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[发明专利]一种非晶合金微流控芯片母模的制备方法-CN202310880998.8在审
发明人：李春燕;侯少杰;张亦舒;张强;陈佳欣 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B23P15/24 文献下载
摘要：一种非晶合金微流控芯片母模的制备方法，首先，制备模具钢和非晶合金样品，利用非晶合金的超塑性特性进行热塑成形，从而复制模具钢模具表面的形貌，冷却脱模后获得非晶合金微流控芯片母模。此外，利用上述方法制备出的非晶合金微模具进行聚合物的热压成形，冷却脱模后获得形状完整、轮廓清晰的微通道。接着将非晶合金微模具进行晶化处理以获得高温稳定性的模具，在一定温度下热压成形玻璃，冷却脱模后获得形状完整、轮廓清晰的微通道。本发明可以通过调整模具钢表面的通道尺寸，制备不同尺寸的非晶合金微流控芯片母模，从而热压成形聚合物、玻璃等，可以实现微通道的快速、批量生产，从而提升效率、降低成本。
一种合金微流控芯片制备方法

[发明专利]基于RRAM的TCAM搜索阵列及其内核单元制造方法-CN202310757943.8在审
发明人： 张亦舒;王振;邢胜鹏;凡雪蒙;李彭涛;王字健 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于RRAM的TCAM搜索阵列及其内核单元制造方法，该阵列包括内核单元阵列、多条功能线SL、多条字线WL和多条匹配线ML，内核单元阵列具有多个内核单元，各内核单元上下分别连接一条WL线，各内核单元包括NMOS晶体管、第一忆阻器、PMOS晶体管和第二忆阻器，NMOS晶体管与第一忆阻器串联，PMOS晶体管与第二忆阻器串联，NMOS晶体管的源极通过第一忆阻器连接PMOS晶体管的漏极；同一列的内核单元共用一条功能性SL，同一行的内核单元共用同一条字线WL，匹配线ML通过外部电阻接地，实现了功耗低、结构简单且具有更高集成度和兼容性。
基于 rram tcam 搜索阵列及其内核单元制造方法

[发明专利]一种感光神经元晶体管及其制备方法、使用方法-CN202211080438.6有效
发明人： 张亦舒;凡雪蒙;汪华;许凯 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开一种感光神经元晶体管及其制备方法、使用方法，涉及微电子技术领域，包括漏电极、源电极、栅电极和感光二维材料层，具有感光二维材料的晶体管可作为一感光晶体管，在其中感光晶体管的漏电极端制备一个阈值开关器件，阈值开关器件与漏电极层连接，阈值开关器件无电压或电压不足不导通，达到阈值电压后导通。基于此，可以看做一种感光晶体管和一阈值开关器件的串联电路，串联节点为漏电极层。在同一个器件单元中实现高速并且复杂的视觉信号处理功能，不仅成功模拟了人类视觉神经元系统，同时解决了传统视觉系统的功耗和延迟问题，实现感存算一体化，降低设计与制造成本，有效地提高集成度和性能。
一种感光神经元晶体管及其制备方法使用方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202211737930.6在审
发明人：许凯;胡加杨;张亦舒;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件领域，特别是涉及一种忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器采用上层一维纳米阵列、忆阻器介质层、下层一维纳米阵列的结构，将忆阻器的有效工作区域被限定在上层一维纳米阵列和下层一维纳米阵列之间的交叉区域，实现具有固定数量、位置均匀分布的导电细丝的忆阻器；交叉区域形成的单个忆阻器的工作区域定义至纳米量级，使得单个忆阻器工作时形成的导电细丝实现单根且同根的生长和断裂，降低了导电细丝生长引入的随机性，从而限制导电细丝生长的位置、数量和直径，进而得到均匀分布、工作稳定的导电细丝，提升忆阻器的均一性和稳定性，便于未来在大规模存储阵列或者神经形态计算中的制备和应用。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]低功耗紧凑型Relu激活函数神经元电路-CN202310000898.1有效
发明人： 张亦舒;凡雪蒙;王字健 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及一种低功耗紧凑型Relu激活函数神经元电路，包括第一层突触阵列、神经元晶体管、电阻和第二层突触阵列，神经元晶体管为具有阈值电压可调性能的MOS晶体管，神经元晶体管的栅极连接第一层突触阵列的各电压输出端，神经元晶体管的漏极连接第二层突触阵列的各电压输入端。这样，就可以通过调节晶体管阈值电压的大小，来满足对不同突触阵列输出值的判断运算以及输出。因该神经元电路只需要采用一个晶体管与第一层突触阵列和第二层突触阵列的配合连接，就可以实现Relu激活函数，这样在能效、延迟和占用面积方面实现显著的增益提高。
功耗紧凑型 relu 激活函数神经元电路

[发明专利]一种多模态存算一体阵列结构、芯片-CN202211300003.8有效
发明人： 张亦舒;许凯;汪华;凡雪蒙 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种多模态存算一体阵列结构、芯片，包括：内核单元阵列、与所述内核单元阵列中以行为单位的所有内核单元对应的功能线、与所述内核单元阵列中以列为单位的所有内核单元对应的互补功能线和位线BL；使得能够实现TCAM功能、CNN和SNN运算；本发明提供的多模态存算一体阵列突破冯.诺依曼计算体系架构，集存算多模态为一体，实现高效的运行与计算效力，解决了算力问题，同时提供的新阵列方式促进高集成度电路的发展。
一种多模态存算一体阵列结构芯片

[发明专利]一种兴奋-抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法-CN202211266716.7在审
发明人：陈安哲;俞滨;张亦舒;李菡茜;胡加杨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。
一种兴奋抑制神经形态晶体管制作方法工作方法

[发明专利]超低亚阈值摆幅的阈值开关晶体管及其制备方法-CN202211253506.4在审
发明人： 张亦舒;凡雪蒙;汪华;许凯 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低亚阈值摆幅的阈值开关晶体管及其制备方法，阈值开关晶体管包括衬底、浅沟槽隔离区、底部电极层、介质材料层、顶部电极层和栅极保护层，浅沟槽隔离区形成于衬底上且隔离至少两个相邻的有源区，底部电极层形成于衬底的上表面，介质材料层为易失性电阻调节材料层且形成于底部电极层的上表面，顶部电极层形成于介质材料层的上表面，顶部电极层、介质材料层和底部电极层形成具有栅极图案的栅极结构，栅极保护层覆盖栅极结构的侧面。利用易失性电阻调节材料的特性，使得阈值开关晶体管实现阈值电压的高速转换，产生阈值电压调节，打破传统MOSFET的亚阈值斜率限制，且该阈值开关晶体管可以适用于低电压和低功耗领域。
超低亚阈值开关晶体管及其制备方法

[发明专利]具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法-CN202211295383.0在审
发明人： 张亦舒;凡雪蒙 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法。本发明的具有dropout功能的忆阻器件包括逐层依次设置的第一电极、铁电材料层、二维石墨烯材料层、易失性器件电介质层和银电极所形成的垂直异质结构，其中二维石墨烯材料层充当银离子的阻挡层，在二维石墨烯材料层的帮助下，本发明实施例的忆阻器件实现易失性和非易失性动态行为的结合。易失性的银导电丝在易失性器件电介质层中的随机动态生长过程能够抑制潜行电流的同时实现dropout功能，而非易失性的铁电材料层通过铁电极化翻转能够实现高性能的突触可塑性行为。
具有 dropout 功能器件阵列制造方法

[发明专利]一种气溶胶三维空间分布制图方法-CN202010686878.0有效
发明人：秦凯;何秦;张亦舒;杜娟;周文远;李丁;薛勇;周熙然 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01S17/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种气溶胶三维空间分布制图方法，包括以下步骤：首先基于卫星激光雷达观测反演气溶胶消光系数垂直廓线，计算长时间序列月平均气溶胶三维空间分布地图，得到基于观测的气候学的、和基于模式的气候学的、月平均的气溶胶消光系数三维空间分布地图，计算得到基于观测与基于模式的比值三维空间分布地图；再得到观测约束后的、逐小时的气溶胶三维空间分布现势地图，并将其融合地基米散射激光雷与星载激光雷达观测的数据；再获得逐小时的气溶胶光学厚度空间分布现势地图；最后得到协同卫星和地面主被动遥感观测及模式结果的气溶胶三维空间分布现势地图。本发明通过星地主被动遥感观测及模式结果的协同融合，提供了更为可靠的气溶胶三维空间分布信息。
一种气溶胶三维空间分布制图方法

[发明专利]一种基于范围可寻址查找表计算tanh函数的数字电路模块-CN202210858801.6在审
发明人：黄科杰;白宇单;张亦舒;孙志锋 -专利权人：杭州颐达软件科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范围可寻址查找表计算tanh函数的数字电路模块，包括：输入模块、地址映射模块、存储器模块、选择输出模块、控制逻辑。在控制逻辑的控制下，电路经过3个时钟周期来生成地址，查找函数值，以此来计算tanh函数。本发明包括给定最大绝对值误差下的输入数据和输出数据的位宽选择方法，以及存储器存储值的选择方法，可以实现不同精度的电路模块。本发明电路结构简单可靠，计算速度快，功耗少，相比于普通查找表方法使用存储空间少，易拓展，便于在芯片上实现。
一种基于范围寻址查找计算 tanh 函数数字电路模块

[实用新型]三端忆阻神经元器件-CN202220533642.8有效
发明人： 张亦舒;汪华 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三端忆阻神经元器件，其特征在于，包括自下而上依次堆叠的：输入端电极，所述输入端电极为银电极；具有活性区域的功能层；输出端电极，所述活性区域的一侧与所述输入端电极相接，另一侧与所述输出端电极相接；限流层；接地端电极。本实用新型通过对限流层和接地端电极的设计，实现了无源的神经元器件，本实用新型中限流层可等效为接地的电阻，从而将银导电细丝连通输入端电极和输出端电极时所产生的电流转换成电压脉冲，使输出端电极直接输出电压脉冲，无需电源与比较器所构成的辅助电路，能够有效降低神经元电路的复杂度和占用面积。
三端忆阻神经元器件

[发明专利]一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法-CN202210600722.5在审
发明人：许凯;张亦舒 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及LDMOS技术领域，公开了一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法，包括：器件本体，所述器件本体包括衬底层和位于衬底层上方的N型漂移区，N型漂移区的上方设有按预定距离间隔排列的至少两个第二栅极；当器件本体处于关断状态下时，向至少两个第二栅极施加电压从而增加相应位置的击穿电压；当器件本体处于开启状态下时，向至少两个第二栅极施加电压从而降低导通电阻；本发明通过以上技术方案实现了对击穿电压和导通电阻矛盾的突破，提高了功率半导体芯片和电力智能设备的可靠性，保证了电网安全稳定运行。
一种 ldmos 晶体管结构以及对应制造方法

[发明专利]三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件-CN202210243084.6在审
发明人： 张亦舒;汪华 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种三端忆阻神经元器件及其制备方法，其中制备方法包括依次进行的以下步骤：于衬底上表面制备输入端电极，获得第一中间件，其中输入端电极为银电极；于所述第一中间件上表面制备绝缘层，并在绝缘层上开设接触通孔；于绝缘层上表面制备活性层，并于所述活性层上表面形成输出端电极，获得第二中间件，其中，将活性层位于所述接触通孔内的区域作为活性区域，所述活性区域分别与所述输入端电极的上表面和输出端电极的下表面相接；于所述第二中间件上表面制备限流层，并于所述限流层上表面形成接地端电极，获得三端忆阻神经元器件。本发明提出的三端忆阻神经元器件不需要借助外部电路，即可实时基于所接收的输入信号输出相应的脉冲信号。
三端忆阻神经元器件制备方法

[实用新型]一种LDMOS晶体管结构-CN202221318969.X有效
发明人：许凯;张亦舒 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及LDMOS技术领域，公开了一种LDMOS晶体管结构，包括：器件本体，所述器件本体包括衬底层和位于衬底层上方的N型漂移区，N型漂移区的上方设有按预定距离间隔排列的至少两个第二栅极；其中，至少两个第二栅极为非等间距间隔排列，从而能够在增加击穿电压的同时降低导通电阻。本实用新型通过以上技术方案实现了对击穿电压和导通电阻矛盾的突破，提高了功率半导体芯片和电力智能设备的可靠性，保证了电网安全稳定运行。
一种 ldmos 晶体管结构

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