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- [发明专利]双重镶嵌结构的制造方法-CN02140148.9有效
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黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;严永松
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联华电子股份有限公司
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2002-07-03
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2003-05-28
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H01L21/768
- 一种双重镶嵌结构的制造方法，此方法的步骤如下首先，在已形成导线的衬底上依序形成一第一介电层、一第二介电层与一底层防反射涂层与一旋涂式介电层。然后，定义旋涂式介电层、底层防反射涂层与第二介电层，以于第二介电层中形成一孔洞，于该旋涂式介电层与该底层防反射涂层中形成一第一沟槽。以旋涂式介电层与底层防反射涂层为掩膜，去除孔洞所暴露的第一介电层，以形成暴露衬底的一通孔开口，同时去除第一沟槽所暴露的第二介电层，以形成暴露第一介电层的一第二沟槽。之后，去除旋涂式介电层与该底层防反射涂层，以及依序于第二沟槽与通孔开口内形成一共形的阻挡层以及一导体层，且导体层填满第二沟槽与通孔开口。
- 双重镶嵌结构制造方法
- [发明专利]高电介质膜层结构及其应用与制备方法-CN201710520577.9有效
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不公告发明人
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长鑫存储技术有限公司
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2017-06-30
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2018-12-14
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H01L23/64
- 本发明提供一种高电介质膜层结构及应用与制备方法，结构包括：迭层式介电结构，包括至少一层第一介电层及至少一层第二介电层，第二介电层的禁带宽度大于第一介电层的禁带宽度，单层第二介电层的厚度小于等于单层第一介电层的厚度，以及量子遂穿抑制层，设置于迭层式介电结构的表面上，或位于迭层式介电结构的第一介电层与第二介电层之间，量子隧穿抑制层的介电常数大于第一介电层的介电常数且大于第二介电层的介电常数。通过本发明的方案，高电介质膜层结构可以在电容介电层厚度不变的情况下，缩小等效氧化层的厚度，还可以在保持或缩小等效氧化层厚度的同时，有足够的物理厚度来限制量子隧穿效应的影响，防止漏电流增大从而导致器件失效
- 电介质结构及其应用制备方法
- [发明专利]电路板结构及其制造方法-CN201510258129.7有效
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郑伟鸣;周亮余
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欣兴电子股份有限公司
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2015-05-20
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2019-03-19
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H05K1/18
- 包括第一介电层、内埋式元件、热管、导热材料、第二介电层及多个导热柱。第一介电层包括开槽。内埋式元件与热管位于开槽内且共平面。导热材料填充于开槽且包覆内埋式元件与热管。第二介电层位于第一介电层的一侧并覆盖开槽。内埋式元件的背面朝向第二介电层。第二介电层包括多个第一孔洞，内埋式元件与热管对第二介电层所在平面的正投影重叠于第一孔洞。导热柱配置于第二介电层的第一孔洞。内埋式元件所产生的热以及传递至热管与导热材料的热通过导热柱传出，而有效地散热。另外，由于内埋式元件与热管共平面，本发明的电路板结构具有较薄的厚度。
- 电路板结构及其制造方法
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