[发明专利]堆叠键合晶圆的处理方法在审
| 申请号： | 201910940053.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110854011A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 余兴;蒋维楠 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种堆叠键合晶圆处理方法，包括：向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体；同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。本发明的堆叠键合晶圆处理机台在对多层堆叠键合晶圆进行处理时，在每次对两键合的晶圆进行注胶和研磨后，无需进行去除注胶和削减(切割)步骤，在多层堆叠键合晶圆形成后，通过削减单元进行一步削减工艺即可同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体，因而可以避免多层堆叠晶圆的制作过程中多次削减带来的过多的晶圆边缘削减，进而避免造成过多的良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 键合晶圆 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
