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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]用于吸附芯片的真空吸头-CN202321245651.8有效
发明人：陈建智;黄敏龙;张谦维;杨丛原;吕侑峻;蔡先伟 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提出了一种用于吸附芯片的真空吸头。该真空吸头包括：第一部分，包括用于对芯片提供吸力的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面形成有延伸至所述第二表面的多个细孔；第二部分，围绕所述第一部分，包括与所述第一表面共平面的第三表面，所述第三表面的面积大于所述第一表面，所述第三表面被配置成对所述芯片提供支撑力。本申请通过在真空吸头上设计多个细孔，可以提供更加均匀的吸力，以及提高吸附的稳定性，以此可以避免发生芯片移位、芯片甩飞和芯片直立等技术问题。
用于吸附芯片真空吸头

[实用新型]半导体封装用整平装置-CN202223371407.4有效
发明人：黄敏龙;张谦维;蔡允顺;张育绮;许柏扬 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：根据本实用新型实施例的一个方面，提供了一种半导体封装用整平装置，包括：承载盘，具有物品承载面并且具有贯穿承载盘的通孔，通孔暴露于物品承载面，以在物品承载面处提供吸力；压杆，位于物品承载面上方，并且压杆的施压面朝向物品承载面；夹具，设置在承载盘上方，并且夹具的夹持面与物品承载面一起形成夹持空间。本实用新型提出一种半导体封装用整平装置，以提高半导体封装用整平装置的整平效果。
半导体封装平装

[实用新型]电性测试装置-CN202223177314.8有效
发明人：黄敏龙;张谦维;蔡允顺;张育绮;许柏扬 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种电性测试装置，该电性测试装置用于测试基板，基板包括芯片及电连接芯片的第一线路层。电性测试装置包括：控制模组；第一分区模组，讯号连接控制模组并且用以将第一线路层区分为多个具有线路的测试区域；第一测试模组，讯号连接控制模组并且用以在每个测试区域中选择一条线路作为进行测试的受测线路；第一确认模组，讯号连接控制模组并且用以确认测试区域是否完成测试。上述技术方案，至少能够降低电性测试项的数量及测试时间。
测试装置

[实用新型]内埋式衬底-CN202220270569.X有效
发明人：许柏扬;黄敏龙;张谦维;杨丛原;郭政佐;陈建智;蔡允顺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种内埋式衬底。该内埋式衬底包括：第一介电层；位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层和第二介电层具有接合面；埋置在第一介电层和第二介电层中的半导体管芯，半导体管芯的有源面与接合面之间的距离小于半导体管芯的晶背与接合面之间的距离。本实用新型的上述内埋式衬底至少可以解决内埋于衬底中管芯有源面上的介电层厚度不均匀的问题。
内埋式衬底

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111448295.5在审
发明人：叶上暐;黄敏龙;吴崇熙;杨盛文;张谦维 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：模塑材；桥接芯片，包覆在模塑材内，桥接芯片上设置有导电垫和第一导电孔，导电垫位于桥接芯片的第一表面，第一导电孔位于桥接芯片内并与导电垫电连接；缓冲层，设置在桥接芯片的第一表面，缓冲层上设置有第二导电孔，第二导电孔的第一端与导电垫电连接，第二导电孔的第二端暴露在缓冲层外。该半导体封装装置能够避免研磨制程中因半导体封装装置翘曲导致的硅通孔磨损过多或者难以露出的问题，有利于保证半导体封装装置同外部的电连接性能。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202110257627.5在审
发明人：叶上暐;张谦维;黄敏龙 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构，其特征在于，包括：中介层，具有上表面；重分布线(RDL)，位于中介层的上表面上；硅光芯片，位于重分布线上；第一管芯，与硅光芯片横向偏移并具有朝上的主动表面，并且第一管芯内埋于中介层的上表面下方的腔体内，其中，第一管芯的主动表面通过重分布线与硅光芯片电连接。
半导体封装结构及其形成方法

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