵寻;刘雷;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料转移技术领域，尤其涉及一种二维材料在不同衬底间的转移方法。二维材料在不同衬底间的转移方法包括如下步骤：使用碱金属卤化物制作衬底；将机械剥离的原始样品粘附在衬底表面，在光学显微操作台上选出目标样品；在衬底的旁边滴加去离子水使目标样品漂浮，通过探针挑起目标样品并将其移动到硅片上；对目标样品上残留的碱金属卤化物进行后续处理，完成二维材料的转移。本发明能够解决样品附带较难去除的污染物的问题，同时使用纳米级钨针，可以挑起较小尺度的样品且不易对样品造成破坏，实现对样品的无损转移。
二维材料不同衬底转移方法

[发明专利]镓酸锌薄膜及制备方法、紫外探测器及制备方法-CN202210236984.8有效
发明人：刘可为;黄小茜;申德振;陈星;李炳辉;艾秋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体紫外探测技术领域，具体提供一种ZnGa2O4薄膜的制备方法及其应用。本发明提供的ZnGa2O4薄膜的制备方法，利用分子束外延技术，同时通过利用有机镓源代替传统的Ga金属源，与Zn金属源相结合，其工艺可控性强，通过对于生长温度、镓源、锌源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnGa2O4薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。紫外探测器包括衬底、设置于衬底的ZnGa2O4薄膜层、设置于ZnGa2O4薄膜上的电极层；本发明的紫外探测器，可以改善器件因薄膜质量不高所带来的性能不理想问题，同时具备良好的响应度和稳定性，表现出优异的紫外探测性能。
镓酸锌薄膜制备方法紫外探测器

[发明专利]一种半导体薄膜复合结构件的制备方法-CN202110474977.7有效
发明人：刘可为;陈星;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体薄膜复合结构件的制备方法，该方法包括以下步骤：a)在衬底表面设置像素点阵结构和读出电路，所述像素点阵结构由多个像素单元构成；b)将设置有像素点阵结构和读出电路的衬底置于宽禁带氧化物膜层生长设备中；用掩模挡住读出电路，在20～450℃条件下进行宽禁带氧化物膜层的生长，得到半导体薄膜复合结构件。本发明提供的制备方法直接在设置好像素点阵结构和读出电路的衬底上低温生长构建宽禁带氧化物半导体膜层，具有制备简单，易于控制的特点；制得的复合结构件后续再刻蚀掉生长在相邻两个像素单元之间的膜层后即可得到性能优良的半导体紫外探测器件，具有十分广阔的市场前景。
一种半导体薄膜复合结构件制备方法

[发明专利]预倾斜样品夹具及样品加工方法-CN202110866438.8有效
发明人： 申德振;程祯;刘可为;刘雷;徐海;景鹏涛 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预倾斜样品夹具，包括：夹具器、预倾支撑台；所述夹具器内设置有小孔，针尖样品的柱形端固定在所述小孔内，所述针尖样品的尖针露于所述小孔外；所述预倾支撑台设置有与所述夹具器形状匹配的容纳槽，所述预倾支撑台与水平面的夹角为30°‑42°。本发明公开的预倾斜样品夹具能够夹持百微米级柱形针尖样品，实现清扫针尖底部的众多毛刺，提升加工效果。
倾斜样品夹具加工方法

[发明专利]一种异质结紫外探测器及其制备方法-CN202011603004.0有效
发明人：刘可为;张超;陈星;申德振;李炳辉;艾秋;张振中 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结紫外探测器，包括：衬底、制备于衬底上的ZnO薄膜层、制备于ZnO薄膜层上的非晶Ga2O3薄膜层以及分别制备于非晶Ga2O3层和ZnO薄膜层上的接触电极；ZnO薄膜层与非晶Ga2O3薄膜层接触面形成ZnO/非晶Ga2O3异质结；所述ZnO薄膜层的厚度为50～200nm；所述非晶Ga2O3薄膜层的厚度为100～300nm。本发明制得的异质结紫外探测器，低温生长可以改善异质结界面缺陷所带来的性能不理想问题，具备良好的载流子调控特性、响应度和稳定性，并具有自供能特性，表现出出色的紫外探测性能。整个薄膜型异质结器件制造工艺简单，所用材料容易获得，具有广阔的发展前景。
一种异质结紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法-CN202110474859.6有效
发明人：刘可为;陈星;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于紫外探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器及其制备方法。本发明提供的紫外探测器包括：衬底；设置于所述衬底表面的像素点阵结构和读出电路，所述像素点阵结构由多个像素单元构成；和生长在每个所述像素单元上的宽禁带氧化物膜层，所述宽禁带氧化物膜层的生长温度为20～450℃。本发明提供的紫外探测器直接在设置好像素点阵结构和读出电路的衬底上低温生长构建宽禁带氧化物半导体膜层；与传统的先生长薄膜，再连接读出电路的方式相比，具有制备简单，易于控制的特点，具有十分广阔的市场前景。
一种紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜紫外探测器及其制备方法-CN202011416050.X有效
发明人：刘可为;韩无双;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种BaTiO3薄膜紫外探测器及其制备方法，特别是一种禁带宽度在3.9～4.4eV的BaTiO3薄膜。包括衬底、生长于衬底上表面的BaTiO3薄膜、以及复合于BaTiO3薄膜上的叉指电极层；BaTiO3薄膜的禁带宽度为3.9～4.4eV；BaTiO3薄膜的晶粒尺寸为0.01～30nm；BaTiO3薄膜的厚度为50～500nm；BaTiO3薄膜的光吸收截止边为280～320nm。本发明制备的BaTiO3薄膜具有晶粒尺寸小、禁带宽度宽、吸收截止边在280～320nm等特点，使得BaTiO3紫外探测器对应的探测波长在280～320nm，是一种优异的UVB光电探测材料，实现BaTiO3对UVB波段的探测，拓宽其在UVB紫外探测器领域的应用。
一种薄膜紫外探测器及其制备方法

[发明专利]金属有机材料的制备方法-CN202110751617.7有效
发明人：徐海;梁哲文;刘雷;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属有机材料的制备方法，在真空条件下，分别将原子级平整的金属基底、碱基金属盐和有机材料放入热蒸发器中，进行除气、加热，沉积生长均匀的碱金属薄膜和有机材料薄膜；将金属基底上沉积的碱基金属盐薄膜和有机材料薄膜进行退火处理，完成制备。本发明提供的制备方法，使用碱基金属盐替代碱基金属作为碱基离子、原子的供体，解决了现有技术方案的强金属性碱基原子不容易分离以及碱金属原子在空气中不稳定的技术难题，能够将碱基金属原子均匀扩散在基底上，减小有机碱基元素的掺杂难度，制备具有精准掺杂比例的碱基金属‑有机材料的薄膜材料，同时有效提高碱基元素掺杂的安全性、可控性。
金属有机材料制备方法

[发明专利]氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法-CN202210510404.X在审
发明人：陈星;周畅;申德振;刘可为;郑智遥 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法，其中的氧化镓微米线制备方法包括以下步骤：S1、将β‑Ga2O3粉末与碳粉末按照预设比例混合研磨后得到混合原料粉末；S2、将原料粉末放置在组合石英舟内，并将组合石英舟放入炉管中，通入Ar气后开始升温过程；S3、升温过程结束后达到预设生长温度，通入Ar气和O2气的混合气体开始氧化还原反应；S4、经预设时间氧化还原反应结束，自然冷却后得到氧化镓微米线。本发明提供的氧化镓微米线制备方法具有以下优点：具有简易的操作步骤，制备过程有较强的可重复性，减少了来自衬底盖片的干扰，避免了Au催化剂在微米线中的残留。
氧化微米制备方法紫外探测器及其

[发明专利]一种Ga2-CN202010597226.X有效
发明人：陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：以有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气作为氧源，利用金属有机化学气相沉积法在衬底表面进行沉积，降温后得到Ga2O3薄膜；在Ga2O3薄膜生长的过程中间歇补充有机锌化合物。本申请还提供了上述制备方法所制备的Ga2O3薄膜，Ga2O3薄膜中掺杂微量锌。本申请通过对制备Ga2O3薄膜中有机锌化合物的通入时机和通入时间的控制，实现了微量锌掺杂的Ga2O3薄膜的制备，其为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。
一种 ga base sub

[发明专利]一种ZnMgO薄膜、紫外探测器及其制备方法-CN202010195985.3有效
发明人：刘可为;韩冬阳;陈星;张振中;李炳辉;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了本发明提供了一种ZnMgO薄膜，所述ZnMgO薄膜具有单一六角相晶体结构；所述ZnMgO薄膜中，ZnO和MgO的质量比为(7～11)：1；所述ZnMgO的吸收截止边为350～370nm。本发明得到了一种ZnMgO薄膜材料，该ZnMgO材料具有单一六角相晶体结构，结晶质量高，吸收截止边陡峭等特点，而且本发明制备ZnMgO薄膜材料还具有面积大、表面平整的优点，进而使得本发明制备的ZnMgO紫外探测器具有较低的暗电流和良好的器件稳定性。本发明提供的可控制备方法，步骤简单，条件温和，重复性好，过程可控，有利于规模化推广和应用。
一种 znmgo 薄膜紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种Ga2-CN202010598084.9有效
发明人：陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3紫外探测器，包括依次叠加设置的衬底、Ga2O3薄膜和金属叉指电极，所述Ga2O3薄膜中掺杂有微量锌。本申请还提供了一种Ga2O3紫外探测器的制备方法。本发明提供的Ga2O3紫外探测器通过Ga2O3薄膜中微量锌元素的掺杂，增加锌替代和锌间隙缺陷，使制备得到的Ga2O3薄膜层具有结晶质量高、不出现分相、吸收截至边陡峭、光响应高以及暗电流恢复快等特点，进而使包含Ga2O3薄膜层的紫外探测器同时具有非常高的响应度和非常短的响应时间。
一种 ga base sub

[发明专利]一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法-CN201911390503.3有效
发明人：李炳辉;申德振;谢修华;张振中;刘可为;陈星;刘雷;李衍爽 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。该方法的是将金属锌加热蒸发成气态，氧气通过射频等离子体原子源裂解成活性原子与分子混合状态，掺杂所用方法与氧气相同，锌原子束、氧气活性原子与分子以及掺杂用的氮气活性原子与分子共同喷射至一个被加热的单晶衬底上形成P型氧化锌薄膜。本发明的方法减少外来杂质，优化氮元素掺杂技术，获得了空穴浓度5.5×1016cm‑3,迁移率4.3cm2v‑1s‑1的P型氧化锌薄膜。
一种利用分子外延技术制备氧化锌薄膜方法

[发明专利]一种三氧化二镓日盲紫外探测器及其制备方法-CN202010598387.0有效
发明人：刘可为;孙璇;申德振;陈星;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3紫外探测器，包括依次叠加设置的衬底、Ga2O3：Zn薄膜和金属叉指电极。本申请还提供了一种Ga2O3紫外探测器的制备方法。本发明提供的Ga2O3紫外探测器的Ga2O3薄膜层具有结晶质量高、吸收截至边陡峭等特点，进而使包含Ga2O3薄膜层的紫外探测器同时具有非常高的响应速度和较低的暗电流。
一种氧化二镓日盲紫外探测器及其制备方法

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