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[发明专利]晶圆背封结构及制造方法-CN202111070680.0在审
发明人：陶磊;王厚有;周成;冯永波 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆背封结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底为重掺杂衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面上形成有外延层；在所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上形成保护层；在所述衬底的第二表面形成晶圆背封结构；去除所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上的保护层。进一步的所述晶圆背封结构采用热氧化工艺生成，由于晶圆背封结构采用热氧化工艺，需要消耗衬底生长的晶圆背封结构，致密性高，在后续进行炉管工艺时，避免了晶圆背封结构脱落的问题；同时由于在形成晶圆背封结构时，衬底上第一表面的外延层被保护层保护
晶圆背封结构制造方法

[发明专利]一种降低晶圆误剥离的方法-CN201711278281.7有效
发明人：王强兵 -专利权人：英特尔产品（成都）有限公司;英特尔公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种降低不期望的存储器晶圆剥离的方法，包括：利用背磨胶带机将背磨胶带施加到存储器晶圆的正面；切割所施加的背磨胶带以使得在晶圆的背面被减薄之后所述背磨胶带不超出晶圆的边缘；将DAF胶带附着到所述晶圆的背面，所述DAF胶带包括粘片膜；利用加热头将热封胶带机拉出的一段热封胶带印到所述背磨胶带的边缘上；并且利用夹持器向上拉所述热封胶带以便将与所述热封胶带粘合的背磨胶带从所述晶圆剥离。其中，利用加热头将热封胶带机拉出的一段热封胶带印到所述背磨胶带的边缘上还可以包括：利用夹持器夹持所述一段热封胶带的一端；利用力矩马达来向所述一段热封胶带的另一端施加拉伸力，以使得加热头将热封胶带印到所述背磨胶带的边缘上时所述热封胶带不与所述
热封胶带胶带晶圆加热头存储器剥离施加拉出粘片背面夹持器夹夹持器胶带机拉伸力膜接触粘合附着减薄马达切割期望

[发明专利]一种去除晶圆背封的方法及装置-CN202111576216.9在审
发明人：王莹莹;宋健;刘跃;宋振伟;张守龙;金新;苏亚青 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括：在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40％～50％的环形范围；在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3％～5％的环形范围。使用本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，可以实现晶圆背封的去除，且无残留和缺陷产生。
一种去除晶圆背封方法装置

[发明专利]一种晶圆背封膜下亚表面缺陷检测系统及其方法-CN202210794689.4在审
发明人：郑叶龙;邬启帆;赵美蓉;黄银国 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背封膜下亚表面缺陷检测系统及其方法，所述检测系统包括：检测黑箱，用于放置检测平台与检测终端，并屏蔽外界环境噪声与杂散光对检测结果的影响；检测平台，用于将待检测晶圆移动至预定检测位置，进行晶圆背封膜下亚表面缺陷检测；检测终端，用于控制待检测晶圆的上下料运动，并以可视化形式反馈晶圆背封膜下亚表面缺陷检测结果；本发明具有检测速度快、缺陷识别率高的优点。
一种晶圆背封膜下亚表面缺陷检测系统及其方法

[发明专利]一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺-CN201210534625.7无效
发明人：李满;李家友;齐呈跃;王玮;刘沛然 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺。其步骤是：一、采用背封机，利用常压化学气相沉积法制备二氧化硅薄膜；二、利用半导体制造中的热退火制程对带有二氧化硅的晶圆片进行退火；三、最后利用划磨式或手贴膜式去除氧化膜的方法去除晶圆片正面及边缘的氧化层本发明利用半导体制造中的热退火制程加固传统的CVD沉积单晶硅晶圆片背封薄膜材料，从而改善了传统化学气相沉积背封工艺的致密性，能够满足重掺磷单晶硅晶圆片厚层外延过程的需要。该技术可行性高，实用性强，是适用于大规模工业生产的晶硅晶圆片背封技术。
一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密二氧化硅工艺

[发明专利]一种晶圆背封表面贴付防酸胶带的方法-CN202310338677.5在审
发明人：李传玉;刘强 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造领域，公开了一种晶圆背封表面贴付防酸胶带的方法。本发明所提供的方法包括，在胶带贴付机吸盘上粘贴防护垫，将晶圆的正面面朝胶带贴付机吸盘进行固定放置，使用胶带贴付机将防酸胶带压附在晶圆背面。通过在吸盘与晶圆正面之间增加防护垫的方式，有效降低了晶圆背封表面贴付防酸胶带制程中，晶圆正面发生损伤和凹坑不良的现象，有效降低了晶圆的报废成本。
一种晶圆背封表面贴付防酸胶带方法

[发明专利]晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法-CN201911042547.7在审
发明人：张召;张继亮;金新 -专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆背封结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该晶圆背封结构，包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层；所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方；所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方；所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方；解决了酸洗工艺中现有的晶圆背封结构中LTO层容易被去除，导致重掺杂离子析出的问题；达到了防止酸洗工艺后晶圆背封结构被破坏而析出杂质，避免出现交叉污染影响器件性能的效果。
氧化膜层背封多晶硅膜层重掺杂晶圆析出酸洗工艺衬底半导体制造领域影响器件性能交叉污染种晶去除离子申请制造

[发明专利]晶圆背封薄膜边缘去除宽度的检测系统及检测方法-CN202011235448.3在审
发明人：邹亚辉;徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆背封薄膜边缘去除宽度的检测系统及检测方法，所述检测系统包括：晶圆承载结构，包括基座和可旋转的设置于基座上的承载台；图像获取结构，用于在承载台带动晶圆以预设速度旋转一周的过程中，以预设频率获得多个晶圆边缘的图像；图像处理结构，包括第一图像处理单元和第二图像处理单元，第一图像处理单元用于对图像获取结构获取的晶圆边缘的图像进行二值化处理，以获取每个晶圆边缘的图像中的背封薄膜边缘的第一位置信息和晶圆边缘的第二位置信息，第二图像处理单元用于根据第一位置信息和第二位置信息获得背封薄膜边缘的去除宽度；第二图像处理结构，根据去除宽度是否位于预设范围内判断背封薄膜边缘去除是否符合标准。
晶圆背封薄膜边缘去除宽度检测系统方法

[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构-CN201510413571.2有效
发明人：冯光建;靖向萌 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构，它包括以下步骤在CIS晶圆的正面键合上负载晶圆，以负载晶圆做支撑将CIS晶圆的背面减薄，在已经减薄的CIS晶圆的背面做上滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面的边缘位置用第一粘结胶进行覆盖，在该封闭环形内用第二粘结胶进行涂布，在第二粘结胶和第一粘结胶的背面键合上封盖；以封盖做支撑将负载晶圆减薄，并在已经减薄的负载晶圆内做出导电柱，在导电柱的上端部沉积出导电层；去除第一粘结胶的粘性，使CIS晶圆和封盖分离，清洗CIS晶圆和封盖以除去第二粘结胶，最后进行切割，得到背照式图像传感器的晶圆级封装结构。本发明减小了封装片的厚度并可以使封盖重复利用。
一种背照式图像传感器晶圆级封装工艺及其结构

[发明专利]晶圆自制背封结构的制造方法-CN202011319117.8有效
发明人：闫玉琴;王柯;程刘锁;白旭东;范晓;王函 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆自制背封结构的制造方法，包括如下步骤：步骤S1，在晶圆的背面生长第一薄膜层；步骤S2，将所述晶圆旋转一角度，使旋转后的所述晶圆和晶舟的接触处与旋转前的所述晶圆和晶舟的接触处不重合；步骤S3，在所述晶圆的背面生长第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层组成背封结构。本发明从减少应力集中的角度出发，将现有技术中一步生长背封结构的方式改进为分步生长的方式，并且在第一次生长之后将晶圆进行旋转，从而使得两次生长中晶圆和晶舟的接触处(即晶舟支撑脚在晶圆上的位置)不同，这样可以减小支撑脚处所受的应力强度
自制结构制造方法

[发明专利]一种在单晶硅晶圆上实现高速率沉积SiO₂薄膜的背封工艺-CN201210508385.3有效
发明人：刘建伟;齐呈跃;黄建国;李家友 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种在单晶硅晶圆上实现高速率沉积SiO2薄膜的背封工艺，通过增大气体流量的方式增大反应气体的压强，使反应腔室内反应气体的浓度增加，反应产物SiO2的浓度相应增加,通过周边吹扫氮气形成U形氮气墙，使反应区域压强积累，实现在单晶硅晶圆表面高速沉积SiO2薄膜；发明的优点是：通过高速率沉积背封工艺制备单晶硅晶圆背封材料，其设备简单，制程温度低，沉积速度快，沉积速率能达到3575nm/min，保持沉积精度高，边缘氧化膜去除相对简单，适用于大规模工业生产的制备单晶硅晶圆背封。
一种单晶硅晶圆上实现速率沉积 sio sub 薄膜工艺

[发明专利]具有背封层的结构及其制备方法与半导体结构的制备方法-CN202210988631.3在审
发明人：张延鲁 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有背封层的结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆包括掺杂层；形成包覆晶圆正面、背面及侧面的氧化物层；于氧化物层表面依次形成氮化硅层及多晶硅层；再依次去除晶圆正面的多晶硅层、氮化硅层及氧化物层；本发明的具有背封层的结构在后续工艺中可减少颗粒状副产物的产生及自掺杂反应的发生，减少晶圆在电子卡盘表面的吸附异常及晶圆工艺过程中发生的微观充放电造成器件损伤的现象。本发明还提供一种半导体结构的制备方法，基于上述具有背封层的结构的正面生长外延膜层，该外延膜层还顺着多晶硅层表面生长并覆盖多晶硅层、氮化硅层及氧化硅层的刻蚀界面，可进一步减少自掺杂或颗粒状副产物的产生。
具有背封层结构及其制备方法半导体

[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构-CN201811026716.3有效
发明人：罗海龙;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆以及键合于器件晶圆上的多个第一芯片，器件晶圆上具有覆盖第一芯片的第一封装层，第一芯片包括形成有第一焊盘的芯片正面以及与芯片正面相背的芯片背面，芯片正面朝向器件晶圆；刻蚀第一封装层，形成露出至少一个第一芯片的第一开口，且第一开口露出的芯片背面适于加载信号；形成覆盖第一开口露出的第一芯片、第一开口底部和侧壁、以及第一封装层顶部的金属层结构；对芯片背面和金属层结构进行合金处理，使芯片背面的金属层结构作为背金层；形成覆盖背金层和金属层结构的第二封装层。本发明在芯片背面形成背金层，作为第一芯片的背面电极，从而根据实际工艺需求对芯片背面加载信号。
晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种晶圆后处理装置-CN202211359255.8有效
发明人：徐俊成;刘效岩;王鹏;张美美;刘丰迪 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了晶圆后处理装置，其包括：夹持盘，其水平夹持晶圆；背喷组件，其同轴设置于夹持盘的中间位置；所述背喷组件包括喷头和连接于喷头下部的支撑轴，所述支撑轴为中空结构，支撑轴的内部设置有供给管路；驱动电机，其与夹持盘连接，以带动夹持盘及其上的晶圆旋转；所述背喷组件与夹持盘之间设置有间隙，所述背喷组件的外周壁配置有凹槽，使得旋转的夹持盘与所述背喷组件之间形成气封，以避免流体进入所述间隙。
一种晶圆后处理装置

[发明专利]防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构-CN201410078634.9有效
发明人：陶有飞;杨青森 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构，其中，该方法包括步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底系用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；在该半导体衬底的背面形成第一背封保护层，该第一背封保护层为正硅酸乙酯层；在该第一背封保护层的表面形成第二背封保护层。本发明在原背封保护层的基础上，增加一层新的较硬的背封保护层，避免了多次外延生长和其他工艺造成背封结构损伤，从而不会为下次外延生长提供生长核，杜绝了在晶圆片背面形成多晶颗粒。该新增的背封保护层在外延生长时，整个背面都可均匀地生长外延层，使衬底所在的晶圆片背面始终能够保持平整，不影响光刻等后续工艺，提升了良率和在线产量。
防止多层外延生长背面形成多晶颗粒方法结构

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