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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201110298520.1有效
发明人：毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，使冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度，因此最终形成的冗余金属线和辅助图形冗余金属线的高度小于金属导线的高度，与现有技术相比减小了冗余金属线和辅助图形冗余金属线的厚度(高度)，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201110335315.8有效
发明人：毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，使冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度，因此最终形成的冗余金属线和辅助图形冗余金属线的高度小于金属导线的高度，与现有技术相比减小了冗余金属线和辅助图形冗余金属线的厚度(高度)，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。
半导体器件制作方法

[发明专利]大马士革结构制作方法-CN201110328111.1无效
发明人：戴韫青;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种大马士革结构制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一介质层；在第一介质层中形成金属导线槽和冗余金属槽，金属导线槽暴露出半导体衬底；在金属导线槽和冗余金属槽内以及第一介质层上形成金属层；通过化学机械研磨工艺去除第一介质层上的金属层，以在金属导线槽内形成金属导线，并在冗余金属槽内形成冗余金属线；在第一介质层上形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出冗余金属线；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀去除冗余金属线，露出冗余金属槽；在去除冗余金属线的冗余金属槽内填充第二介质层。本发明大马士革结构制作方法，能够去除冗余金属线与冗余金属线之间、以及冗余金属线与金属导线之间的耦合电容。
大马士革结构制作方法

[发明专利]大马士革结构制作方法-CN201110328098.X无效
发明人：戴韫青;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种大马士革结构制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一介质层；在第一介质层中形成金属导线槽和冗余金属槽，金属导线槽暴露出半导体衬底；在金属导线槽和冗余金属槽内以及第一介质层上形成金属层；通过化学机械研磨工艺去除第一介质层上的金属层，以在金属导线槽内形成金属导线，并在冗余金属槽内形成冗余金属线；在第一介质层上形成图形化的硬掩膜层，图形化的硬掩膜层暴露出冗余金属线；以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀去除冗余金属线，露出冗余金属槽；在去除冗余金属线的冗余金属槽内填充第二介质层。本发明大马士革结构制作方法，能够去除冗余金属线与冗余金属线之间、以及冗余金属线与金属导线之间的耦合电容。
大马士革结构制作方法

[发明专利]监控不同层金属层间隔离性能的测试结构及测试方法-CN201610984922.X在审
发明人：马杰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控不同层金属层间隔离性能的测试结构及测试方法。本发明的监控不同层金属层间隔离性能的测试结构包括：第一测试端、与第一测试端连接的第一测试金属线、与第一测试金属线的至少一部分并行连接的冗余金属线、第二测试端、以及与第二测试端连接的第二测试金属线；其中，第二测试金属线包括与冗余金属线垂直布置的多条并行金属线；其中，第一测试金属线和冗余金属线处于第一金属布线层，第二测试金属线处于第二金属布线层，而且第一金属布线层和第二金属布线层是相邻金属布线层。
监控不同金属间隔性能测试结构方法

[发明专利]一种半导体器件制作方法-CN201110335381.5有效
发明人：姬峰;毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，使冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度，因此最终形成的冗余金属线的高度小于金属导线的厚度，与现有技术相比减小了冗余金属线的厚度，从而减少了冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体器件制作方法-CN201110335733.7无效
发明人：姬峰;毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，使冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度，因此最终形成的冗余金属线的高度小于金属导线的厚度，与现有技术相比减小了冗余金属线的厚度，从而减少了冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种金属线层小尺寸冗余图形的添加和处理方法-CN201610884323.0有效
发明人：王丹;于世瑞;蒋斌杰;张逸中 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属线层小尺寸冗余图形的添加和处理方法，包括根据设计规则将原始版图划分为多个区域，并计算各个区域金属线层的图形密度；将原始版图的所有区域按图形密度高低划分为第一至第三图形密度区域；从各个区域中选择满足添加小尺寸冗余图形条件的金属线；对选出的位于第一至第三图形密度区域的不同金属线，按照图形尺寸由小到大、数量由少到多的方式，添加小尺寸冗余图形；将各小尺寸冗余图形合并到原始版图的金属线层原始主图形中，进行光学邻近效应修正。本发明可真正实现从孤立金属线到密集金属线的转变，达到提高选定部分金属线的光刻工艺窗口和改善选定部分图形密度的目的。
一种金属线尺寸冗余图形添加处理方法

[发明专利]一种金属冗余图形的添加方法-CN201911387929.3在审
发明人：张美丽 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属冗余图形的添加方法，包括如下步骤：S01：提供原始版图；S02：通过版图逻辑运算找出金属线中距离相邻金属线的距离大于等于距离阈值的金属边；S03：将所述金属边向外分别扩大W1和W2，形成多边形m1和m2，通过逻辑运算，得出所述多边形m1和m2重叠的部分，即为临时金属冗余图形；S04：对所述临时金属冗余图形进行后处理，即可得到待添加的金属冗余图形；S05：通过版图逻辑运算找出步骤S04中所述金属冗余图形中距离相邻金属线的距离大于等于距离阈值的金属边，重复步骤S03‑S04N次，完成原始版图中金属冗余图形的添加。本发明提供的一种金属冗余图形的添加方法，大大提高了小线宽金属线刻蚀之后线宽的均匀性，减小金属线AEI CD的差异。
一种金属冗余图形添加方法

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201110335363.7有效
发明人：毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，进行化学机械研磨工艺时，去除所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少或完全消除冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容
半导体器件制作方法

[发明专利]冗余金属的填充方法-CN201810800782.5有效
发明人：曹云 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余金属的填充方法，包括将待填充冗余金属的版图虚拟划分为面积相同的若干个单元格待填充区；在单元格待填充区内沿同层金属线的水平边向上下的至少一个方向拓展第一固定值的宽度形成水平拓展区域；以及沿所述同层金属线的垂直边向左右的至少一个方向拓展第一固定值的宽度形成垂直拓展区域；根据水平拓展区域与垂直拓展区域的面积比值或者根据水平拓展区域的水平边长与垂直拓展区域的垂直边长的长度比值，在所述同层金属线对应单元格待填充区内确定冗余金属的填充方向。本发明能够确定冗余金属的填充方向使终与相邻层的金属线保持垂直方向分布，减小冗余金属与相邻层的金属线产生的寄生电容，提高半导体器件的性能。
冗余金属填充方法

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201110335725.2有效
发明人：毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，进行化学机械研磨工艺时，去除所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少或完全消除冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201110335723.3无效
发明人：毛智彪;胡友存 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，进行化学机械研磨工艺时，去除所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少或完全消除冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容
半导体器件制作方法

[发明专利]冗余金属填充方法、装置、设备及介质-CN202210952859.7在审
发明人：翁坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本公开提供了一种冗余金属填充方法、装置、设备及介质，涉及半导体制造技术领域。所述方法包括提供初始版图，初始版图中包括电位线；根据初始版图中的布线连接关系，确定各个金属层图层的同层同网金属线；根据同层同网金属线，确定各个金属层图层中的待填充区域；在各个金属层图层的待填充区域填充同层金属线，并添加连接孔，使同层金属线连接到同一电位线上；在填充完成同层金属线的版图上，添加冗余金属，输出目标版图。本公开根据电位线的布线方式，确定同层金属线的待填充区域，在待填充区域内自动添加相应的同层金属线，增加整体电位线的宽度，增强了电位线的强度。
冗余金属填充方法装置设备介质

[发明专利]一种验证电容失配测试结果的系统及方法-CN202110170193.5在审
发明人：范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种验证电容失配测试结果的系统及方法，所述系统包括：若干组实际电容和若干组冗余模拟电容，各组实际电容包括第一叉指结构(10)、第二叉指结构(20)及金属线，用于形成所需测量的电容；各组冗余模拟电容包括第三叉指结构(100)、第四叉指结构(200)及金属线，用于形成所需测量的电容对应的测试结构的连线以及测试系统的寄生电容，所述冗余模拟电容的金属线与其对应的叉指结构在相连处断开。
一种验证电容失配测试结果系统方法

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