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[发明专利]一种基于双钙钛矿单晶的紫外光探测器及制备方法-CN202011152593.5有效
发明人：范建东;包云开;李闻哲;袁雅暄;张阳奕;孟啸 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于双钙钛矿单晶的紫外光探测器及制备方法。该基于双钙钛矿单晶的紫外光探测器包括基板、双钙钛矿单晶、电极和导电金丝，双钙钛矿单晶是通过A、BⅠ、BⅡ、X位组合成的双钙钛矿单晶，其中，A＝Ag‑EN2，BⅠ本发明通过用A2BⅠBⅡX6结构的双钙钛矿材料代替传统钙钛矿材料制作双钙钛矿单晶紫外光探测器，解决了传统钙钛矿中铅的生物毒性带来的问题
一种基于双钙钛矿单晶紫外光探测器制备方法

[发明专利]一种双钙钛矿单晶及其制备方法和应用、双钙钛矿单晶光电探测器-CN202111133479.2有效
发明人：高云;汪慧;胡辉;凯文·彼得·霍姆伍德;李荣 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种双钙钛矿单晶及其制备方法和应用、双钙钛矿单晶光电探测器，涉及单晶材料技术领域。Sub>2AgErxBi1‑xCl6(x为0～0.9)双钙钛矿单晶的粒度与纳米级单晶相比，本发明提供的双钙钛矿单晶具有更低的缺陷，更高的载流子寿命和迁移率，光致发光性能和环境稳定性优异，应用于光电器件中能够提高光电器件的整体性能；还有利于探究材料的光电特性。进一步的，掺铒双钙钛矿单晶显著提高光电探测的光响应率和探测率。而且，传统的双钙钛矿纳米单晶需制成薄膜再应用于光电器件中，而本发明提供的双钙钛矿单晶可直接应用于光电器件中，无需先制备成膜，应用简单，成本低。
一种双钙钛矿单晶及其制备方法应用光电探测器

[发明专利]一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶的制备方法和应用-CN202210295988.3有效
发明人：李林;邵琪 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶的制备方法和应用，它涉及一种无铅双钙钛矿单晶的制备方法和应用。本发明的目的是要解决含有铅离子的有机‑无机杂化钙钛矿的有毒性和材料较差的稳定性限制了其在实际应用中的发展和现有制备的探测器上无法同时适用于可见光探测和X射线探测的模式的问题。方法：一、制备钙钛矿前驱体溶液；二、单晶生长；三、退火。一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶用于制备平面型光电探测器。一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶用于制备X射线探测器。本发明可获得一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶。
一种基于调谐掺杂无铅双钙钛矿单晶制备方法应用

[发明专利]一种双钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法-CN201811608975.7在审
发明人：范建东;李闻哲;袁伟南;王华民;麦耀华 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种双钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法，该双钙钛矿单晶光电探测器包括基板，所述基板之上依次为双钙钛矿单晶、电极和银胶，所述两个电极分别连接导电金丝，所述双钙钛矿单晶是在其钙钛矿生长单晶的溶液中添加不同的阳离子形成一种双钙钛矿结构
单晶双钙钛矿光电探测器离子阳离子电极基板制备载流子双钙钛矿结构导电金丝光照条件浓度增加苯乙胺钙钛矿光电流甲基胺丁胺甲脒银胶掺杂生长检测

[发明专利]一种无铅双钙钛矿单晶的紫外光探测器及其制备方法-CN201910037832.3有效
发明人：李闻哲;范建东;袁伟南;王华民;冼业铭;尹航 -专利权人：暨南大学
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅双钙钛矿单晶的紫外光探测器，从下至上依次包括：基板、无铅双钙钛矿单晶、电极、银胶和导电金丝，所述无铅双钙钛矿单晶是通过A、BI、BIII、X组成，所述的分子结构式为A双钙钛矿单晶材料选自Cs2AgInCl6、Cs2NaInCl双钙钛矿材料解决了传统钙钛矿中铅的生物毒性带来的问题，并具有优异光电性能，相比传统钙钛矿材料具有更高、更迅速的紫外响应；在空气和湿度的环境下能保持良好的性能，具有更好的稳定性。
一种无铅双钙钛矿单晶紫外光探测器及其制备方法

[发明专利]一种双钙钛矿粒子探测器及其制备方法-CN201911105560.2在审
发明人：邓贞宙;宋智勇;唐江;牛广达;洪伟毅 -专利权人：南昌大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双钙钛矿粒子探测器及其制备方法，从上至下依次包括：双钙钛矿单晶、光电放大器件，所述双钙钛矿单晶是通过A、B、C、X组成，所述双钙钛矿单晶分子结构式为A2双钙钛矿单晶材料选自Cs2AgBiBr6、MA2AgBiBr双钙钛矿材料可有效避免重金属铅对人体和环境的危害，且具有优异光电性能，能有效避免深能级缺陷的形成，晶体质量得到改善，光学性能极大提高；相比传统钙钛矿材料具有更好的稳定性，在空气中不易分解变质。
一种双钙钛矿粒子探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于LIPSS钙钛矿单晶薄膜及其制备方法和应用-CN202310418667.2在审
发明人：姜澜;李圣佳;孙靖雅;连易灵;陶文攀;吴旭 -专利权人：北京理工大学长三角研究院（嘉兴）;北京理工大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K71/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LIPSS钙钛矿单晶薄膜及其制备方法和应用，涉及钙钛矿光电探测器技术领域。其制备方法包括以下步骤：在预处理基材表面利用垂直偏振的飞秒激光双脉冲诱导加工出表面周期性结构；滴加钙钛矿前驱体溶液，盖上PDMS衬底并轻压，加热；利用垂直偏振的飞秒激光双脉冲诱导加工出表面周期性结构，制得基于LIPSS钙钛矿单晶薄膜。采用本发明的钙钛矿单晶薄膜制备的光电器件不仅拥有更加优异的光电性能，而且工艺简单，成本低，本发明解决了现有钙钛矿薄膜光吸收效果差、量子效率和响应度低的问题。
一种基于 lipss 钙钛矿单晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法-CN202310743828.5在审
发明人：杨迎国 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-06-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于光电器件技术领域，具体为一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法。本发明制备方法包括：内核钙钛矿前驱体溶液制备和内核钙钛矿晶体制备，外壳钙钛矿的前驱体溶液制备和壳层结构钙钛矿单晶制备。核壳结构的钙钛矿单晶生长过程中是以内核晶体作为晶种提供了外壳晶体生长的位点，这种方式制备的壳层结构单晶将与纯相单晶具有明显性能差异；本发明制备的半导体单晶可用于制备X射线光电探测器，该X射线光电探测器表现出优异的
一种双核壳层结构钙钛矿半导体及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿异质结及其制备方法-CN202310199928.6在审
发明人：张伟;邹政;肖梓杰;钟健斌;关伯瑛;刘翠红 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件技术领域，尤其是涉及一种钙钛矿异质结及其制备方法，该钙钛矿异质结包括窄带隙钙钛矿单晶和宽带隙钙钛矿单晶，且宽带隙钙钛矿单晶负载在窄带隙钙钛矿单晶的表面；其中，窄带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.21eV‑2.34eV，宽带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.91eV‑3.29eV。本发明的钙钛矿异质结结构为宽带隙钙钛矿单晶包裹窄带隙钙钛矿单晶，因外层钙钛矿的带隙较宽，其吸光波长范围相比于内层窄带隙钙钛矿更窄，因此仅需选择合适波段的激光激发，便能避免外层钙钛矿信息的干扰而直接获取内层钙钛矿信息同时，因外层钙钛矿可以起到保护内层钙钛矿的作用，可在一定程度上钝化内部钙钛矿的表面缺陷并隔绝工作环境中水蒸气及氧气的影响。
一种钙钛矿异质结及其制备方法

[发明专利]一种双胺二维钙钛矿单晶及其X射线探测器和制备方法-CN202211419582.8在审
发明人：游家学;张波波;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种双胺二维钙钛矿单晶及其X射线探测器和制备方法，双胺二维钙钛矿单晶表示为ABX4，A为二甲基双胍或二氰二胺，B为Pb2+钙钛矿单晶中的有机组分选用双胺型A位分子，双胺型A位分子包含富电子胺、亚胺和贫电子胺基团等多种官能团，可与BX4八面体形成强相互作用，提高钙钛矿晶格刚度，降低电子‑声子耦合和晶格畸变，使二维钙钛矿单晶具有高的载流子迁移率，有利于实现更高的X射线灵敏度。
一种二维钙钛矿单晶及其射线探测器制备方法

[发明专利]一种紫外-可见光双波段光电探测器件及其制备方法-CN201811354384.1有效
发明人：张秀娟;张晓宏;揭建胜;邓巍 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法、紫外‑可见光双波段光电探测器件及其制备方法。该钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法包括：获得钙钛矿的二甲基甲酰胺或二甲基亚砜溶液；将上述溶液加入易挥发有机溶剂中并搅拌直至溶液呈灰褐色；将呈灰褐色溶液离心分离，去除上清液后获得钙钛矿纳米颗粒；获得钙钛矿纳米颗粒与有机半导体溶液的混合溶液；将生长基底浸入混合溶液；以预定速度提拉生长基底，从而在生长基底上获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构。本发明利用一种新的方法制备获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构，可应用在紫外‑可见光双波段光电探测器件上，并具有极高的光电性能。
一种紫外可见光波段光电探测器件及其制备方法

[发明专利]一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法-CN202110156359.8在审
发明人：孙文红;王玉坤;李磊 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光电材料技术领域，提供了一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法，包括：配制钙钛矿过饱和溶液；将钙钛矿过饱和溶液进行过滤，并将过滤后的钙钛矿过饱和溶液以预设升温速度升温至最大阈值温度，析出钙钛矿单晶；将析出的钙钛矿单晶颗粒作为籽晶，并置于重新配制的钙钛矿过饱和溶液中培养，生长得到大尺寸钙钛矿单晶。本发明利用钙钛矿饱和溶液逆溶解度特性生长大尺寸钙钛矿单晶，无需复杂的生长设备，生长工艺简单，设备成本低，且生长得到的钙钛矿单晶晶体的尺寸大质量高，有利于促进钙钛矿单晶光电器件的大规模应用。
一种生长尺寸钙钛矿单晶方法

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件-CN201810300842.7有效
发明人：赵晋津;张颖;李韶华;聂国权;刘金喜;欧云;孔国丽;张存;刘正浩;董晓琳;吴竞伟;王婕 -专利权人：石家庄铁道大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件，该方法包括：将有机金属卤化物ABX3单晶颗粒和有机卤化物AX固体粉末充分混合研磨成前驱体钙钛矿混合物；将前驱体钙钛矿混合物布满第一载流子传输层，使其液化并发生化学反应，形成液相钙钛矿薄膜；对液相钙钛矿薄膜进行加压、退火处理获得钙钛矿单晶薄膜；在钙钛矿单晶薄膜上表面依次制备第二载流子传输层和金属电极，制备成太阳能电池本发明通过将单晶钙钛矿颗粒液化，并对液相钙钛矿进行处理获得钙钛矿单晶薄膜，有效缩短钙钛矿单晶薄膜的制备周期，简化制备工艺，从而缩短钙钛矿单晶薄膜太阳能电池的制备时间，实现钙钛矿混合物的重复利用，节约成本
一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法器件

[发明专利]外延生长有机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法-CN201811483408.3在审
发明人：赵晋津;张颖;欧云;钟高阔;刘金喜;刘正浩;李明;吴竞伟;赵泽文;贾春媚;苏晓 -专利权人：石家庄铁道大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法，涉及外延生成单晶钙钛矿薄膜技术领域。本发明通过运用毛细管力和温度梯度，在晶格匹配单晶基底片上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜，从而控制钙钛矿晶体的形貌，使单晶钙钛矿薄膜与单晶基底片晶格匹配，提高单晶钙钛矿薄膜的质量。与现有技术相比，本发明操作简单，薄膜形貌和厚度可控，容易获得与单晶基底片晶格匹配的优质单晶薄膜；同时，单晶钙钛矿薄膜生长周期短，降低了成本。
单晶钙钛矿薄膜单晶薄膜晶格匹配钙钛矿基底片厚度可控制备无机金属卤化物有机金属卤化物形貌钙钛矿晶体薄膜形貌毛细管力生长周期外延生长温度梯度优质单晶原位生长薄膜

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