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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]扇出型封装结构-CN201720956807.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型封装结构，所述扇出型封装结构包括重新布线层；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面；粘片膜，位于所述半导体芯片的背面；塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面本实用新型的扇出型封装结构通过在半导体芯片的背面设置粘片膜，在制备过程中通过粘片膜将半导体芯片正面朝上正装于衬底的上表面，使得半导体芯片与衬底的粘合力大大增加，可以使得半导体芯片牢固地贴合于衬底的上表面，可以确保在后续的塑封等制备过程中半导体芯片不会发生晃动，半导体芯片与重新布线层的接触良好，从而确保扇出型封装结构的性能。
扇出型封装结构

[实用新型]扇出型天线封装结构-CN201821755416.4有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，扇出型天线封装结构包括：重新布线层，重新布线层包括相对的第一面及第二面；堆叠设置的至少两层天线结构，天线结构位于重新布线层的第二面上，与重新布线层中的金属布线层电连接可降低生产成本，形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。
重新布线层天线封装扇出型半导体芯片金属布线层天线结构电连接封装层堆叠设置金属凸块通孔多层天线结构本实用新型结构性能整合性包覆底面两层侧面

[实用新型]一种高密度芯片的扇出型封装结构-CN202020966793.3有效
发明人：王新;蒋振雷 -专利权人：杭州晶通科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高密度芯片的扇出型封装结构，包括被塑封层塑封的硅基转接板，与被塑封的硅基转接板触点电连接的重新布线层，以及设置于重新布线层表面的锡球，所述硅基转接板包括至少三层二氧化硅互联层，被其中一层表层二氧化硅层包裹的多片硅片以及贯穿三层二氧化硅和硅片空隙的金属互联柱采用本实用新型的设计方案，实现了对具有超精细引脚结构的高密度芯片进行扇出型集成封装的工艺结构，弥补了目前常规的扇出型封装技术在该方面的不足，扩展了扇出型封装技术的应用范围和领域。
一种高密度芯片扇出型封装结构

[发明专利]一种大板扇出型系统集成封装结构及其方法-CN201910941935.2在审
发明人：崔成强;匡自亮 -专利权人：广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种大板扇出型系统集成封装结构及其方法，板级系统级扇出封装是利用半加成法制备精细线路，将多个不同功能的芯片和已经封装好的单元按照单芯片扇出工艺制作，将多个不同功能的芯片和已经封装好的单元进行系统级封装，形成微机电系统；本技术方案融合了扇出封装技术和系统级封装技术，可以将多个不同功能的芯片和已经封装好的单元封装在同一个封装体内，实现半导体封装走向微型化，增加半导体上元器件的密度；本技术方案采用大板扇出型封装工艺制备
一种大板扇出型系统集成封装结构及其方法

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制作方法-CN202110254156.2有效
发明人：郑佳阳;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其制作方法，阵列基板，被划分为显示区和非显示区，包括：多条数据线、多条第一扇出走线、多条第二扇出走线、数据选择电路，第一绑定区和第二绑定区；多条第一扇出走线设置在非显示区，第一扇出走线的数量与数据线的数量相同，第一扇出走线与数据线的一端一一对应连接；多条第二扇出走线设置在非显示区，数据线的数量与第二扇出走线的数量的比值为m，其中m为大于1的整数；数据选择电路连接第二扇出走线和数据线；第一绑定走线与第一扇出走线一一对应连接；第二绑定区设置在阵列基板对应第二扇出走线的一侧，以提供一复合型阵列基板来适用不同刷新率的显示面板。
一种阵列显示面板及其制作方法

[发明专利]扇出型封装结构及封装方法-CN202010969171.0在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型封装结构及封装方法，扇出型封装结构包括重新布线层、钝化层、半导体芯片、封装层、凹槽、第一金属凸块、第二金属凸块、转接板、堆叠芯片封装体、被动元件及填充层。本发明将多种具有不同功能的芯片整合在一个封装结构中，从而可提高扇出型封装结构的整合性；通过重新布线层、转接板及金属凸块，实现了三维垂直堆叠封装，可有效提高封装结构的集成度，且可有效缩短传导路径，以降低功耗
扇出型封装结构方法

[发明专利]扇出型封装结构和扇出型封装结构制作方法-CN202311119668.3在审
发明人：徐玉鹏 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供的一种扇出型封装结构和扇出型封装结构制作方法，涉及半导体封装技术领域。该扇出型封装结构包括电子元件、塑封体、电感和布线层，电子元件设有焊盘；塑封体包覆电子元件，焊盘露出塑封体。
扇出型封装结构制作方法

[实用新型]一种硅基扇出型封装结构-CN201921224999.2有效
发明人：王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种硅基扇出型封装结构，属于集成电路封装领域。所述本实用新型提供的硅基扇出型封装结构包括硅基，所述硅基上刻蚀的凹槽中埋有芯片；所述硅基和所述芯片上依次形成有干膜材料和阻焊层；所述阻焊层上形成有凸点，并通过再布线层与所述芯片的焊盘连通。本实用新型的硅基扇出型封装结构中，埋入芯片厚度与封装厚度几乎一致，使得封装体厚度大大减小，散热性能大大提高。
一种硅基扇出型封装结构

[发明专利]具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元-CN201910875550.0在审
发明人：蔡佩君;徐宏欣;张简上煜;林南君 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元。该具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构将硅工艺的硅中介层设置于下层的封装单元内，作为上层的封装单元与底层的基板之间的电连接。依据上层封装单元的扇出接点的设计分布，以一个或多个局部配置硅中介层于下层封装单元的半导体晶粒侧边，可满足对于高阶晶片更不受限制的设计需求。
具有微细间距穿孔封装扇出型晶片结构单元

[发明专利]一种扇出型半导体封装结构-CN201910976664.4在审
发明人：孙德瑞 -专利权人：山东傲天环保科技有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种扇出型半导体封装结构，本发明的扇出型半导体封装结构采用布线金属层的宽部或者冗余金属线防止布线金属层在裸芯与塑封材料层的交界面的断裂，可以实现封装良品率的提高，且工艺简单，最大程度的控制了成本
半导体封装结构布线金属层扇出型冗余金属线塑封材料良品率宽部裸芯封装断裂交界

[发明专利]晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺-CN201410448238.0在审
发明人：何洪文;孙鹏;曹立强;林挺宇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺，包括两个或多个晶圆级扇出型封装单元，其特征是：所述晶圆级扇出型封装单元包括第一塑封材料，在第一塑封材料中设置铜柱或铜线，第一塑封材料的正面设置正面再布线层，正面再布线层上设置正面微凸点，第一塑封材料的背面设置背面再布线层，背面再布线层上设置背面微凸点；相邻两个晶圆级扇出型封装单元通过上层封装单元的背面微凸点和下层封装单元的正面微凸点连接。
晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺

[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制备方法-CN201710339239.5在审
发明人：吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，所述扇出型晶圆级封装结构包括重新布线层；第一倒装芯片，键合于所述重新布线层的上表面；金属连接柱，键合于所述重新布线层的上表面；第二倒装芯片，键合于所述金属连接柱的上表面本发明的扇出型晶圆级封装结构中，通过在重新再布线层的下表面形成钝化层，所述钝化层可以有效防止在植球回流过程中处于球滴状态的焊球凸块发生移动而出现位置的偏移，从而确保扇出型晶圆级封装结构的器件性能，以提高产量
扇出型晶圆级封装结构及其制备方法

[发明专利]扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法-CN202210233236.4在审
发明人：胡彪;白胜清 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型封装结构中，布线组合层在远离芯片的一侧表面还设置有多个焊接凹槽，多个焊接凹槽分布在导电焊球的至少两侧，并靠近导电焊球的底部设置同时其余未流入焊料的焊接凹槽，一方面可以提高扇出型封装底部的散热空气接触面积，从而提高散热能力，另一方面还可以减少翘曲，起到缓冲热应力的作用，避免封装结构变形。
扇出型封装结构制备方法

[发明专利]扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法-CN202210358746.4在审
发明人：白胜清;王森民 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型双面封装结构包括第一载板、第一芯片、第一塑封体、第二载板、第二芯片、第二塑封体、布线组合层以及封装器件，将第一载板和第二载板相互贴合，并在第一载板上贴装第一芯片，在第二载板上贴装第二芯片和封装器件，从而实现了双面扇出型封装结构，同时，第一载板内设置有第一布线层，第二载板内设置有第二布线层，通过两个载板实现双面封装
扇出型双面封装结构制备方法

[发明专利]全玻璃堆叠封装结构及其制备方法-CN202310959645.7在审
发明人：杨斌;杜毅嵩;华显刚 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：其中，全玻璃堆叠封装结构的制备方法包括以下步骤：S1、提供均带有玻璃基板的嵌入式芯片扇出型封装结构和玻璃金属化线路结构，将嵌入式芯片扇出型封装结构的金属凸块与玻璃金属化线路结构的第二重布线层对接贴合并焊接固定；S2、往所述嵌入式芯片扇出型封装结构与所述玻璃金属化线路结构的间隙中填充无机硅酸盐或不含碱金属的硅类化合物并烧结，制得全玻璃堆叠封装结构。采用本发明的制备方法可以有效提高嵌入式芯片扇出型封装结构与玻璃金属化线路结构之间的连接稳定性，在高密度基板、射频领域具有很高的应用价值和前景。
玻璃堆叠封装结构及其制备方法

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