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[发明专利]微结构制造和微系统集成-CN03136732.1无效
发明人：黄智礼 -专利权人：黄智礼
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： B81C5/00 文献下载
摘要：本发明涉及微结构器件制造与微系统集成技术。微结构器件通过液态聚合物注入器件模具浇铸制造。器件模具由模型元件和功能元件组合而成，其中模型元件可包括可铸造模型元件。在浇铸微结构器件后，从微结构器件中分离模型元件而保留功能元件在其中，由此实现了具有功能元件和微结构集成器件。
微结构制造系统集成

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810825543.5有效
发明人：张长昀;张铭庆;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。第一FinFET器件包括在顶视图中在第一方向上延伸的第一鳍结构。第二FinFET器件包括在顶视图中在第一方向上延伸的第二鳍结构。第一FinFET器件和第二FinFET器件是不同类型的FinFET器件。在顶视图中多个栅极结构在第二方向上延伸。第二方向不同于第一方向。每个栅极结构部分地包裹在第一鳍结构和第二鳍结构周围。在第一FinFET器件和第二FinFET器件之间设置介电结构。介电结构将每个栅极结构切割成用于第一FinFET器件的第一区段和用于第二FinFET器件的第二区段。介电结构位于相比于第二FinFET器件更靠近第一FinFET器件的位置。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]检查方法和设备、用于在其中使用的衬底及器件制造方法-CN201910257283.0在审
发明人： E·博加特;F·比杰南;A·登博夫;S·G·J·马斯杰森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：衬底设置有器件结构和量测结构(800)。器件结构包括展现出对一个或多个波长的激发辐射的非弹性散射的材料。器件结构包括在一个或多个尺寸上足够小以致非弹性散射的特性显著地受量子约束的影响的结构。量测结构(800)包括在组成和尺寸上类似于器件特征的器件状结构(800b)，和校准结构(800a)。校准结构在组成上类似于器件结构但在至少一个尺寸上不同于器件结构。使用实施拉曼光谱术的检查设备和方法，通过将从器件状结构非弹性地散射的辐射的光谱特征与从校准结构非弹性地散射的辐射的光谱特征进行比较可以测量出器件状结构的尺寸。
器件结构校准结构非弹性散射光谱特征量测结构非弹性散射衬底方法和设备拉曼光谱术激发辐射检查设备量子约束器件特征器件制造辐射波长测量检查

[发明专利]检查方法和设备、用于在其中使用的衬底及器件制造方法-CN201480035531.2有效
发明人： E·博加特;F·比杰南;A·登博夫;S·G·J·马斯杰森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：衬底设置有器件结构和量测结构(800)。器件结构包括展现出对一个或多个波长的激发辐射的非弹性散射的材料。器件结构包括在一个或多个尺寸上足够小以致非弹性散射的特性显著地受量子约束的影响的结构。量测结构(800)包括在组成和尺寸上类似于器件特征的器件状结构(800b)，和校准结构(800a)。校准结构在组成上类似于器件结构但在至少一个尺寸上不同于器件结构。使用实施拉曼光谱术的检查设备和方法，通过将从器件状结构非弹性地散射的辐射的光谱特征与从校准结构非弹性地散射的辐射的光谱特征进行比较可以测量出器件状结构的尺寸。
检查方法设备用于其中使用衬底器件制造

[发明专利]元器件的转移装置及元器件的生产系统-CN202310602149.6有效
发明人：程新本 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明涉及元器件转移技术领域，公开了元器件的转移装置及元器件的生产系统，本发明元器件的转移装置，包括本体和至少两组吸附结构，至少两组吸附结构间隔设置在本体上，至少一组吸附结构与本体活动连接；至少两组吸附结构具有相互靠近的靠近状态，及相互远离的远离状态；吸附结构适于吸附元器件。至少两组吸附结构在吸附不同尺寸的元器件时，可根据元器件的尺寸调整位置，保证对不同尺寸的元器件均可具有较为稳定的吸附作用，避免在元器件转移的过程中发生元器件偏移。
元器件转移装置生产系统

[发明专利]集成芯片及其设计和制造方法-CN202110014641.2在审
发明人：张永丰;杨宝如;张育荣;李宗吉;谢东衡;许峻嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：集成芯片的有源器件区上的多段线的阵列延伸，以在相邻的隔离区域上形成伪器件结构。所得的伪器件结构是具有与有源器件区上的多段线的阵列相同的线宽度、线间距和节距的多段线的阵列。伪器件结构的多段线与有源器件区上的多段线在网格上。由于伪器件结构由与有源器件区上的多段线在网格上的多段线形成，所以伪器件结构可以比可能的情况更接近有源器件区。伪器件结构与有源器件区的所得接近度提高了抗凹陷性能，并且减小集成芯片上的空白空间。本发明的实施例涉及集成芯片及其设计和制造方法。
集成芯片及其设计制造方法

[实用新型]一种元器件插件引脚支撑封装结构-CN202223223208.9有效
发明人：徐静霞;张文发;罗坚;刘荣翔 -专利权人：惠州市金百泽电路科技有限公司;深圳市金百泽科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种元器件插件引脚支撑封装结构,包括元器件，所述元器件设有引脚；电路板，所述电路板设有插件孔；插件引脚支撑结构，为金属材质，中部设有通孔；所述元器件引脚在插件引脚支撑结构通孔位置与插件引脚支撑结构固定，插件引脚支撑结构下端插入电路板的插件孔中，将元器件的引脚插入插件引脚支撑结构的通孔之后，然后将元器件引脚与电路板焊接连通，此时，由于插件引脚支撑结构具有一定的长度，因此可以将元器件设置在一定的高度位置，通过改变插件引脚支撑结构的长度，从而将元器件设置在指定的高度位置，固定后的元器件引脚外侧被插件引脚支撑结构包裹，元器件稳定性增加。
一种元器件插件引脚支撑封装结构

[发明专利]具有高密度输入/输出数量的集成器件的电接口-CN98810695.7无效
发明人： D·科尔宾;E·博加丁 -专利权人：硅光机器公司
申请日： 1998-06-23 - 公布日： 2000-12-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种用于电互连两个集成电路器件的装置和方法包括面对面的安装两个器件。例如把第一器件安装到基底或引线结构。第一器件包括优选地沿一边排列的多重电气/物理安装结构。安装结构提供了电互连和物理安装。第二器件包括相应的多重安装结构,该结构构成了在第一器件上的安装结构的镜象。在第二器件上的安装结构也沿着它的一边排列使得一旦安装结构以面对面关系放在一起,第二器件能悬离第一器件的边。在特定环境下,把虚拟块安装到邻近第一器件的基底上,作为第二器件的支杆或支撑。安装结构能互相充分靠近使用于I/O的表面积最小。另一套电互连结构在与安装结构相对边缘的第二器件的表面上形成。使用传统技术例如载带自动键合来形成这些气互连结构。
具有高密度输入输出数量集成器件接口

[发明专利]一种氮化镓金属氧化物半导体晶体管及其制备方法-CN202011638950.9有效
发明人：赵成;孙越;韩亚;王思元;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：涉及氮化镓功率半导体器件。提供了一种采用环状漂移区结构，增大器件结构中漂移区的长度以提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件的平面集成的一种氮化镓金属氧化物半导体晶体管本发明具有增大器件结构中漂移区的长度以提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件的平面集成等特点。
一种氮化金属氧化物半导体晶体管及其制备方法

[实用新型]一种短接电子器件的安装装置-CN201920699553.9有效
发明人：夏先福 -专利权人：江西相岩科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种短接电子器件的安装装置，其结构包括安装壳、固定板、插槽、电子器件、卡槽、推出结构和卡扣结构，通过在安装壳的插槽内设置了卡扣结构，且在电子器件左右两侧设置了卡槽，在对短接电子器件进行安装时，只需将短接电子器件插入该插槽内，通过插槽内对卡扣结构对电子器件上的卡槽进行扣接，对电子器件进行固定，且设置了推出结构，在需要将电子器件进行取出时，通过按下安装壳前端的按压钮断开卡扣结构与电子器件的扣接，即可将电子器件进行拿出，达到了方便对电子器件进行安装，且方便进行取出的有益效果。
电子器件卡扣结构插槽安装壳短接推出结构卡槽扣接取出本实用新型安装装置左右两侧按压钮固定板按下断开

[发明专利]一种光集成器件结构-CN201811562402.5在审
发明人：薛磊;岳庆冬 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种光集成器件结构。该结构包括：衬底(001)；第一沟槽(0021)，设置在所述衬底(001)上；光器件(100)，设置在所述第一沟槽(0021)之间；CMOS器件(200)，设置在所述第一沟槽(0021)一侧；应力氮化硅膜，设置在所述CMOS器件(200)上。本发明提出的光集成器件结构通过将光器件以及CMOS器件集成到一块衬底上形成，器件结构新颖兼容性好、器件集成度高、工艺成本低。
一种集成器件结构

[发明专利]一种OLED器件封装结构、制作方法及显示装置-CN201810845638.3有效
发明人：张豪峰 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种OLED器件封装结构、制作方法及显示装置，其中，OLED器件封装结构包括：封装层和OLED器件；该封装层和该OLED器件之间具有空腔结构。通过封装层和OLED器件之间的空腔结构使得封装层与OLED器件不直接接触，在屏幕弯折时起到缓冲应力的作用，避免了屏幕弯折时造成的阴极与OLED器件剥离的现象，避免了封装层对OLED器件造成干扰和破坏，提高了OLED器件寿命。
一种 oled 器件封装结构制作方法显示装置

[发明专利]一种印刷线路板上元器件的封装及其制作方法-CN201210043250.4有效
发明人：王桂香;杨芳 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种印刷线路板上元器件的封装，所述封装包括焊盘部分和钢网部分，所述焊盘部分包括第二元器件焊盘结构和用于焊接第一元器件的顶层金属皮结构，所述顶层金属皮结构的中心与第二元器件焊盘结构的中心重叠，第二元器件焊盘结构与用于焊接第一元器件的顶层金属皮结构结合形成焊盘部分；所述钢网部分包括间距设置的第一元器件钢网结构和第二元器件钢网结构，所述第二元器件钢网结构和第一元器件钢网结构结合形成钢网部分。本发明提供的印刷线路板上元器件的封装结构可以对第一元器件和第二元器件进行贴片生产，不需要重新设计封装结构，有效减少了产品的生产周期、修改设计带来的额外风险和备料的风险。
一种印刷线路板上元器件封装及其制作方法

[发明专利]一种三维集成电路-CN202310882744.X在审
发明人：张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种三维集成电路，包括：底部器件层，所述底部器件层具有底部器件层的有源器件、和与之连接的底部器件层的电连接结构；形成在底部器件层上方的上方第一器件层，所述上方第一器件层具有上方第一器件层的有源器件、和与之连接的上方第一器件层的电连接结构；其中，所述底部器件层的电连接结构和所述上方第一器件层的电连接结构之间电连接，底部器件层的有源器件和第一器件层的有源器件为平面结构的CMOS晶体、全环栅极场效应晶体管
一种三维集成电路

[发明专利]用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略-CN201410111306.4有效
发明人： J·A·罗杰斯;R·G·诺奥;M·梅尔特;高興助;J·尹;E·梅纳德;A·J·巴卡 -专利权人：伊利诺伊大学评议会
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供了如下的方法，其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构，并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构，来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、（光）电器件和器件构件的方式。
用于制造转移半导体结构器件构件策略