专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]可调谐窄带超材料吸收器-CN202210499764.4在审
  • 高扬;冯恒利;张景煜;张作鑫;房冬超;刘畅;王金成 - 黑龙江大学
  • 2022-05-09 - 2022-12-27 - H01Q17/00
  • 本发明可调谐窄带超材料吸收器属于超材料吸收器和太赫兹技术领域;该可调谐窄带超材料吸收器由多个结构相同的吸收器单元阵列构成,每个吸收器单元从上到下依次设置钛酸锶层(1),介质层(2)和金膜(3);所述钛酸锶层(1),介质层(2)和金膜(3)的长和宽均相同;所述吸收器单元上刻蚀有矩形盲孔,所述矩形盲孔穿透钛酸锶层(1)至介质层(2)上表面;在所述矩形盲孔底部,石墨烯层(4)紧贴介质层(2)上表面;本发明可调谐窄带超材料吸收器具有双调控的功能且对极化不敏感,通过改变石墨烯层的费米能级,实现吸收率调控,通过改变钛酸锶层环境温度,实现中心频率调控。
  • 调谐窄带材料吸收
  • [实用新型]超窄带超表面吸收器-CN202221258913.X有效
  • 刘畅;高扬;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 - 黑龙江大学
  • 2022-05-24 - 2022-11-22 - G02B5/00
  • 本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域;所述超窄带超表面吸收器,由多个相同细胞单元阵列组成,每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成;所述介质层紧贴于基底层上方,介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构;所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环;所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体;本发明超窄带超表面吸收器结构简单、够做在高集成度的情况下同样便于加工、吸收效果好、透射峰的带宽非常窄且具有更好的选择性,并且对于非目标波段的光可以近乎完美透过。
  • 窄带表面吸收
  • [发明专利]超窄带超表面吸收器-CN202210571503.9在审
  • 高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 - 黑龙江大学
  • 2022-05-24 - 2022-09-27 - G02B5/00
  • 本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域;所述超窄带超表面吸收器,由多个相同细胞单元阵列组成,每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成;所述介质层紧贴于基底层上方,介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构;所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环;所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体;本发明超窄带超表面吸收器结构简单、够做在高集成度的情况下同样便于加工、吸收效果好、透射峰的带宽非常窄且具有更好的选择性,并且对于非目标波段的光可以近乎完美透过。
  • 窄带表面吸收
  • [实用新型]可调谐窄带超材料吸收器-CN202221096589.6有效
  • 冯恒利;高扬;张景煜;张作鑫;房冬超;刘畅;王金成 - 黑龙江大学
  • 2022-05-09 - 2022-07-22 - H01Q17/00
  • 本发明可调谐窄带超材料吸收器属于超材料吸收器和太赫兹技术领域;该可调谐窄带超材料吸收器由多个结构相同的吸收器单元阵列构成,每个吸收器单元从上到下依次设置钛酸锶层(1),介质层(2)和金膜(3);所述钛酸锶层(1),介质层(2)和金膜(3)的长和宽均相同;所述吸收器单元上刻蚀有矩形盲孔,所述矩形盲孔穿透钛酸锶层(1)至介质层(2)上表面;在所述矩形盲孔底部,石墨烯层(4)紧贴介质层(2)上表面;本发明可调谐窄带超材料吸收器具有双调控的功能且对极化不敏感,通过改变石墨烯层的费米能级,实现吸收率调控,通过改变钛酸锶层环境温度,实现中心频率调控。
  • 调谐窄带材料吸收
  • [实用新型]基于可调控结构单元的超表面光开关-CN202220856965.0有效
  • 张景煜;高扬;冯恒利;刘畅;房冬超;王金成;张作鑫;王乐慧 - 黑龙江大学
  • 2022-04-14 - 2022-07-12 - G02B1/00
  • 本发明基于可调控结构单元的超表面光开关属于微纳光电子技术领域;该超表面光开关由多个可调控结构单元周期性排列而成,每个所述可调控结构单元由基底层、天线和矩形块组成;所述基底层位于最下端,所述天线和矩形块同平面设置,且位于基底层上;所述基底层的形状为正方形,所述天线的形状为具有开口的等边三角环形,所述开口位于等边三角环形一条边的中间位置,所述矩形块位于所述开口处,所述正方形和等边三角环形中心重合;本发明基于可调控结构单元的超表面光开关,结构简单,通过改变相变材料的结晶化程度即可对不同波长光信号进行开关调制,且最高消光比可以达到10.1dB。
  • 基于调控结构单元表面光开关
  • [发明专利]基于可调控结构单元的超表面光开关-CN202210389341.7在审
  • 高扬;张景煜;冯恒利;刘畅;房冬超;王金成;张作鑫;王乐慧 - 黑龙江大学
  • 2022-04-14 - 2022-06-07 - G02B1/00
  • 本发明基于可调控结构单元的超表面光开关属于微纳光电子技术领域;该超表面光开关由多个可调控结构单元周期性排列而成,每个所述可调控结构单元由基底层、天线和矩形块组成;所述基底层位于最下端,所述天线和矩形块同平面设置,且位于基底层上;所述基底层的形状为正方形,所述天线的形状为具有开口的等边三角环形,所述开口位于等边三角环形一条边的中间位置,所述矩形块位于所述开口处,所述正方形和等边三角环形中心重合;本发明基于可调控结构单元的超表面光开关,结构简单,通过改变相变材料的结晶化程度即可对不同波长光信号进行开关调制,且最高消光比可以达到10.1dB。
  • 基于调控结构单元表面光开关
  • [发明专利]多波段超表面吸收器-CN202210389336.6在审
  • 高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫;王乐慧;韩萌;孟祥程 - 黑龙江大学
  • 2022-04-14 - 2022-06-03 - G02B5/00
  • 本发明多波段超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域;该多波段超表面吸收器,由基底层、介质层、底层银圆环、中层圆环介质层和顶层银圆环组成;所述矩形介质层紧贴于基底层上方,矩形金属层上设置有底层银圆环,所述底层银圆环上覆盖有中层圆环介质层,所述中层圆环介质层上覆盖有顶层银圆环;本发明多波段超表面吸收器采用了底层银圆环、中层圆环介质层和顶层银圆环的三层结构,即采用了银层‑二氧化硅层‑银层的三层结构,同单层银结构相比,因为正好满足表面等离子体沿着金属‑介质‑金属的传播条件,所以吸收效果更好;同时,这些材料不仅在现实生活中常见,而且无复杂结构,集成度高,便于加工。
  • 波段表面吸收
  • [实用新型]基于表面等离子体激元的波长选择全光开关-CN202220096160.0有效
  • 张景煜;高扬;冯恒利;刘畅;房冬超;王金成;张作鑫;王乐慧 - 黑龙江大学
  • 2022-01-14 - 2022-05-03 - G02B6/122
  • 本发明基于表面等离子体激元的波长选择全光开关属于微纳光电子技术领域;该波长选择全光开关由基底层和矩形金属层组成,所述矩形金属层紧贴于基底层上方,在矩形金属层上刻蚀与矩形金属层等高的第一直波导、第二直波导、第三直波导、第四直波导和等边三角形谐振腔,其中,第二直波导和第四直波导与矩形金属层长边方向相同,第一直波导和第三直波导与矩形金属层长边方向的夹角均为60°;在等边三角形谐振腔内,还设置有与矩形金属层等高且中心与等边三角形谐振腔内心重合的矩形金属块;本发明基于表面等离子体激元的波长选择全光开关结构简单,具有波长可选择和高消光比的技术优势,未来可以应用于大规模集成光通信器件中。
  • 基于表面等离子体波长选择开关
  • [发明专利]基于表面等离子体激元的波长选择全光开关-CN202210043061.0在审
  • 高扬;张景煜;冯恒利;刘畅;房冬超;王金成;张作鑫;王乐慧 - 黑龙江大学
  • 2022-01-14 - 2022-04-15 - G02B6/122
  • 本发明基于表面等离子体激元的波长选择全光开关属于微纳光电子技术领域;该波长选择全光开关由基底层和矩形金属层组成,所述矩形金属层紧贴于基底层上方,在矩形金属层上刻蚀与矩形金属层等高的第一直波导、第二直波导、第三直波导、第四直波导和等边三角形谐振腔,其中,第二直波导和第四直波导与矩形金属层长边方向相同,第一直波导和第三直波导与矩形金属层长边方向的夹角均为60°;在等边三角形谐振腔内,还设置有与矩形金属层等高且中心与等边三角形谐振腔内心重合的矩形金属块;本发明基于表面等离子体激元的波长选择全光开关结构简单,具有波长可选择和高消光比的技术优势,未来可以应用于大规模集成光通信器件中。
  • 基于表面等离子体波长选择开关

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