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[发明专利]石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用-CN201810176044.8有效
发明人：钱晓春;衡京;胡春青;翁云峰 -专利权人：常州强力电子新材料股份有限公司;常州强力先端电子材料有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用。该石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂包括石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、碱可溶性树脂、光聚合单体及光引发剂。上述干膜光致抗蚀剂中采用了石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯，因石墨烯具有低原子层厚度、较高的拉伸断裂伸长率和抗冲击强度，利用石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯能够极大提高干膜光致抗蚀剂的柔韧性、盖孔性和抗电镀性，使得本发明提供的干膜光致抗蚀剂能更好地应用在多层印刷线路板和微型印刷线路板的制备中。
石墨改性干膜光致抗蚀剂及其印刷线路板中的应用

[发明专利]半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法-CN200410038156.5无效
发明人：小岛章弘;大内淳子;林久贵 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-05-11 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的目的是防止低介电常数绝缘膜劣化，能有效地剥离低介电常数绝缘膜上堆积的抗蚀剂掩模。其解决方案是具备：在半导体基板1上形成低介电常数绝缘膜5的工序，在低介电常数绝缘膜上形成抗蚀剂图案6的工序，和以抗蚀剂图案作为掩模蚀刻低介电常数绝缘膜的工序，和通过铵离子进行的等离子体处理来剥离抗蚀剂图案
半导体器件制造方法等离子体蚀刻装置清洁

[发明专利]带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板及其制造方法以及陶瓷电路基板的制造方法-CN202180021171.0在审
发明人：汤浅晃正;中村贵裕;西村浩二 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：具有本发明的规定的电路图案的、带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板的制造方法包括下述工序：准备依次层叠有陶瓷基板、包含氮化钛的层、包含银的钎料层、和具有导电性的金属板的金属‑陶瓷接合体的工序；将利用喷墨印刷法在前述金属板上沿前述电路图案涂布抗蚀剂油墨并进行固化而形成单层抗蚀剂固化膜的操作重复多次，从而形成多层抗蚀剂固化膜的工序；在除存在于前述多层抗蚀剂固化膜的下方的部分外使用蚀刻液对前述包含氮化钛的层、前述包含银的钎料层和前述金属板进行蚀刻的工序。
带有抗蚀剂固化陶瓷路基及其制造方法以及

[发明专利]微细图形形成方法和使用该方法的半导体装置的制造方法-CN01108949.0无效
发明人：石桥健夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-02-28 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：解决办法是形成其刻蚀速度与被加工膜不同、刻蚀时成为被加工膜的掩模的硬掩模膜,利用光刻法在其上形成第一抗蚀剂图形来形成硬掩模图形,除去第一抗蚀剂图形后,利用光刻法在硬掩模图形上形成第二抗蚀剂图形,对未被该第二抗蚀剂图形覆盖的部分进行各向同性刻蚀,除去第二抗蚀剂图形后,将其一部分被各向同性刻蚀过的硬掩模图形作为掩模,刻蚀被加工膜。
微细图形形成方法使用半导体装置制造

[发明专利]图形形成方法-CN02103561.X无效
发明人：高桥理一郎;早崎圭;伊藤信一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-02-07 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：包含前处理工序、显影工序、及清洗工序;在该前处理工序中,将具有氧化作用的氧化性液体涂覆到曝光后的感光性抗蚀剂膜301a、b的表面,由该氧化性液体氧化该抗蚀剂膜的表面,形成氧化层310;在该显影工序中,向氧化了表面的上述感光性抗蚀剂膜供给显影液302,进行该抗蚀剂膜的显影;在该清洗工序中,向上述被处理基板的表面供给清洗液,对该基板进行清洗。这样,可抑制形成于抗蚀剂的图形的基板整个区域和微小区域的尺寸差,减少在显影工序中产生的缺陷。
图形形成方法

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法-CN201180055104.7有效
发明人：坂本力丸;藤谷德昌;远藤贵文;大西龙慈;何邦庆 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。
抗蚀剂下层形成组合使用图案方法

[发明专利]形成半导体器件的方法和半导体器件-CN200610058926.1无效
发明人：贵岛正人;针贝笃史 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-03-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：配置该方法以执行如下的步骤：在半导体衬底上形成选择性蚀刻膜；使用第一抗蚀剂膜作为掩模，在第一阱形成区和对准标记形成区上方的选择性蚀刻膜上形成开口，用于界定第一阱形成区和对准标记形成区；用第一导电型的掺杂剂注入第一阱形成区且去除第一抗蚀剂膜；形成第二抗蚀剂膜以至少遮掩第一阱形成区，第二抗蚀剂膜在对准标记形成区上方的开口大于选择性蚀刻膜在同一区域上方的开口；以及使用第二抗蚀剂膜和选择性蚀刻膜作为掩模通过进行蚀刻工艺来形成对准标记。
形成半导体器件方法

[发明专利]使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201980035022.2在审
发明人：德永光;绪方裕斗;桥本圭祐;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接
使用羰基化合物抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180026249.8在审
发明人：绪方裕斗;广原知忠;西卷裕和;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对高低差基板也被覆良好、埋入后的膜厚差小、能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供成为该抗蚀剂下层膜形成用组合物的重要成分的聚合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法-CN201510029323.8有效
发明人：施长治;林春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。去除复合掩膜的两种介质膜刻蚀剂不同，去除掩膜时，依次去除牺牲介质膜、光致抗蚀剂掩膜及阻挡层介质膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
一种用于高能离子注入复合去除方法

[发明专利]固定金属粒子的方法和采用这种固定方法制造含有金属粒子的衬底的方法、制造含有碳纳米管的衬底的方法及制造含有半导体－晶体棒的衬底的方法-CN200480020799.5无效
发明人：石田真彦;本乡广生;藤田淳一 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：在衬底(101)上形成其中分散有金属化合物的抗蚀剂膜。用光刻法将抗蚀剂膜形成图案。在氧气气氛中加热其上形成有组成图案的抗蚀剂的衬底(101)，以将金属粒子(106)粘附到衬底(101)表面上，同时除去组成图案的抗蚀剂中的树脂。
固定金属粒子方法采用这种制造含有衬底纳米半导体晶体

[发明专利]利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影-CN202080046943.1在审
发明人：萨曼莎·西亚姆华·坦;游正义;李达;范译文;潘阳;杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼尔·彼得;蒂莫西·威廉·威德曼;鲍里斯·沃洛斯基;杨文兵 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
利用卤化物化学品光致抗蚀剂显影

[发明专利]图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法-CN03131014.1无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：形成由含有通过酸的作用改变显影液可溶性的聚合物、照射能量光束就产生酸的酸发生剂、吸收聚合物或酸发生剂产生的脱气的化合物的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)；对于抗蚀膜(11)选择性照射远紫外线(12)进行图形曝光后，对图形抗蚀膜(11)通过显影液进行显影并形成抗蚀层图形(13)。根据本发明可以减少由抗蚀膜产生的脱气的量并改善抗蚀层图形的形状和提高生产率。
图形形成材料水溶性方法

[发明专利]曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序-CN200910008166.7无效
发明人：泽井和夫;园田明弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序，在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围
曝光条件设定方法衬底处理装置计算机程序

[发明专利]半导体器件刻蚀方法以及半导体器件-CN201110176495.X在审
发明人：于世瑞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：刻蚀方法包括第一光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上布置光致抗蚀剂；第一图案形成步骤，用于利用第一掩膜对光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第一图案的光致抗蚀剂层；第一刻蚀步骤，利用具有第一图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；绝缘材料沉积步骤，用于在经过第一刻蚀步骤之后的半导体器件结构上沉积绝缘材料；第二光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上再次布置光致抗蚀剂；第二图案形成步骤，用于利用第二掩膜对第二光致抗蚀剂涂覆步骤所布置的光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第二图案的光致抗蚀剂层；第二刻蚀步骤，利用具有第二图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；其中，第一图案是多个平行的第一条纹，第二图案是多个平行的第二条纹，并且第一条纹与第二条纹相互垂直。
半导体器件刻蚀方法以及