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[发明专利]用于叠层集成电路的双面互连CMOS-CN201180018782.6有效
发明人： A·钱德雷萨卡兰;B·亨德森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：叠层集成电路（IC）可以将第二层晶片联结到双面的第一层晶片的方式来制造。该双面的第一层晶片包括该晶片正面和反面上的后端制程（BEOL）层。第一层晶片内的延伸触点连接正面和反面BEOL层。延伸触点延伸穿过第一层晶片的结。第二层晶片通过该延伸触点耦合到第一层晶片的正面。附加触点将第一层晶片内的器件耦合到正面BEOL层。在叠层IC中使用双面晶片时，可降低该叠层IC的高度。叠层IC可包括功能等同的各晶片或功能不同的各晶片。
用于集成电路双面互连 cmos

[发明专利]用于叠层集成电路的双面互连CMOS-CN201510373346.0有效
发明人： A·钱德雷萨卡兰;B·亨德森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开了用于叠层集成电路的双面互连CMOS。叠层集成电路(IC)可以将第二层晶片联结到双面的第一层晶片的方式来制造。该双面的第一层晶片包括该晶片正面和反面上的后端制程(BEOL)层。第一层晶片内的延伸触点连接正面和反面BEOL层。延伸触点延伸穿过第一层晶片的结。第二层晶片通过该延伸触点耦合到第一层晶片的正面。附加触点将第一层晶片内的器件耦合到正面BEOL层。在叠层IC中使用双面晶片时，可降低该叠层IC的高度。叠层IC可包括功能等同的各晶片或功能不同的各晶片。
用于集成电路双面互连 cmos

[发明专利]晶片与晶片之间的对准方法-CN201310269592.2有效
发明人：孟鸿林 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片与晶片之间的对准方法，步骤包括：1）在第一层晶片上形成薄氧化层；2）在第一层晶片边缘形成对准标记；3）在第一层晶片上进行正常工艺步骤，形成所需集成电路图形；4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；5）在第一层晶片上键合第二层晶片，并使第一层晶片上的对准标记有效露出；6）涂布正光刻胶，去除超出第二层晶片范围的光刻胶，将第二层晶片对准第一层晶片上露出的对准标记。本发明通过将对准标记排布在第一层晶片边缘，然后在两层晶片键合后，通过减小、减薄第二层晶片，将第一层晶片上的对准标记露出来，实现了两层晶片之间的有效对准，不仅简化了晶圆键合后的对准步骤，提高了对准的精度，
晶片之间对准方法

[发明专利]移除阻挡层后的无晶片自动清洗-CN200510076202.5有效
发明人： X·S·姚;B·－M·殷;T·韩;P·勒温哈德特 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供用于在电介质层上形成特征、并且为多个晶片打开阻挡层、以及在处理并移除多个晶片中的各晶片之后清洗蚀刻室的方法。将多个晶片中的晶片放入蚀刻室中，其中在晶片上有阻挡层，并且在阻挡层上有电介质层。蚀刻电介质层。打开阻挡层。从蚀刻室移除晶片。提供没有晶片的蚀刻室的无晶片自动清洗。无晶片自动清洗包括给蚀刻室提供包括氧气和氮气的无晶片自动清洗气体，以及从无晶片自动清洗气体形成无晶片自动清洗等离子体以清洗蚀刻室。
阻挡晶片自动清洗

[发明专利]无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构及方法-CN202211465142.6在审
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人：南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构，包括塑封料、晶片和重布线层；多颗晶片分为大晶片和小晶片；大晶片正面的焊盘处都有多个高凸点，各个高凸点的顶部与重布线层顶面的对应金属触点连接；大晶片的正面与重布线层之间有间隙，小晶片在间隙内；大晶片的正面和小晶片的正面相对，小晶片正面与大晶片正面的对应焊盘连接；塑封料封住小晶片；大晶片的高凸点的顶端露出于塑封料；重布线层分布在塑封料的顶面；大晶片在重布线层上的投影与重布线层重合，则塑封料的侧面与重布线层的侧面以及大晶片的侧面齐平，构成扇入型封装结构；大晶片在重布线层上的投影在重布线层的范围内，则塑封料的侧面与重布线层的侧面齐平，构成扇出型封装结构。
tsv 无基板多晶堆叠晶圆级封装结构方法

[发明专利]一种延长节能灯具使用寿命的复合晶片及其制备方法和应用-CN201110101447.4无效
发明人：廖炎红;廖恩红 -专利权人：廖炎红;廖恩红
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明公开了一种延长节能灯具使用寿命的复合晶片及其制备方法和应用。复合晶片包括引脚、封装层、电极层和复合晶片层，复合晶片层包括第一晶片层和第二晶片层，复合晶片的制备方法包括将第一晶片层和第二晶片层两种混合配方材料经过预处理、成型、烧结、被电极等工艺形成层叠结构，再经切片和封装而成将本发明的复合晶片并联在节能灯具的谐振电容两端，延长节能灯具使用寿命。
一种延长节能灯具使用寿命复合晶片及其制备方法应用

[实用新型]一种半导体芯片-CN201920214620.3有效
发明人：李志雄;程振 -专利权人：深圳市江波龙电子股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片，该半导体芯片，包括基板、第一晶片层、第二晶片层以及第三晶片层，第一晶片层和第二晶片层位于基板的同一侧表面上，第三晶片层位于第一晶片层远离基板的一侧，第三晶片层中并列设置有至少两个第三晶片，从而在生产加工过程中，保证第三晶片的数量的同时，可以不用对其进行堆叠设置，便于生产加工，提升产品的良率且降低第三晶片层的厚度，减少生产成本。另外，由于第三晶片并列设置，降低了第三晶片层的厚度，可以设置更多的第三晶片层，从而能够提升半导体芯片的存储容量。
晶片层半导体芯片基板晶片并列设置生产加工存储容量堆叠设置良率生产成本申请保证

[实用新型]一种晶片吸盘及晶片吸附装置-CN201721874475.9有效
发明人：潘相成;严学飞 -专利权人：常州市好利莱光电科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片加工领域，具体而言，涉及一种晶片吸盘及晶片吸附装置。晶片吸盘包括背胶、树脂板、用于吸附晶片的纤维层，背胶与树脂板连接，纤维层与树脂板远离背胶的一侧连接，纤维层远离树脂板的一面为平面。晶片放置于纤维层，纤维层对晶片的吸附力能够将晶片进行固定，使晶片被加工的过程中不会移动或者滑落。纤维层远离树脂板的一面为平面。晶片平铺于纤维层表面即可，纤维层表面不会限制晶片的形状和尺寸大小，因此，同一个晶片吸盘可以适用于多种不同尺寸大小、不同形状的晶片，晶片吸盘不对晶片的形状和尺寸大小限制的同时，也不对晶片的厚度进行限制，很大程度地增加了晶片吸盘的通用性
晶片纤维层树脂板晶片吸盘背胶吸盘纤维层表面晶片吸附种晶本实用新型大小限制晶片放置晶片加工吸附晶片吸附力滑落平铺移动加工

[发明专利]晶片叠层体、器件晶片及承载晶片的粘合及剥离处理方法-CN201310462164.1无效
发明人：蔡成芫;徐荣得;安兴基;太景燮;金光武 -专利权人：怡诺士有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及包含接合于如承载晶片等支撑体上的器件晶片的叠层体、上述承载晶片和器件晶片的粘合及剥离方法，更为详细地，涉及一种无上述器件晶片的损伤地能够进行粘合及剥离处理的叠层体，包括：器件晶片；保护层，其形成于上述器件晶片的一面；承载晶片，其用于支撑上述器件晶片；填充层，其形成于上述承载晶片的一面；以及光分解层，其形成于上述填充层上的一部分，与上述保护层相接触，来使器件晶片与承载晶片临时接合。
晶片叠层体器件承载粘合剥离处理方法

[实用新型]一种内置IC的两极彩色RGB灯珠-CN202122495556.0有效
发明人：柯志强 -专利权人：江门市迪司利光电股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内置IC的两极彩色RGB灯珠，其包括支架，支架上设有被绝缘体围住形成的围坝，围坝内设有支架负极层、支架正极层、G晶片、R晶片、B晶片和控制芯片，G晶片、R晶片、B晶片和控制芯片均设置在支架正极层上；控制芯片具有VDD接口、GND接口、G晶片接口、R晶片接口和B晶片接口；G晶片的正极与支架正极层电连接，G晶片的负极与G晶片接口电连接；R晶片的正极与支架正极层电连接，R晶片的负极与R晶片接口电连接；B晶片的正极与支架正极层电连接，B晶片的负极与B晶片接口电连接；VDD接口与支架正极层电连接；GND接口与支架负极层电连接。
一种内置 ic 两极彩色 rgb 灯珠

[发明专利]晶片承载结构和料盘-CN202110379655.4在审
发明人：郎欣林;罗会才;闫静 -专利权人：深圳市丰泰工业科技有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，公开了一种晶片承载结构和料盘。晶片承载结构包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至5％。利用本发明实施例提供的晶片承载结构，通过粘接层对晶片进行粘接，在转移晶片承载结构时，晶片承载结构上的晶片不容易发生位移，且在后续将目标晶片从晶片承载结构上剥离时，可以仅针对目标晶片进行剥离，而不会影响到其他不需要剥离的晶片
晶片承载结构

[实用新型]晶片承载结构和料盘-CN202120727267.6有效
发明人：郎欣林;罗会才;闫静 -专利权人：深圳市丰泰工业科技有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体设备技术领域，公开了一种晶片承载结构和料盘。晶片承载结构包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至5％。利用本实用新型实施例提供的晶片承载结构，通过粘接层对晶片进行粘接，在转移晶片承载结构时，晶片承载结构上的晶片不容易发生位移，且在后续将目标晶片从晶片承载结构上剥离时，可以仅针对目标晶片进行剥离，而不会影响到其他不需要剥离的晶片
晶片承载结构

[发明专利]半导体封装与其制造方法-CN201611225737.9有效
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装与其制造方法，半导体封装包含封装基板、第一半导体晶片、第二半导体晶片与上中介层。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板上。上中介层电性连接至第一半导体晶片与第二半导体晶片。第一半导体晶片与第二半导体晶片置于封装基板与上中介层之间。因上中介层连接半导体晶片，使得一个半导体晶片可通过上中介层而电性连接至另一个半导体晶片。亦即，上中介层在半导体晶片之间提供晶片至晶片的连接。
半导体封装与其制造方法

[发明专利]用于电镀工艺的晶片支撑装置和使用该装置的方法-CN200580048332.6有效
发明人： C·伍兹 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在半导体晶片(“晶片”)上执行电镀工艺的多层晶片支撑装置。这种多层晶片支撑装置包括底薄膜层和顶薄膜层。底薄膜层包括晶片放置区域和包围晶片放置区域的牺牲阳极。顶薄膜层被限定成放置在底薄膜层之上。顶薄膜层包括定位在待处理，即待电镀晶片的表面之上的敞开区域。顶薄膜层提供了在顶薄膜层和晶片之间围绕敞开区域的周边设置的液封。顶薄膜层还包括第一电路和第二电路，它们各自被限定围绕晶片在沿直径相对的位置上与晶片的周边顶面形成电接触。
用于电镀工艺晶片支撑装置使用方法

[发明专利]装卸器晶片移除-CN201480060788.3有效
发明人：党兵;S·H·尼克尔伯克尔;小道格拉斯·C·拉图利佩;S·斯科尔达斯;C·K·曾;K·R·温斯特尔 -专利权人：格罗方德半导体股份有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种移除装卸器晶片的方法。提供装卸器晶片和具有多个半导体装置的半导体装置晶片，该半导体装置晶片具有有源表面侧和无源表面侧。对装卸器晶片的表面施加非晶碳层。对装卸器晶片的非晶碳层和半导体装置晶片的有源表面侧中的至少一个施加粘合层。装卸器晶片通过一个或者多个粘合层接合至半导体装置晶片。对装卸器晶片施加激光辐射以引起非晶碳层的加热，该非晶碳层的加热进而引起一个或者多个粘合层的加热。随后使半导体装置晶片的多个半导体装置从装卸器晶片分离。
晶片装卸器半导体装置非晶碳层粘合层加热源表面施加表面施加激光辐射晶片分离晶片移除无源表面接合移除

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