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[发明专利]全空间尖端结构的等离子体增强型光电探测器的制备方法-CN202311002086.7在审
发明人：李金华;王婉玉;石凯熙;翟英娇;姜振峰 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种全空间尖端结构的等离子体增强型光电探测器的制备方法，包括以下步骤：在叉指电极上制备WS2薄膜，制得WS2基光电探测器；制备金纳米粒子；金纳米粒子为具有全空间尖端结构的海胆形金纳米粒子；将金纳米粒子溶于PMMA溶液，将溶于PMMA溶液的金纳米粒子集成在WS2薄膜上，制得等离子体增强型WS2基光电探测器。本申请提供的光电探测器的制备方法，通过将具有全空间尖端结构的金纳米粒子与二维薄膜材料集成，利用具有多尖端效应的海胆形金纳米粒子实现更强的LSPR效果，使二维材料获得更强光吸收；利用PMMA层避免金纳米粒子与二维材料直接接触，有效降低器件暗电流，对发展高性能光电器件具有重要意义。
空间尖端结构等离子体增强光电探测器制备方法

[发明专利]一种基于CdSe/MoS2-CN202310600896.6有效
发明人：李金华;王子恒;楚学影;石凯熙;翟英娇;徐铭泽 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测领域，具体为一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底，复合于衬底表面的CdSe/MoS2异质结，沉积于CdSe/MoS2异质结的两端的电极。制备方法为：在衬底表面设置少层的二硫化钼薄膜，得到复合体A；在复合体A中少层二硫化钼薄膜表面设置硒化镉纳米棒，得到复合体B；对复合体B上CdSe/MoS2异质结的两端分别沉积电极，得到偏振光电探测器。本发明在衬底表面分别设置少层的二硫化钼薄膜和硒化镉薄膜，在CdSe/MoS2异质结的区域设置了电极，通过上述处理，能够有效的提高探测器对偏振光的响应能力。
一种基于 cdse mos base sub

[发明专利]异质红外SAM-APD材料、异质红外SAM-APD及其制备方法-CN202211467066.2在审
发明人：王登魁;方铉;项超;房丹;牛守柱;楚学影;翟英娇;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种异质红外SAM‑APD材料、异质红外SAM‑APD及其制备方法。异质红外SAM‑APD材料，包括III‑V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在III‑V族吸收层和Si倍增结构层之间的III‑V族垂直超晶格缓冲层。异质红外SAM‑APD的制备方法：通过离子注入技术对Si进行掺杂得到Si倍增结构层；在Si倍增结构层的表面依次外延生长III‑V族垂直超晶格缓冲层和III‑V族吸收层；采用紫外光刻技术制作刻蚀图形，利用电感耦合等离子体设备刻蚀APD台面结构，得到异质红外SAM‑APD。本申请提供的异质红外SAM‑APD材料，实现APD工作波长的拓展和增益性能的提升，易于实现硅基片上集成。
红外 sam apd 材料及其制备方法

[发明专利]基于胶体量子点和硅的SAM-APD材料及其制备方法和SAM-APD-CN202211326005.4在审
发明人：方铉;王登魁;郝誉;房丹;牛守柱;楚学影;翟英娇;李金华;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料的制备方法：制备Si接触层、Si倍增层和Si电荷层；然后在Si电荷层的表面依次设置胶体量子点，得到CQD吸收层和CQD接触层。本申请提供的基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，胶体量子点展现出了Si的兼容性，而且胶体量子点的生长降低了材料生长的复杂性与成本，结合Si能够实现具有高增益、低噪声、低成本等优点。
基于胶体量子 sam apd 材料及其制备方法

[发明专利]一种铋离子修饰铁酸镨基固体氧化物燃料电池阳极材料及其制备方法-CN202110702586.6在审
发明人：金芳军;孙宁;刘小伟;李金华;沈羽;王芳;徐铭泽;楚学影;翟英娇 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种固体氧化物燃料电池的阳极材料及其制备方法与应用，属于固体氧化物燃料电池阳极材料技术领域。本发明的目的是针对固体氧化物燃料电池阳极材料在还原气氛氛围中时容易分解，从而影响电池性能的问题。该阳极材料为钙钛矿结构氧化物，化学式为Pr2O3‑BiFe@Pr1‑xBixFeO3，其中0x1。本发明的阳极材料通过铋离子掺杂可提高在还原性气氛中的稳定性，并且析出均匀分布的纳米颗粒，具有良好的导电性能、较低的极化电阻和良好催化活性等。本发明的阳极材料制备的SOFCs在碳氢燃料气氛下表现出较好的稳定性能以及较高的功率输出密度，可作为一种新型的SOFCs阳极材料使用。
一种离子修饰铁酸镨基固体氧化物燃料电池阳极材料及其制备方法

[发明专利]铋离子掺杂层状双钙钛矿阴极材料及其制备方法-CN202011596729.1在审
发明人：金芳军;刘小伟;孙宁;李金华;徐铭泽;楚学影;翟英娇;沈羽;王芳 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明属于固体氧化物燃料电池领域，具体涉及一种A位掺杂Bi改性的层状双钙钛矿材料及其制备方法。一种材料结构式为Ln1‑xBixBaCo2O5+δ,δ为使化学式的化合物保持电中性的值。该材料是采用甘氨酸硝酸盐法制备的，工艺简单,且不需要昂贵的实验仪器。本发明获得的材料在具有优异的氧交换能力以及催化活性，减小烧结温度，优越的稳定性等特点，能够获得高电化学性能,长时间运行稳定的固体氧化物燃料电池材料,有利于降低电池成本。
离子掺杂层状双钙钛矿阴极材料及其制备方法

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法-CN202111374874.X在审
发明人：方铉;詹燕燕;王登魁;房丹;李金华;翟英娇;王海珠;范杰;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C22B30/04 文献下载
摘要：利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法涉及材料制备技术领域，解决了现有制备不能兼顾生长速度和形貌控制的问题，步骤一、通过电化学剥离方法制备二维VA族层状材料，电解液的溶质为四丙基溴化铵粉末溶剂为有机溶剂；以VA族材料作为阴极、铂片作为对电极、Ag/AgCl作为参比电极；步骤二、将电解液中剥离得到的二维VA族层状材料进行分离，然后洗涤；步骤三、选择具有极性的第二溶液洗涤步骤二得到的二维VA族层状材料，得到调控形貌后的二维VA族层状材料。本发明利用电化学剥离法对生长条件要求较低、生长速率快，可以快速剥离且不破坏材料本身，通过改变第二溶液极性的大小可以调控二维VA族层状材料的形貌。
利用溶液极性调控二维 va 层状材料形貌制备方法

[发明专利]一种基于金属线栅复合薄膜的紫外偏振光谱探测器-CN202111393238.1在审
发明人：楚学影;王子恒;李金华;徐铭泽;翟英娇;金芳军 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种基于金属线栅复合薄膜的紫外偏振光谱探测器涉及荧光转换偏振光谱领域，解决了硅基结构限制光谱响应范围和量子点大面积取向困难的问题。该探测器包括：亚波长线栅结构根据设定选择透过已知偏振方向的紫外偏振光；紫外‑可见光转换薄膜复合在亚波长线栅结构的背部，将已知偏振方向的紫外偏振光转换为可见光；成像显示器件/光谱仪接收可见光，探测经由亚波长线栅结构和紫外‑可见光转换薄膜后透射可见光的光谱信息和偏振信息。本发明能够使用可见CCD/CMOS/光谱仪来实现对紫外偏振光的探测，大幅度提高紫外偏振探测范围，提高对目标的识别能力。其次还具有体积小、功耗低、抗扰能力强、对环境要求低、易于实现器件集成、面积可控等优点。
一种基于金属线复合薄膜紫外偏振光谱探测器

[发明专利]微升量级含葡萄糖待测样液的飞摩尔量级浓度检测方法-CN202110620438.X在审
发明人： 翟英娇;张昱;李金华;房文汇;楚学影 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：微升量级含葡萄糖待测样液的飞摩尔量级浓度检测方法属于生物传感器应用技术领域。现有技术的检测精度只有mM量级，待测样液的用量也在mL量级上。本发明其特征在于，首先，将MoS2薄膜FET与微流控芯片集成为微流控电化学传感芯片；其次，采用微量数字注射泵将微升体积量级含葡萄糖并加有葡萄糖氧化酶的待测样液通过微流控芯片通道注入所述微流控电化学传感芯片中；第三，根据半导体参数分析仪输出的漏极电流Ids判定所述含葡萄糖待测样液的浓度，所述浓度为fM浓度量级，所需待测样液的用量只需3～5μL，能够实现痕量检测。
微升量级葡萄糖待测样液摩尔浓度检测方法

[发明专利]一种MoS2-CN202010973579.5在审
发明人：李金华;石凯熙;翟英娇;楚学影 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明本发明属于无机纳米材料技术领域，公开了一种MoS2二维材料S空位缺陷调控的制备方法，将S源置于双温区管式炉的低温区，将Mo源和衬底置于双温区管式炉的高温区，保证S源过量，在氩气环境中，保持高温区Mo源生长温度700℃不变，将低温区S源生长温度分别升温至160℃、165℃、170℃，并持续双温区生长温度1小时，待管式炉自然冷却后，得到不同S空位缺陷浓度的双层MoS2二维材料样品。本发明在MoS2二维材料制备的过程中，设计直接通过升高S源温度来调控CVD反应过程中S蒸汽浓度，增加S空位形成能，提高S‑Mo成键概率来降低S空位缺陷浓度，以此获得高结晶质量的MoS2二维材料。
一种 mos base sub

[发明专利]一种提高光电探测性能的MoS2-CN202010051420.8在审
发明人：石凯熙;李金华;翟英娇;楚学影;柳琦 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种提高光电探测性能的MoS2光电晶体管及其制备方法涉及光电探测技术领域。基于新型2D/0D杂化的叉指型光电晶体管，实现高响应度、超快响应速度、自供电光电探测性能。该光电晶体管包括：Si/SiO2衬底、双层MoS2薄膜、Pt电极、InP@ZnS量子点和银膜；多片双层MoS2薄膜设置在Si/SiO2衬底上表面；在双层MoS2薄膜和Si/SiO2衬底上表面制作Pt电极，作为漏源电极；Pt电极为叉指电极，厚度为50nm，宽度为2μm，Pt电极指长为300μm，两个电极之间的宽间距为5μm；InP@ZnS量子点制作在Si/SiO2衬底、双层MoS2薄膜和Pt电极表面；Si/SiO2衬底背面制作银膜作为背栅电极。本发明2μm叉指Pt电极的设计，不仅可以起到等离子体共振效应，增加光响应度；而且非对称Pt/MoS2肖特基势垒的引入可以有效平衡光响应度与光响应速度的两难问题。
一种提高光电探测性能 mos base sub

[发明专利]采用MoS₂薄膜FET检测葡萄糖溶液浓度的方法-CN201610941612.X有效
发明人：李金华;单俊杰;楚学影;翟英娇;李雪;徐铭泽;金方军 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：采用MoS₂薄膜FET检测葡萄糖溶液浓度的方法属于生物传感器应用技术领域。现有技术检测线性范围窄、检测响应时间长。本发明将MoS₂薄膜FET固定在盛有PBS溶液的样品槽中，先测得零浓度MoS₂薄膜FET的漏极电流I_ds；以PBS溶液为溶剂，在1～30mM浓度范围内配制若干份浓度不同的葡萄糖溶液，与葡萄糖氧化酶一起先后加入到所述样品槽中，由半导体参数分析仪逐一检测与每份具有某一浓度葡萄糖溶液对应的MoS₂薄膜FET的漏极电流I_ds，建立检测基础数据库；将体积已知PBS溶液、体积已知但浓度未知的被测葡萄糖溶液与葡萄糖氧化酶一起加入所述样品槽中，根据此时由半导体参数分析仪测得的MoS₂薄膜FET的漏极电流I_ds，结合所述检测基础数据库，经过换算得出该被测葡萄糖溶液的浓度。
采用 mos2 薄膜 fet 检测葡萄糖溶液浓度方法

[发明专利]Au/MoS2纳米复合材料葡萄糖无酶生物传感器及其制备方法-CN201610910505.0在审
发明人： 翟英娇;李金华;楚学影;徐铭泽;金芳军;方铉;魏志鹏;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：Au/MoS2纳米复合材料葡萄糖无酶生物传感器及其制备方法属于无酶生物传感器技术领域。现有技术步骤复杂，不易掌握。本发明之制备方法其特征在于，将制备的花状MoS2悬浊液倒入沸腾的HAuCl4水溶液中，经持续搅拌加热使Au纳米粒子修饰到花状MoS2中，得Au/MoS2纳米复合材料，最后将所得Au/MoS2纳米复合材料固定在电极上制得Au/MoS2纳米复合材料葡萄糖无酶生物传感器。本发明之无酶生物传感器其特征在于，所述Au/MoS2纳米复合材料葡萄糖无酶生物传感器用于检测葡萄糖溶液浓度，检测方法为电化学法，检测装置为电化学工作站，将所述Au/MoS2纳米复合材料葡萄糖无酶生物传感器作为电化学工作站中的工作电极，将被测葡萄糖溶液加入到电化学工作站中的电解液中，根据循环伏安特性曲线判断被测葡萄糖溶液的浓度。
au mos2 纳米复合材料葡萄糖生物传感器及其制备方法

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