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[发明专利]一种IM消息传输方法及系统-CN202211705924.2在审
发明人：黄星淇;宋宇浩 -专利权人：天翼云科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04L51/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种IM消息传输方法，具体包括：与传输对象连接，使用传输对象的ID进行哈希计算，根据哈希计算的结果，确定消息报文占用的传输流，使用传输流传输消息报文。本发明的将IM消息报文中的发送目标进行哈希计算，根据结果将消息报文投递到不同的传输流中，利用每个传输流的滑动窗口资源相互隔离的机制，实现了不同消息使用的网络资源的隔离，避免了弱网环境下一条消息发送失败导致整个发送通道不可用的情况，提升了系统整体的可用性。
一种 im 消息传输方法系统

[发明专利]一种基于pssh工具的服务器自动运维方法与系统-CN202211720035.3在审
发明人： 宋宇浩;黄星淇 -专利权人：天翼云科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于pssh工具的服务器自动运维方法与系统，涉及IT系统管理技术领域，包括步骤：根据目标IT系统的网络信息获取系统管理节点以及各网络中用以管理当前网络各普通节点的分支管理节点信息；安装pssh工具至系统管理节点以及各分支管理节点，并通过数据连接将目标脚本命令分发至各分支管理节点；通过pssh工具的调用，由系统管理节点操控各分支管理节点在各自管理的普通节点上执行目标脚本指令；通过pssh工具的调用，由系统管理节点获取分支管理节点的执行结果；通过pssh工具的调用，由系统管理节点删除各分支管理节点的执行结果以及相应数据文件。本发明采用更为轻量化的pssh工具，占用系统空间小，部署快，运维简单，支持多线程并行操作。
一种基于 pssh 工具服务器自动方法系统

[发明专利]一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用-CN201810929840.4有效
发明人：次会聚;宋宇浩;陈奕丞;赵昕;祁康成;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用，属于光电材料技术领域。本发明提出采用了传统的物理气相沉积(PVD)镀膜方式，利用Ti3SiC2粉体材料作为靶材制备微纳米厚度的半导体薄膜，制作工艺简单、可靠且成本低，制得薄膜在维持Ti3SiC2材料良好力学和摩擦磨损性能之外，兼具透近红外光和适度导电性的双重性能。运用本发明方法制得的Ti3SiC2陶瓷薄膜在800～2200nm光谱范围的透过率不低于80％，导电性为50Ω/□～2000Ω/□，基于上述性能，本发明将Ti3SiC2材料的应用范围拓宽到光电子技术领域，并为其作为窗口材料用于红外波段光电器件封装提供了理论基础。本发明陶瓷薄膜在光电领域具有良好的工程应用前景。
一种 tsc 陶瓷薄膜制备方法及其产品应用

[发明专利]基于a-SiNx-CN201810893392.7有效
发明人：李东阳;次会聚;宋宇浩;陈奕丞;袁余涵;李伟;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiNx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
基于 sin base sub

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893394.6有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiOxNy∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
基于 sio base sub

[发明专利]基于a-SiOx-CN201810893390.8有效
发明人：李伟;宋宇浩;次会聚;董湘;袁余涵;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：基于a‑SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将K9玻璃棱镜与“顶电极/a‑SiOx∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经K9玻璃棱镜射入至双阻变层，并运用表面等离子体共振(SPR)效应，使得器件工作过程中阻变层的介电常数变化信息以光信号进行读取，进而实现器件突触权重的光读取。本发明所提出的“电调制，光读取”神经突触器件具有传统“电调制，电读取”神经突触器件无法比拟的优势，因其不仅具有传统忆阻器低能耗、非易失性等特性，而且还具有光作为信息载体进行信号处理带宽大、抗电磁干扰能力强的优势。
基于 sio base sub

[发明专利]一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法-CN201810931359.9有效
发明人： 宋宇浩;次会聚;陈奕丞;刘诚;李东阳;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑TiOx薄膜”的介质层结构，拓宽了忆阻开关器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调节，并且a‑TiOx薄膜透明且可提供氧缺位电迁移通道，因此使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作忆阻开关器件的介质层。同时，由于本征a‑TSC陶瓷薄膜具有非常好的导电性以及近红外透过率，因此也可将其作为顶电极材料，与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明忆阻开关器件。此外，本发明提出忆阻开关器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
一种基于 tsc 陶瓷薄膜开关器件及其制备方法

[发明专利]一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法-CN201810929911.0有效
发明人：次会聚;陈奕丞;宋宇浩;刘诚;李东阳;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑SiO
开关器件陶瓷薄膜薄膜变性制备透明导电薄膜顶电极材料介质层材料介质层结构导电性光电器件制备工艺电迁移顶电极介质层可调节全透明透过率氧缺位本征构建可用透明

[发明专利]一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法-CN201810929912.5有效
发明人： 宋宇浩;次会聚;陈奕丞;袁余涵;李东阳;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调，并且本征a‑TSC陶瓷薄膜的导电性良好且具有近红外波段透明的特性，因此不仅使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作神经突触器件的介质层，并且，可将本征a‑TSC陶瓷薄膜作为顶电极材料与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明神经突触器件。此外，本发明提出神经突触器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
神经突陶瓷薄膜薄膜变性本征制备透明导电薄膜导电性顶电极材料介质层材料介质层结构近红外波段光电器件开关器件制备工艺低氧化顶电极高氧化介质层全透明透明的构建可调可用

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