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[发明专利]一种双通带毫米波基片集成波导滤波器-CN201910321109.8有效
发明人：郭瑜;汪洋;张景辉;余超;毛晓炜 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通带毫米波基片集成波导滤波器，该滤波器包括：顶层介质层，顶层介质层的上表面设有顶层金属层；底层介质层，底层介质层的下表面设有底层金属层；中间粘和层，设于顶层介质层和底层介质层之间；金属化通孔阵列，金属化通孔阵列贯穿顶层金属层、顶层介质层、中间粘合层、底层介质层和底层金属层，并和顶层金属层和底层金属层共同围成基片集成波导谐振腔；一对输入输出馈线和微带谐振器和一对输入输出端口。
一种双通带毫米波集成波导滤波器

[发明专利]MIM电容器及其制备方法-CN201510080421.4有效
发明人：郭海波;唐永进 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的MIM电容器及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积第一底层金属层、第二底层金属层以及介质层，第一底层金属层与第二底层金属层形成下极板；选择性刻蚀介质层以及第二底层金属层，在介质层以及第二底层金属层中形成若干暴露出第一底层金属层的沟槽；沉积顶层金属层，顶层金属层填充沟槽，并覆盖介质层，顶层金属层形成上极板；去除沟槽所在区域内的顶层金属层以及第一底层金属层。本发明中，刻蚀介质层以及第二底层金属层，形成沟槽，顶层金属层填充沟槽，使得第一底层金属层与顶层金属层连接，将第一底层金属层与第二底层金属层中聚集的电荷通过顶层金属层释放掉，从而避免形成的MIM电容器中产生电弧放电缺陷
mim 电容器及其制备方法

[发明专利]一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦-CN201910856444.8有效
发明人：卢启军;朱樟明;杨银堂;刘晓贤;尹湘坤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本发明一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦，从上往下依次为顶层输入信号线、顶层第五介质层、顶层第二接地层、顶层第四介质层、顶层第三介质层、顶层第二介质层、顶层第一接地层、顶层第一介质层、硅衬底、底层第一介质层、底层第一接地层、底层第二介质层、底层第三介质层、底层第四介质层、底层第二接地层、底层第五介质层、底层输出第一信号线和底层输出第二信号线。本发明公开的一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦，具有以下有益效果：1、结构紧凑、占用面积小；2、容易加工；3、与周围其它元件或模块之间的耦合噪声弱；4、寄生参数较小，损耗小；5、易于与其它层或模块元件互连并实现微波系统的三维集成化
一种基于硅通孔紧凑三维马相巴伦

[发明专利]一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器-CN201910859798.8在审
发明人：卢启军;朱樟明;杨银堂;刘晓贤;尹湘坤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器，包括从上到下依次相连的顶层模块、硅衬底层模块和底层模块，顶层模块包括顶层第一介质层、顶层接地屏蔽环、顶层第一信号互连柱、顶层接地柱、顶层接地层、顶层介质环、顶层第二信号互连柱、顶层第二介质层、顶层第三信号互连柱、顶层端口信号线、顶层信号线；硅衬底层模块包括硅衬底、第一介质环、接地屏蔽环、第二介质环、后信号互连柱、前信号互连柱；底层模块包括底层第一介质层、底层接地屏蔽环、底层第一信号互连柱、底层接地柱、底层接地层、底层介质环、底层第二信号互连柱、底层第二介质层、底层第三信号互连柱、底层端口信号线、底层信号线。
顶层信号互连介质层互连接地屏蔽介质环底层模块第二信号顶层模块硅衬底层接地层接地柱信号线分支线耦合器端口信号线从上到下底层端口底层介质底层信号依次相连改进型硅衬底硅通孔同轴

[发明专利]小型化双层基片集成波导六端口器件-CN201811241384.0有效
发明人：许锋;刘水 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明揭示了小型化双层基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一基片集成波导；金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口并设置有多个互补的开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。
小型化双层集成波导端口器件

[实用新型]基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构-CN201720126110.1有效
发明人：张志东 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型属于光学领域和微纳系统领域，具体为基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构，包括底层电介质薄膜层、在底层电介质薄膜层上沉积的带有孔洞阵列结构的金属薄膜层、在孔洞中填充的电介质、金属薄膜层上沉积的电介质层、在电介质层顶面上制备的顶层圆盘状金属阵列结构和底层电介质薄膜层底面上制备的底层圆盘状金属阵列结构，底层圆盘状金属阵列结构、底层电介质薄膜层、带有孔洞阵列结构的金属薄膜层、顶层电介质层和顶层圆盘状金属阵列结构构成金属复合微纳结构
基于纳米天线表面离激元增强透射金属复合结构

[发明专利]小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器-CN201911029293.5有效
发明人：刘水;许锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导
小型化慢波半模基片集成波导耦合器

[发明专利]双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器-CN201910072293.7有效
发明人：刘水;许锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明揭示了一种双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，该宽带滤波耦合器包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片和底层介质基片上设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导
双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器

[发明专利]多波段超表面吸收器-CN202210389336.6在审
发明人：高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫;王乐慧;韩萌;孟祥程 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明多波段超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；该多波段超表面吸收器，由基底层、介质层、底层银圆环、中层圆环介质层和顶层银圆环组成；所述矩形介质层紧贴于基底层上方，矩形金属层上设置有底层银圆环，所述底层银圆环上覆盖有中层圆环介质层，所述中层圆环介质层上覆盖有顶层银圆环；本发明多波段超表面吸收器采用了底层银圆环、中层圆环介质层和顶层银圆环的三层结构，即采用了银层‑二氧化硅层‑银层的三层结构，同单层银结构相比，因为正好满足表面等离子体沿着金属‑介质‑金属的传播条件，所以吸收效果更好；同时，这些材料不仅在现实生活中常见，而且无复杂结构，集成度高，便于加工。
波段表面吸收

[发明专利]小型化双层半模基片集成波导六端口器件-CN201811241385.5有效
发明人：刘水;许锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明揭示了小型化双层半模基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，一组金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一半模基片集成波导；一组金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二半模基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口及多个互补开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。
小型化双层半模基片集成波导端口器件

[发明专利]包括具有扩散阻挡层的软磁性底层的垂直磁性记录介质-CN200610149439.6无效
发明人：李在喆;尹成龙;吴薰翔;金雪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直磁性记录介质，其包括具有扩散阻挡层的软磁底层。该垂直磁性记录介质包括软磁记录底层和形成在所述软磁性底层上的记录层。所述软磁性底层包括：衬底、底层、扩散阻挡层、反铁磁层和软磁性层。该底层形成在衬底上，且扩散阻挡层形成在底层上。反铁磁层形成在扩散阻挡层上，且软磁性层形成在反铁磁层上。
包括具有扩散阻挡磁性底层垂直记录介质

[发明专利]柔性OLED显示面板的制作方法及显示装置-CN202011266702.6在审
发明人：钱佳佳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种柔性OLED显示面板制作方法及显示装置，所述方法包括步骤：提供一载玻片；在所述载玻片上贴附一黏附介质层；在所述黏附介质层上黏附一基底层；在所述基底层上制作一阵列层及一OLED器件层；在所述OLED器件层上贴附一薄膜封装层及一阻挡层；以及通过一吸盘吸取所述载玻片，以使所述基底层与所述黏附介质层之间相互剥离。相较于现有技术，本申请通过在载玻片与基底层之间设置黏附介质层，并且黏附介质层与基底层之间的粘附性小于黏附介质层与载玻片的粘附性，于是在剥离载玻片时，可以避免激光对基底层的损伤，从而提升显示器件良率和可靠性
柔性 oled 显示面板制作方法显示装置

[发明专利]一种屏蔽差分硅通孔结构及制作方法-CN201610300266.7有效
发明人：卢启军;朱樟明;丁瑞雪;李跃进;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种屏蔽差分硅通孔结构，其从上往下依次为顶层介质层、硅衬底和底层介质层。一种屏蔽差分硅通孔结构的制备方法，包括(1)在硅衬底上刻蚀环形盲槽；(2)制备第一介质层；(3)制备屏蔽层；(4)刻蚀盲孔；(5)制备第二介质层；(6)制备差分线；(7)制备顶层介质层；(8)在顶层介质层上刻蚀环形槽和两个圆柱形孔；(9)制备顶层互连屏蔽层和顶层互连差分线；(10)将硅衬底减薄；(11)去除表层损伤层；(12)制备底层介质层；(13)在底层介质层上刻蚀环形槽和两个圆柱形孔；(14)制备底层互连屏蔽层和底层互连差分线
一种屏蔽差分硅通孔结构制作方法

[发明专利]一种显示装置-CN201711026293.0有效
发明人：杨帆;牛磊;马骏;李嘉灵 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置，属于显示技术领域，包括：相对设置的显示面板和光线调制基板；光线调制基板包括基底层和透明介质层，透明介质层设置在基底层靠近显示面板的一侧；其中，基底层上包括多个反射光栅结构；透明介质层覆盖基底层，透明介质层远离基底层的一侧表面为透明介质层表面；透明介质层的折射率为n，且n＞1；显示装置的出射光在显示装置外部汇聚成多个发光点。
一种显示装置

[发明专利]一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法-CN201210563894.6有效
发明人：张威;徐瑾;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：芯片：衬底层、N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在N型层和P型层上引出的N电极和P电极，芯片还包括覆盖在衬底层的底面和/或透明导电层的上表面的透明介质层；覆盖在衬底层的底面的透明介质层的折射率高于衬底层的折射率；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层的折射率高于透明导电层的折射率；覆盖在衬底层的底面的透明介质层包括若干从衬底层的底面延伸出的凸起；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从透明导电层的上表面延伸出的凸起
一种发光二极管芯片制备方法

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