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[发明专利]基于辅芯片打线中转的Hybrid封装方法-CN202310662973.0在审
发明人：徐华云;韩明伟;马强 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种基于辅芯片打线中转的Hybrid封装方法，步骤包括：（一）晶圆正背面RDL制程：1.1）晶圆制造厂晶圆来料；1.2）对晶圆背面的硅层进行研磨；1.3）将晶圆正面朝下贴在载板上；1.4）在晶圆背面的硅层表面制作背面重布线层及相应的焊盘；1.5）去除晶圆正面的载板；1.6）在晶圆的正面制作正面重布线层，并在正面重布线层表面制作金属凸点；1.7）去除载板，切割晶圆得到底层晶片。（二）后道封装：2.1）取底层晶片作为主芯片，把主芯片正面朝下贴到基板上；2.2）取辅芯片贴到主芯片背面上；辅芯片正面的触点连接于第二焊盘；2.3）同组的第一焊盘打线连接于基板上的相应焊盘；2.4）封装料包裹构成封装结构。
基于芯片中转 hybrid 封装方法

[实用新型]减小底部填充胶溢胶范围的小尺寸Hybrid封装结构-CN202320932758.3有效
发明人：徐华云;韩明伟;马强 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种减小底部填充胶溢胶范围的小尺寸Hybrid封装结构，包括基板和至少一个晶片，基板底面有多个焊球，基板顶面有多个焊盘，焊球与相应焊盘导通；塑封料覆盖于基板表面，晶片以及晶片与基板之间的连接结构包裹在塑封料内。对于紧邻基板的晶片：在基板顶面开有凹槽，晶片在凹槽内，且凹槽的范围大于晶片在基板顶面的投影区域；基板顶面的且与晶片的金属凸点相应的焊盘在凹槽底面；Underfill胶层满铺于凹槽底面。本封装结构可以有效限制Underfill胶的溢胶范围，进而可以减小结构尺寸以及提升键合线的支撑能力。
减小底部填充胶溢胶范围尺寸 hybrid 封装结构

[实用新型]优化爬胶缺陷的芯片装片结构-CN202320427676.3有效
发明人：徐华云;韩明伟;马强 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种优化爬胶缺陷的芯片装片结构，包括框架和晶片；晶片的侧壁表面有切割道残留层；晶片的底面与框架表面之间是装片胶粘结层，装片胶粘结层的装片胶从晶片的底面溢出并爬附于切割道残留层表面。切割道残留层的形状为：在切割道残留层表面有凸台结构，凸台结构伸出于晶片侧壁；凸台结构顶面低于晶片顶面，且二者的高度差为Δh；爬附于切割道残留层表面的装片胶包裹凸台结构的表面构成装片胶层，且凸台结构的顶面覆盖的装片胶层的高度低于Δh。本结构结构中，晶片的侧边形成了一个突出的台阶，阻碍了胶水上爬，减小了胶水爬到晶片DIE表面的风险，提升了产品的封装良率、终检FT测试良率，以及产品的可靠性。
优化缺陷芯片结构

[发明专利]一种多晶片同步装片方法-CN202310330982.X在审
发明人：徐华云;韩明伟;马强 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种多晶片同步装片方法，首先改造机台：加长机台的导轨；在机台上安装多套装片设备，每套装片设备包括点胶装置、晶圆安放台和抓贴一体装置；沿基板前进方向，导轨被分成点胶作业区和装片作业区；点胶装置用于把固化装片粘结材料点涂到基板上；晶圆安放台用于安放晶圆；抓贴一体装置在相应晶圆上抓取晶片die，再安放到基板上相应的点胶位置；然后重新制定导轨前进控制逻辑：如果所有工位都有基板在作业，则所有工位的基板完成相应作业后，导轨宏步进一次；如果有工位没有基板在作业，则所有的有基板在作业的工位完成作业后，导轨宏步进一次；接着各套装片设备进行装贴作业：对于一种晶片die，由同一套装片设备作业；最后进行烘烤作业。
一种多晶同步方法

[实用新型]避免芯片封装注塑冲线的堆叠集成封装结构-CN202223098321.9有效
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种避免芯片封装注塑冲线的堆叠集成封装结构，包括封装基板和塑封料；封装基板的底面分布有焊球；在封装基板的顶面装配有晶片；晶片的键合线依序焊接于封装基板顶面的金属布线焊盘上，封装基板顶面的金属布线和封装基板的底面外的焊球连接；塑封料覆盖于封装基板表面，晶片以及封装基板的金属布线包裹在塑封料内。在晶片的表面覆盖有固化的树脂层，晶片以及晶片的键合线包裹于树脂层内。晶片有一组或多组，每组晶片有多个；同组的多个晶片中，各个晶片从下到上依次堆叠，且在下的晶片的表面积大于在上的晶片的表面积。本封装结构可以避免键合线在注塑阶段被冲下榻、碰线等问题，有助于提升产品良率。
避免芯片封装注塑冲线堆叠集成结构

[实用新型]短打线长度的芯片封装结构-CN202223098353.9有效
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种短打线长度的芯片封装结构，包括封装基板、晶片和塑封料；晶片安装于封装基板顶面，塑封料覆盖于封装基板表面，晶片被塑封料封装。还包括中转连接结构；中转连接结构位于晶片旁；在中转连接结构上分布有多根独立导线，每根导线的一端靠近晶片，另一端靠近封装基板的顶面布线的焊盘；晶片的键合线连接于对应中转连接结构上的对应导线的一端，导线的另一端通过键合线连接于封装基板的顶面布线的对应焊盘。晶片有一组或多组；每组晶片有一个或多个。本封装结构有效降低了打线长度和线弧高度，避免了注塑冲线风险。
短打长度芯片封装结构

[发明专利]无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构及方法-CN202211465142.6在审
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构，包括塑封料、晶片和重布线层；多颗晶片分为大晶片和小晶片；大晶片正面的焊盘处都有多个高凸点，各个高凸点的顶部与重布线层顶面的对应金属触点连接；大晶片的正面与重布线层之间有间隙，小晶片在间隙内；大晶片的正面和小晶片的正面相对，小晶片正面与大晶片正面的对应焊盘连接；塑封料封住小晶片；大晶片的高凸点的顶端露出于塑封料；重布线层分布在塑封料的顶面；大晶片在重布线层上的投影与重布线层重合，则塑封料的侧面与重布线层的侧面以及大晶片的侧面齐平，构成扇入型封装结构；大晶片在重布线层上的投影在重布线层的范围内，则塑封料的侧面与重布线层的侧面齐平，构成扇出型封装结构。
tsv 无基板多晶堆叠晶圆级封装结构方法

[发明专利]无键合线、无硅通孔的MCM封装结构、设计及加工方法-CN202211465134.1在审
发明人：徐华云;韩明伟 -专利权人： 南京真芯润和微电子有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种无键合线、无硅通孔的MCM封装结构，包括封装基板、晶片和封装料，晶片和封装基板进行物理连接以及电连接后，由封装料包裹构成封装结构。晶片有多个，它们分为上层晶片和下层晶片；上层晶片和下层晶片的正面都朝下；上层晶片与封装基板之间留有间隙，下层晶片的位置在间隙内；上层晶片正面的焊盘处都有多个高凸点，上层晶片与封装基板的顶面焊盘通过高凸点连接；下层晶片正面的焊盘处都有多个矮凸点，下层晶片与封装基板的顶面焊盘通过矮凸点连接。本发明可以减小封装厚度与尺寸，提升高速高频信号的传输性能，降低了封装成本与工艺难度。
无键合线无硅通孔 mcm 封装结构设计加工方法

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