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[发明专利]图像处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202010616011.8有效
发明人：王志鸿 -专利权人：北京迈格威科技有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像处理方法、装置、电子设备及存储介质。该图像处理方法，包括：获取多个具有不同的曝光补偿值的第一曝光参数，所述第一曝光参数包括曝光时间以及感光度；以预设幅度对每一所述第一曝光参数的曝光时间进行加长并对感光度做对应幅度减小，以生成对应的第二曝光参数；根据每一所述第二曝光参数获取对应的曝光图像；对多个所述曝光图像进行处理，以生成对应的高动态范围图像。本申请通过将多个具有不同曝光补偿值的第一曝光参数进行调节，实现高曝光时间，低感光度的策略来获取对应的曝光图像，从而通过该多张曝光图像融合形成高动态范围图像，可以提高图像的动态范围，避免出现图像不均匀，可以提高图像质量
图像处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种PCB阻焊层的制作方法及PCB-CN201910339319.X在审
发明人：刘爱学;刘楷 -专利权人：竞华电子（深圳）有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种PCB阻焊层的制作方法及PCB,其包括前处理、涂覆油墨、干涸处理、第一次曝光、第二次曝光、显影处理以及加热固化，该方法对油墨干涸后的PCB进行二次曝光处理，用于第一次曝光的第一底片的开窗宽度比PCB上要求露铜面的宽度大1.5±0.2mm，第一次曝光处理过程中对第一底片与PCB之间进行抽真空操作的抽真空度范围为‑(350±50)mm/hg；对经过第一次曝光处理后的PCB进行第二次曝光处理，用于第二次曝光的第二底片的开窗宽度与PCB上要求露铜面的宽度相等，第二次曝光处理过程中对第二底片与PCB之间进行抽真空操作的抽真空度范围为‑(720±40)mm/hg。该制作方法解决了现有技术中PCB在进行阻焊曝光时出现菲林印或曝光不良等现象进而导致PCB板面品质异常的问题。
曝光处理底片曝光抽真空度抽真空阻焊层开窗干涸制作二次曝光加热固化宽度相等涂覆油墨显影处理宽度比前处理菲林阻焊油墨

[发明专利]一种补偿装置、曝光装置及曝光补偿方法-CN201710707431.5有效
发明人：毛元杰;侯学成;卢凯;李京鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种补偿装置、曝光装置及曝光补偿方法。其中，本发明提供的曝光装置，可以通过曝光机基台和曝光机出光口之间的补偿装置，调节出不同浓度的有色溶液对曝光机出射的光线进行遮挡。待处理膜层中膜厚越薄的位置，投影位置处有色溶液的浓度越高，从而对待处理膜层的感光深度进行定量补偿，以实现曝光量与待处理膜层膜厚的匹配性，使得曝光后在基板上形成精密的结构尺寸。
一种补偿装置曝光方法

[发明专利]图像比特深度增强方法-CN201510595514.0在审
发明人：霍永青 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像比特深度增强方法，首先从原始图像中检测得到过曝光区域，然后判定过曝光区域是SR过曝光区域还是LS过曝光区域，采用对应的过曝光处理方法分别对原始图像进行过曝光处理，然后采用正常曝光图像的比特深度增强算法对过曝光处理后的图像进行比特深度增强与全局变换相比，本发明考虑到了图像中不同区域的特性；与局部变换相比，本发明对过曝光区域进行了提前处理，可以在后续比特深度增强时对整个图像采用同一个变换函数，降低了比特深度增强的复杂度，提高了整个算法的效率
图像比特深度增强方法

[发明专利]图像处理方法、移动终端及存储介质-CN202110438044.2在审
发明人：丁好 -专利权人：深圳传音控股股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本申请提供一种图像处理方法，应用于移动终端，图像处理方法包括：控制模块在当前场景为预设场景时，分别向数字信号处理器和/或感光元件发送目标曝光参数，目标曝光参数包括至少一组短曝光参数和/或至少一组长曝光参数；感光元件基于目标曝光参数和/或正常曝光参数采集图像并发送至数字信号处理器；数字信号处理器基于目标曝光参数从感光元件采集的图像中选取至少一张图像进行HDR合成以得到第一图像，并将第一图像发送至图像信号处理器进行处理本申请在图像信号处理器之前先通过数字信号处理器对至少一张曝光度不同的图像进行HDR合成处理，不占用CPU资源，处理速度快，可以显著提高图像处理的效果与速度，用户体验好。
图像处理方法移动终端存储介质

[发明专利]图像生成方法及装置-CN202010590638.0有效
发明人：武隽 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04N23/70 文献下载
摘要：本公开是关于一种图像生成方法及装置，该图像生成方法应用于图像信号处理器；该方法可以包括：向图像传感器发送曝光控制指令，所述曝光控制指令用于指示所述图像传感器进行多次曝光处理，且所述图像传感器和/或所述图像传感器对应的镜头在相邻曝光处理之间的曝光间隙内进行位置调整；对所述图像传感器返回的基于所述多次曝光处理得到的多个图像进行合成处理，以生成合成后图像。
图像生成方法装置

[发明专利]图像处理方法及装置-CN201810662713.2在审
发明人：陈文敬 -专利权人：北京蜂盒科技有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理方法及装置，涉及曝光处理领域。本发明主要解决了现有技术无法通过SOC芯片处理复杂环境下面部影像的曝光问题。本发明的方法包括：根据图像的曝光值获取对应的阈值条件；判断所述图像的灰度值是否满足所述阈值条件；若满足所述阈值条件，则根据第一曝光参数处理所述图像；若不满足所述阈值条件，则根据第二曝光参数处理所述图像。本发明可广泛应用于对图像进行曝光处理的场景。
阈值条件图像曝光参数曝光处理复杂环境图像处理曝光下面部灰度影像场景应用

[发明专利]曝光描绘装置及曝光描绘方法-CN201380010638.7有效
发明人：桥口昭浩;菊池浩明;吉川武志 -专利权人：株式会社阿迪泰克工程
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。所述曝光描绘装置具备：曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案；计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数；判定单元，判定曝光单元的曝光处理中利用计数单元计数出的粒子数是否是基于与电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及附加单元，在由判定单元判定为是阈值以上的情况下，对被曝光基板附加预先规定的信息。
曝光描绘装置方法

[发明专利]一种视频处理方法及装置-CN200910135223.8有效
发明人：陈海;柳海波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H04N5/243 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种视频处理方法，包括：将当前处理帧分为顶场和底场，对所述顶场和底场分别进行场曝光，得到曝光顶场和曝光底场，所述顶场和底场的场曝光时间不同；对所述曝光顶场和曝光底场进行去隔行技术处理，得到两个重构的曝光帧；对所述两个重构的曝光帧进行图像增强处理，得到当前处理帧的图像。本发明实施例采用将场曝光技术和去隔行技术相结合，在不改变现有相机的框架的情况下增强输出视频的动态范围，保持输出视频的原有帧率，由于不同曝光时间的顶场和底场各自记录了亮区和暗区的细节，通过去隔行处理后得到的帧能够同时表现出亮区和暗区的细节
一种视频处理方法装置

[实用新型]工业废水处理系统-CN201920586046.4有效
发明人：魏鑫;吴健 -专利权人：湖北博涛节能环保科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C02F9/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业废水处理系统，包括残渣回收池和曝光池组，所述残渣回收池的一侧外壁设置有进液管，且残渣回收池的底端外壁设置有出液管，所述出液管和曝光池组相连接，且曝光池组包括第一曝光池和第二曝光池，所述第一曝光池和第二曝光池的外壁均通过螺栓固定有循环泵，且第一曝光池和第二曝光池的相对一侧外壁之间通过管道相连接。本实用新型通过过滤工业残渣进行回收，通过抽样和添加沉淀絮凝剂并曝光形成团状多孔物质吸附废水杂质，通过臭氧对水质进行处理，废水处理后进行内部循环消耗，减少废水外排和资源浪费，整体的处理过程减少化学处理步骤，循环次数较多，实际效果贴近化学处理效果。
曝光残渣回收池组本实用新型出液管外壁工业废水处理系统化学处理步骤沉淀絮凝剂底端外壁多孔物质废水处理废水外排工业残渣化学处理螺栓固定内部循环实际效果外壁设置进液管循环泵臭氧团状吸附过滤废水抽样水质消耗回收

[发明专利]图像处理方法和图像处理器-CN201410437786.3有效
发明人：牛海军;彭晓峰;朱洪波;张乐;王浩 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明提供一种图像处理方法和图像处理系统。所述图像处理方法包括：获取单幅图像，所述单幅图像包括多个具有第一曝光时间的第一曝光部分和多个具有第二曝光时间的第二曝光部分，所述第一曝光部分和所述第二曝光部分相互间隔分布，所述第一曝光时间不等于所述第二曝光时间；以及，对所述第一曝光部分进行第一处理，所述第一处理包括：确定一个第一曝光部分为第一区域，以及与所述第一区域相邻的两个第二曝光部分为第二区域和第三区域，根据所述第二区域和所述第三区域中像素的像素值，对所述第一区域中对应像素的像素值进行修正
图像处理方法处理器

[发明专利]浸润式光刻的方法及其处理系统-CN201110461339.8有效
发明人：张庆裕;游大庆;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。
浸润光刻方法及其处理系统

[发明专利]浸润式光刻的方法及其处理系统-CN200610100019.9无效
发明人：张庆裕;游大庆;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。
浸润光刻方法及其处理系统

[实用新型]一种医药化工中间体生产废水处理设备-CN201721107008.3有效
发明人：陈红斌;祝金玲;黄素玉 -专利权人：江西国化实业有限公司
申请日： 2017-08-26 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C02F1/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医药化工中间体生产废水处理设备，包括第一曝光室、曝光管和第二曝光室，所述第一曝光室的顶部设置有排入管，所述第一曝光室内部对应排入管的末端设置有翻动装置，所述曝光管对应翻动装置固定安装在第一曝光室内顶部，所述第一曝光室的侧边通过输出管与第二曝光室侧边相通连接，所述第二曝光室内部对应输出管的末端设置有分布板，所述第二曝光室内部顶部对应分布板设置有曝光管二，所述第二曝光室底部设置有残渣分离板。该医药化工中间体生产废水处理设备，曝光效果好，有效提高对医药化工产生废弃液体分解处理的效果，降低医药化工中间体生产对环境造成的破坏。
一种医药化工中间体生产废水处理设备

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN02121803.X无效
发明人：藤泽忠仁;浅野昌史;出羽恭子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法,在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后,把曝光量及聚焦位置设定为预定值,使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩模,对抗蚀剂膜进行曝光处理,在其上形成与监视标记相对应的潜影,再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后,进行显影处理,在曝光处理后,根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果,求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方,并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方,根据所算出的差,来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。
半导体器件制造方法