专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种预对准机的透明晶边缘提取方法-CN202010903002.7有效
  • 戴金方 - 无锡卓海科技有限公司
  • 2020-09-01 - 2021-03-16 - H01L21/68
  • 本发明公开了一种预对准机的透明晶边缘提取方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:不放置晶时采集线阵型CCD传感器的第一受光数据作为光源基准波形;放置待测透明晶并控制移动平台移动至晶边缘位于线阵型CCD传感器的检测范围内;旋转待测透明晶并采集线阵型CCD传感器的第二受光数据,从中提取出边缘数据;将边缘数据和光源基准波形进行差分处理,通过处理获取线阵型CCD传感器的遮光位置;对该遮光位置进行边缘补偿修正得到补偿后传感器的遮光位置;通过数模信号转换后输出给预对准机得到待测透明晶边缘位置。边缘补偿修正提高了晶边缘提取的精度,该提取方法使现有的预对准机也能支持透明晶边缘提取。
  • 一种对准透明边缘提取方法
  • [发明专利]支撑环的量测方法-CN202110023442.8有效
  • 蔡永慧;谭秀文;苏亚青 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-01-08 - 2022-07-19 - H01L21/66
  • 本申请公开了一种支撑环的量测方法,包括:通过晶的图像量测环形区域的宽度,该晶是经过太鼓减薄工艺减薄后的晶,环形区域是中心区域的边缘至边线的环形区域,中心区域是晶被减薄的区域,边线是晶边缘弧线与晶所在平面的交点形成的线;根据宽度、晶的直径和中心区域的直径计算边缘区域的宽度,边缘区域是从环形区域的边缘至晶边缘的环形区域;根据环形区域的宽度和边缘区域的宽度计算支撑环的宽度。本申请实施例中的边缘区域的宽度是通过量测计算得到,解决了相关技术中通过定值的边缘区域的宽度计算支撑环的宽度所导致的准确度较差的问题,提高了支撑环的宽度的计算的准确度。
  • 支撑方法
  • [发明专利]堆叠键合晶的处理方法-CN201910940053.4在审
  • 余兴;蒋维楠 - 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
  • 2019-09-30 - 2020-02-28 - H01L21/02
  • 一种堆叠键合晶处理方法,包括:向堆叠键合晶边缘注入胶体;同时切割去除所述堆叠键合晶的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。本发明的堆叠键合晶处理机台在对多层堆叠键合晶进行处理时,在每次对两键合的晶进行注胶和研磨后,无需进行去除注胶和削减(切割)步骤,在多层堆叠键合晶圆形成后,通过削减单元进行一步削减工艺即可同时切割去除所述堆叠键合晶的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体,因而可以避免多层堆叠晶的制作过程中多次削减带来的过多的晶边缘削减,进而避免造成过多的良率损失。
  • 堆叠键合晶圆处理方法
  • [实用新型]一种晶边缘固定装置-CN202223013343.0有效
  • 殷鑫;余先育;张兴华;唐德明 - 上海优睿谱半导体设备有限公司
  • 2022-11-11 - 2023-05-12 - H01L21/687
  • 本实用新型涉及半导体制造技术领域,提出一种晶边缘固定装置,包括:基板,其设置有空腔,其中晶布置在所述空腔处;多个托条,其布置在所述空腔的边缘处,其中所述托条与所述晶边缘接触并且托载所述晶;多个夹持装置,其布置在所述空腔的边缘处,所述多个夹持装置与控制装置连接;以及控制装置,其布置在所述基板上,其中所述控制装置被配置为控制多个所述夹持装置夹紧或者松开所述晶边缘。本实用新型可以从晶边缘处固定晶,避免了现有技术中负压吸附从晶底部施加作用力容易对晶的尺寸乃至内部结构造成影响的问题。
  • 一种边缘固定装置
  • [发明专利]晶边清洗装置及晶晶边清洗方法-CN201811061241.1在审
  • 邢磊 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-09-12 - 2020-03-20 - H01L21/02
  • 本发明提供一种晶晶边清洗装置及晶晶边清洗方法,清洗装置包括:晶卡盘;位置传感装置,设置于晶卡盘上,用于感测晶边缘的至少三个边缘位置坐标;数据处理终端,用于接收各边缘位置坐标,并基于各边缘位置坐标换算出圆心位置坐标,继而将圆心位置坐标与晶卡盘中心的位置进行比对,以基于比对结果判断是否继续进行晶的晶边光刻胶清洗。本发明可以实时监测晶与晶卡盘之间的位置关系,判断晶是否发生偏移,及时发现缺陷并进行处理,从而在晶晶边清洗工艺之前及时调整晶的位置,保证在晶清理时具有精确的洗边宽度,提高洗边效果,改善了晶边缘脱落缺陷
  • 晶圆晶边清洗装置方法
  • [发明专利]边缘曝光工艺的检测方法-CN201210063076.X有效
  • 甘志锋;沈悦;卢子轩 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-03-09 - 2013-09-18 - G01B11/02
  • 本发明一种晶边缘曝光工艺的检测方法,提供测试晶,在所述测试晶表面临近边缘处设置有至少一个定位图标群组;在所述测试晶表面涂覆光刻胶,并进行晶边缘曝光工艺;利用掩膜版对所述测试晶表面的光刻胶进行全面图形曝光;对所述光刻胶进行显影;根据所述图案化的光刻胶的边界位置与所述定位图标群组的位置关系确定晶边缘光刻胶的去除宽度是否符合工艺要求,根据图案化的光刻胶的边界外是否有残留的光刻胶确定晶边缘曝光工艺的曝光强度是否符合工艺要求本发明所述晶边缘曝光工艺的检测方法不仅能够确定晶边缘光刻胶的去除宽度是否符合工艺要求,并且能够确定曝光强度是否符合工艺要求,提高了检测效率并提高了检测的准确性。
  • 边缘曝光工艺检测方法

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