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[发明专利]一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法-CN202310677932.9有效
发明人：乔焜;陈治路 -专利权人：雅安宇焜芯材材料科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法，包括半导体制造外壳、半导体制造内腔、以及半导体制造下壳，其特征在于，半导体制造外壳和半导体制造内腔呈圆柱形壳体，半导体制造内腔设置于半导体制造外壳内部并与半导体制造外壳同轴心，半导体制造下壳设置于半导体制造外壳的底部、且与半导体制造内腔连通，半导体制造下壳用于收集制造半导体时产生的副产物；本发明的通过对半导体制造系统的重构设计以及生产方法的重新规制确保了设备的安全性、生产的半导体的质量
一种半导体制造系统及其提高质量方法

[发明专利]一种用于半导体制造的气体混合设备及混合方法-CN202010484448.0在审
发明人：徐康元;王桂磊;孔真真;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体制造的气体混合设备及混合方法，涉及半导体设备技术领域，能够降低多种气体在混合过程发生冷凝的几率，提高半导体制造工艺质量。该用于半导体制造的气体混合设备应用于半导体制造工艺，其包括气体混合容器以及设在气体混合容器上的第一加热装置。本发明提供的一种用于半导体制造的气体混合设备及混合方法用于半导体器件、半导体芯片制造。
一种用于半导体制造气体混合设备方法

[发明专利]半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件-CN201611254099.3有效
发明人：金基源;卢炯煜;尹钟声;洪元杓 -专利权人：韩国东海炭素株式会社
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件，根据本发明的一个实施例，提供半导体制造用部件的再生方法，其步骤包括：准备步骤，准备损伤的半导体制造用部件；第一清洗步骤，清洗所述损伤的半导体制造用部件；遮掩步骤，遮掩包括所述损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域中至少任何一个；再生部形成步骤，由化学汽相淀积法在所述损伤的半导体制造用部件形成再生部；后加工步骤，加工所述再生部形成的损伤的半导体制造用部件；及第二清洗步骤，清洗形成所述再生部的损伤的半导体制造用部件。
半导体制造部件再生方法装置

[发明专利]一种构建知识图谱用于半导体制造良率分析的方法及装置-CN202210346505.8在审
发明人：徐文丞;易丛文;夏敏 -专利权人：筏渡（上海）科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种构建知识图谱用于半导体制造良率分析的方法，包括：获取与半导体制造相关的目标数据；对所述目标数据进行知识抽取，获得与半导体制造相关的实体，以及其间的关系；以所述实体为节点，以关系为连接边，构建半导体制造相关的目标知识图谱；所述目标知识图谱用于对半导体良率进行分析和/或确定半导体良率对应的决策。本发明通过构建的目标知识图谱，实现了半导体制造领域中半导体良率分析和/或提升决策的智能化。
一种构建知识图谱用于半导体制造分析方法装置

[发明专利]晶圆组分配方法-CN201010203802.4有效
发明人：范安涛;陈波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆组分配方法，包括以下步骤：空闲半导体制造机台查找步骤，空闲半导体制造机台确定步骤，晶圆组占用空闲半导体制造机台资源计算步骤，空闲半导体制造机台优先级确定步骤和晶圆组分配步骤。根据本发明的方法可以有效解决现有技术无法有效地将各个晶圆组分配到车间中的各个空闲半导体制造机台上的问题，提高半导体制造机台的运行效率。可以有效地降低半导体制造机台的空闲几率，可以充分地发挥车间中的各个半导体制造机台的生产能力。有利于半导体制造厂商提高生产效率，提高半导体器件的产量并缩短生产时间。
组分配方

[发明专利]一种半导体制冷元件的制造工艺及元件-CN202010968013.3有效
发明人：余少非 -专利权人：上海商皓电子科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制冷元件的制造工艺及元件，属于热电体制冷器制造领域，该制造工艺使用刻蚀、光刻等制造工艺和大批量的并行制造过程，不需要组装、调整，能够有效地提高半导体制冷元件的生产效率，降低半导体制冷元件的体积，使得半导体制冷元件适应狭小的空间使用，同时可有效地控制热电材料的一致性，降低热膨胀因素的影响，使用安全稳定，能够有效地提高半导体制冷元件的工作效率。
一种半导体制冷元件制造工艺

[发明专利]时空耦合动态特性分析系统-CN201010242099.8无效
发明人：张洁;吴立辉;朱琼;张功 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：一种半导体制造系统技术领域的时空耦合动态特性分析系统，包括：GUI模块、信息预处理模块和时空耦合动态特性稳定阈值分析模块，本发明具有能够对半导体制造系统的时空耦合动态特性稳定阈值进行定量检测分析的功能，从而为半导体制造系统的控制提供决策依据，提高半导体制造系统的控制优化能力。
时空耦合动态特性分析系统

[发明专利]使用高维变量选择模型确定关键参数-CN201580065268.6有效
发明人：常炜;J·古铁雷斯;K·拉奥 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：高维变量选择单元从来自例如半导体检验工具或其它类型的半导体制造工具等半导体制造工具的传感器数据及参数工具测量值确定关键参数列表。举例来说，高维变量选择模型可为弹性网、前向逐阶段回归或最小角回归。所述关键参数列表可用于设计下一代半导体制造工具，用于使所述半导体制造工具返回到正常状态，用于使半导体制造工具的结果与另一半导体制造工具的结果相匹配，或用于开发所述半导体制造工具的规范。
使用变量选择模型确定关键参数

[发明专利]半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法-CN202180002514.9在审
发明人：荒卷彻;齐藤刚;米田健一郎;榎本祐治;堤贵志 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置
半导体装置制造系统以及方法

[发明专利]半导体制造装置、半导体制造装置的处理执行方法-CN202211434393.8在审
发明人：藤井洋路;国枝誉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06Q10/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于抑制将应作为操作对象的半导体制造装置搞错。本发明提供一种半导体制造装置，其具有：执行指示接受部，其接受对半导体制造装置进行的规定处理的执行指示，其中，所述规定处理是关于所述半导体制造装置的运转控制的处理；识别信息接受部，其接受所述半导体制造装置的识别信息的输入；和执行部，在预先设定于所述半导体制造装置中的所述半导体制造装置的识别信息与所述识别信息接受部所接受的所述半导体制造装置的识别信息相同的情况下，响应所述规定处理的执行指示来执行所述规定处理。
半导体制造装置处理执行方法

[发明专利]半导体制造工艺预测模型的训练方法与预测装置-CN202210070302.0在审
发明人：陈嘉纬;林京沛;邱崇益;陈德轩;陈明伟;杨小莹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：一种半导体制造工艺预测模型的训练方法、半导体制造工艺预测装置与半导体制造工艺的预测方法。半导体制造工艺预测模型的训练方法包括以下步骤。对多个样本进行半导体制造工艺。获得这些样本的多个制造工艺数据。依据这些制造工艺数据，筛选掉这些样本中具有至少一物理瑕疵的部分。依据筛选后的这些样本的这些制造工艺数据与这些电性量测数据，对半导体制造工艺预测模型进行训练。
半导体制造工艺预测模型训练方法装置

[实用新型]适用于半导体制造设备的废气处理系统及半导体制造设备-CN202123446469.2有效
发明人：杨春水 -专利权人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及废气处理领域，提供一种适用于半导体制造设备的废气处理系统及半导体制造设备。适用于半导体制造设备的废气处理系统包括若干封闭室，各封闭室内设置有真空泵和废气处理装置；排风管路，流体连通于封闭室；消防管路，流体连通于封闭室。该适用于半导体制造设备的废气处理系统能够节省建筑施工成本，还能够将废气处理装置产生的热量以及潜在的废气及时排走，能够火情进行及时的消除。降低了相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了半导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。
适用于半导体制造设备废气处理系统

[发明专利]半导体制造方法及设备-CN202310227794.4在审
发明人：何宜臻;廖志评;林建廷;杨杰颖;王伟民;廖克勋;林季勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： F16F15/02 文献下载
摘要：一种半导体制造方法及设备，半导体制造方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面
半导体制造方法设备

[发明专利]半导体制造系统-CN200410069765.7无效
发明人：纳谷英光;富吉力生 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以无缝处理涉及半导体的设计、制造以及检查信息的半导体制造系统，该半导体制造系统具有：把将涉及半导体的设计、半导体的制造及半导体的检查的所有信息，按照逻辑表现形式，赋予表示所述信息作用的元数据的范例作为类别进行表现存储的存储装置3000～3003；分别连接该存储装置3000～3003和半导体制造装置4000、4001以及半导体检查装置4002间的存储装置用网络2000。所述存储装置可以从所述半导体制造装置、半导体检查装置及半导体的设计环境进行无缝访问。
半导体制造系统

[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造工艺罐-CN201710244681.X在审
发明人：李昭荣;金贤洙;孙沂周;李根泽;洪琮沅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供半导体制造装置以及半导体制造工艺罐。一种半导体制造装置可以包括多个反应容器，该多个反应容器可以联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段，其中每个反应容器可以以不同于该多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料
半导体制造装置以及工艺

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