专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果66个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]芯片及其制备方法、终端-CN202210355856.5在审
  • 万光星;高健;陈尚志;刘燕翔 - 华为技术有限公司
  • 2022-04-06 - 2023-10-24 - H01L21/8234
  • 本申请提供一种芯片及其制备方法、终端,涉及半导体技术领域,可以通过降低第一间隔层和第二间隔层的综合介电常数,来降低边缘寄生电容,以提高FinFET的性能。该芯片包括鳍式场效应晶体管,鳍式场效应晶体管的制备方法,包括:在衬底上依次形成假栅极和第一间隔层;第一间隔层设置于假栅极的相对两侧。接着,形成源极和漏极;沿第一间隔层指向假栅极的方向,源极和漏极分设于鳍式场效应晶体管的沟道区域的相对两侧。在第一间隔层背离假栅极侧,形成第二间隔层;第二间隔层的介电常数小于第一间隔层的介电常数。接着,去除假栅极。
  • 芯片及其制备方法终端
  • [发明专利]OTP存储器件及电子设备-CN202210301575.1在审
  • 徐由;潘越;刘畅;布明恩;张宗宪;刘燕翔 - 华为技术有限公司
  • 2022-03-25 - 2023-10-10 - H10B20/25
  • 本申请提供了一种OTP存储器件及电子设备。OTP存储器件包括衬底和存储结构,衬底具有第一表面,第一表面包括有源区;存储结构包括第一金属氧化物半导体MOS晶体管,第一MOS晶体管包括:源极,源极设于有源区;漏极,漏极设于有源区;栅氧化层,栅氧化层设于有第一表面,栅氧化层上具有凹陷部,凹陷部包括沿第一方向设置的第一凹陷部以及沿第二方向设置的第二凹陷部,第一方向与第二方向之间具有夹角;栅极,栅极设于栅氧化层上,源极或漏极位于栅极的一侧。本申请能够提高OTP存储器件编程的成功率。
  • otp存储器件电子设备
  • [发明专利]芯片、电子设备、膜层穿孔的形成方法-CN202180086460.9在审
  • 黄伟川;朱伟骅;刘燕翔 - 华为技术有限公司
  • 2021-03-26 - 2023-08-25 - H01L23/522
  • 本申请实施例提供一种膜层穿孔的形成方法、芯片、电子设备。涉及半导体技术领域,可以避免研磨液浸入膜层穿孔中。该芯片包括:衬底、设置在衬底上的电子元器件,电子元器件和布线层之间被介质层隔离开,还有,该芯片还包括膜层穿孔,该膜层穿孔包括贯通介质层的孔,在孔内且沿孔的轴向,依次堆叠有第一填充层、间隔层和第二填充层,第二填充层的与孔的侧壁面相接触的位置处设置有粘附层;其中,第一填充层、第二填充层和间隔层均由导电材料制得,且间隔层的材料和第一填充层的材料不同,以及间隔层的材料与第二填充层的材料不同;另外,第一填充层靠近电子元器件设置,第二填充层靠近布线层设置,以电连接电子元器件和布线层。
  • 芯片电子设备穿孔形成方法
  • [发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN202080108008.3在审
  • 詹瞻;刘燕翔;马小龙 - 华为技术有限公司
  • 2020-12-21 - 2023-08-22 - H01L21/336
  • 一种场效应晶体管及其制造方法,该场效应晶体管包括:源极(13)、漏极(14)和栅极(12);源极(13)和漏极(14)之间设置有沟道区域(11);栅极(12)和源极(13)以及栅极(12)和漏极(14)之间设置有内隔离层(110),内隔离层(110)覆盖于沟道区域(11)的部分区域上,其中,内隔离层(110)中包括施主杂质或受主杂质。该结构能够降低场效应晶体管的沟道区域(11)的导通电阻,并且维持沟道区域(11)中的高载流子迁移率,从而提高场效应晶体管的性能。
  • 场效应晶体管及其制造方法
  • [发明专利]一种自终止写入电路及方法-CN202211100672.0在审
  • 潘越;刘燕翔;段霑 - 华为技术有限公司
  • 2018-07-02 - 2022-12-20 - G11C11/16
  • 本申请公开了一种自终止写入电路及方法,用于对处于不同状态的存储阵列电路通过同一个自终止写入控制电路实现自终止。本申请自终止写入电路,包括:灵敏放大器(201)和控制电路(202);灵敏放大器(201)用于比较参考电路(203)输出的参考电压或参考电流和存储阵列电路(204)输出的电压或电流大小;控制电路(202)用于根据比较结果生成终止信号,并反馈所述终止信号至所述存储阵列电路(204),所述终止信号用于控制所述存储阵列电路(204)停止写入P状态或AP状态。在存储阵列电路(204)完成状态写入后实现写入自终止,节省了电路的开销面积,降低了功耗。
  • 一种终止写入电路方法
  • [发明专利]一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法-CN202210954988.X在审
  • 刘欣芳;许淼;刘燕翔 - 华为技术有限公司
  • 2018-10-10 - 2022-12-02 - H01L29/49
  • 本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构,该结构包括:半导体衬底(101),金属栅极(104),源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105),该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方,该栅极接触(105)位于有源区上方,由于在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方覆盖有刻蚀停止层,可以将栅极接触(105)准确打到栅极上,而不会与源极金属沟槽(107)或漏极金属沟槽(108)短接,因此栅极接触(105)可以在金属栅极(104)上延伸至有源区上方,这样栅极接触(105)的长度限制变小,栅极接触(105)的形状可以类似于金属栅极(104)呈长条的形状,增大了栅极接触(105)与金属栅极(104)的接触面积,大大降低了栅极电阻。
  • 一种具有栅极电阻场效应晶体管结构制造方法
  • [发明专利]一种存储器和电子设备-CN202080096121.4在审
  • 焦慧芳;赫然;范鲁明;刘燕翔 - 华为技术有限公司
  • 2020-02-28 - 2022-10-04 - G11C11/4063
  • 一种存储器和电子设备,该存储器包括叠置且电连接的第一存储芯片(1)和逻辑芯片(2),第一存储芯片(1)包括第一存储单元阵列。存储单元阵列包括多个晶体管(111),以及多根位线(113)和多根字线(112),上述字线(112)与位线(113)与晶体管(111)耦合。逻辑芯片(2)包括差分放大器(21)、字线驱动器和参考电压源(25),差分放大器(21)、字线驱动器和参考电压源(25)均与第一存储单元阵列电连接。其中,差分放大器(21)包括第一差分输入端(211)、第二差分输入端(212)和输出端(213)。上述第一差分输入端(211)与第一存储单元阵列的位线(113)电连接,第二差分输入端(212)与参考电压源(25)电连接,则差分放大器(21)对上述参考电压源(25)的参考电压以及位线(113)的信号进行差分处理。
  • 一种存储器电子设备

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top