专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]瓷外壳功率型电阻器开封分析方法-CN202111460764.5在审
  • 范士海 - 航天科工防御技术研究试验中心
  • 2021-12-02 - 2022-04-29 - G01N21/88
  • 本申请提供一种瓷外壳功率型电阻器开封分析方法,所述方法包括:失效位置失效原因分析方法;失效位置失效原因分析方法包括:获取电阻器的问题外观图像和问题内部图像;根据问题外观图像和问题内部图像确定疑似失效位置;对电阻器的外壳进行化学溶解暴露出电阻膜;获取电阻膜的问题图像;结合问题图像和疑似失效位置确定失效位置;根据问题图像确定失效位置的疑似失效原因;对电阻膜进行能谱分析得到能谱分析结果;结合能谱分析结果和疑似失效原因确定失效原因通过结构定位、物理测试和化学腐蚀相结合的方式进行开封分析,解决了瓷外壳功率型电阻器的失效分析问题,具有针对性强,操作简单的特点。
  • 外壳功率电阻器开封分析方法
  • [发明专利]一种器件失效的定位系统及方法-CN202010110552.3在审
  • 肖彪;邓梦;符超;曹竟元;林思岚 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2020-02-24 - 2020-06-23 - G01N21/88
  • 本发明公开了一种器件失效的定位系统及方法,该方法包括:开封装置,用于对待进行失效点定位的器件进行开封,以得到开封后的样品器件;偏置电源,用于对开封后的样品器件施加偏置电压;位置确定装置,用于在对开封后的样品器件施加偏置电压的情况下,对已施加偏置电压的样品器件的失效位置进行确定;位置显示装置,用于在已确定样品器件的失效位置的情况下,对已确定的器件的失效位置进行显示。本发明的方案,可以解决对失效器件的失效进行定位的难度较大的问题,达到降低对失效器件的失效进行定位的难度的效果。
  • 一种器件失效定位系统方法
  • [发明专利]一种芯片静电损伤的定位方法及装置-CN202010114630.7有效
  • 肖彪;张家华;符超;曹竟元;林思岚 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2020-02-24 - 2020-12-04 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种芯片静电损伤的定位方法及装置,该方法包括:对于芯片的失效样品,采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估,以得到失效样品的初始失效;调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后,再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估,以得到失效样品的新增失效;采用扫描电子显微镜,对初始失效和新增失效的特征信息进行分析,以将初始失效和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效,确定为样品的静电损伤。本发明的方案,可以解决芯片损伤位置的定位难度较大影响芯片的可靠性的问题,达到减小芯片损伤位置的定位难度以提升芯片的可靠性的效果。
  • 一种芯片静电损伤定位方法装置
  • [发明专利]正交通孔链测试结构开路失效的分析方法-CN201910788061.1有效
  • 周文婷;高金德 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2019-08-26 - 2022-03-18 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种正交通孔链测试结构开路失效的分析方法,先电性验证哪条正交通孔链出现开路情况,逐层研磨至失效位置上层介质层;将开路正交通孔链一端接地,使其处于接地状态,该通孔链另一端处于悬空状态,另一条相邻正常的通孔链处于悬空状态,在失效处上层金属互联层会出现明暗差别的电压衬度图像,观察失效处上层金属互联层上表面是否有失效;在确定的上层金属互联层失效处的x方向与失效区域相似结构处,利用聚焦离子束去层直至看见下层金属互联层结构,去层区域中与失效X方向所对应的下层金属互联层所在位置即为失效下层金属互联层位置,从而确定TEM的制样位置。本发明能够精确定位电路中开路失效模式的异常位置
  • 交通测试结构开路失效分析方法
  • [发明专利]半导体结构上失效的定位方法及治具的制作方法-CN202310074661.8在审
  • 陈家宝 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-01-16 - 2023-05-09 - G01R31/26
  • 本公开是关于一种半导体结构上失效的定位方法及治具的制作方法,所述半导体结构上失效的定位方法包括:提供治具;获取目标器件上失效失效坐标;将所述治具靠近所述目标器件;依据检索到的与所述失效坐标对应的所述定位,于所述目标器件上标记对应位置。本公开通过与目标器件位置对应的治具直接定位失效坐标的具体位置,而不再需要通过数常闭触点的个数来确定失效坐标在目标器件上的具体位置,减少了去层切片检测之前在目标器件上根据前置步骤中在电性测试设备上抓取到的失效地址找到失效的耗时
  • 半导体结构失效定位方法制作方法
  • [发明专利]一种芯片的失效分析方法及装置、电子设备、存储介质-CN202110730379.1有效
  • 林健 - 海光信息技术股份有限公司
  • 2021-06-29 - 2023-02-28 - G06F30/392
  • 本发明实施例公开一种芯片的物理失效分析方法及装置、电子设备、存储介质,涉及半导体加工技术领域,能够有效提高芯片的失效分析效率。所述方法包括:根据电学失效分析,获取目标芯片中可疑失效位置信息,所述位置信息包括所述可疑失效点在所述目标芯片中所处的目标图层对应的版图,以及所述可疑失效点在所述目标图层中的位置;根据所述可疑失效位置信息,获取所述目标芯片中预设范围内的芯片图像,得到第一图像,所述预设范围与所述位置信息相对应;通过预设的图像识别模型,对所述第一图像进行轮廓识别,得到第二图像;根据所述第二图像及所述目标图层对应的版图,确定所述可疑失效的物理失效情况本发明适用于芯片失效分析中。
  • 一种芯片失效分析方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]一种芯片失效位置的定位方法-CN202211447970.7在审
  • 田浩然;蒋庆红;罗俊一;务林凤 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-11-18 - 2023-03-21 - H01L21/66
  • 本发明提供一种芯片失效位置的定位方法,所述定位方法包括:S1),提供一待测的样品芯片,所述样品芯片包括功能单元区及外围布线区,所述外围布线区位于所述功能单元区的外周;S2),去除所述样品芯片位于所述功能单元区内的背面金属层;S3),基于失效点定位系统对所述样品芯片执行失效定位测试;S4),依据所述失效定位测试的测试结果,得到功能单元区失效位置坐标,完成定位。本发明提供的芯片失效位置的定位方能够解决现有芯片失效位置的定位方法中存在的与正面金属层相关的失效位无法被检测到、高压条件下的失效位无法被定位的问题。
  • 一种芯片失效位置定位方法

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