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[发明专利]基于a-SiNx-CN201810893392.7有效
发明人：李东阳;次会聚;宋宇浩;陈奕丞;袁余涵;李伟;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiNx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
基于 sin base sub

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893394.6有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiOxNy∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
基于 sio base sub

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893390.8有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将K9玻璃棱镜与“顶电极/a‑SiOx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经K9玻璃棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
基于 sio base sub

[发明专利]一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法-CN201810929912.5有效
发明人：宋宇浩;次会聚;陈奕丞;袁余涵;李东阳;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调，并且本征a‑TSC陶瓷薄膜的导电性良好且具有近红外波段透明的特性，因此不仅使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作神经突触器件的介质层，并且，可将本征a‑TSC陶瓷薄膜作为顶电极材料与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明神经突触器件。此外，本发明提出神经突触器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
神经突陶瓷薄膜薄膜变性本征制备透明导电薄膜导电性顶电极材料介质层材料介质层结构近红外波段光电器件开关器件制备工艺低氧化顶电极高氧化介质层全透明透明的构建可调可用

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795555.2在审
发明人：李伟;赵昕;刘诚;袁余涵;伊海;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射氮氧化硅电极下电极氧化钛掺银单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795808.6在审
发明人：李伟;陈鹏宇;刘诚;赵昕;袁余涵;李东阳;顾德恩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射氮氧化硅电极下电极氧化钽掺银单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于SiO_x:Ag/TaO_x双阻变层的忆阻突触器件及方法-CN201910795647.0在审
发明人：李伟;刘诚;赵昕;袁余涵;陈鹏宇;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiO_x:Ag/TaO_x双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射下电极电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795348.7在审
发明人：李伟;伊海;袁余涵;赵昕;刘诚;李东阳;顾德恩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触氮氧化硅氧化铝掺银磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于SiO_x:Ag/AlO_x双阻变层的忆阻突触器件及方法-CN201910799379.X在审
发明人：李伟;田伟;赵昕;刘诚;袁余涵;李东阳;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiO_x:Ag/AlO_x双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于SiOx:Ag/TiOx双阻变层的忆阻突触器件及方法-CN201910796689.6在审
发明人：李伟;袁余涵;赵昕;刘诚;田伟;李东阳;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiO_x:Ag/TiO_x双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

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