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[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用-CN202210350539.4在审
发明人：王亚飞;邹涛;邹天成 -专利权人：王亚飞;邹涛;邹天成
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用，包括：钙钛矿薄膜和钙钛矿衬底；使用溶剂溶解第一钙钛矿，制备钙钛矿溶液；通过气相沉积或气相辅助沉积的方法，将第二钙钛矿制备成钙钛矿衬底；将钙钛矿溶液通过溶液法沉积在第二钙钛矿衬底上，形成钙钛矿薄膜后，制备成钙钛矿双层异质结；钙钛矿薄膜由以范德华键为主要化学构成的由相比较第二钙钛矿包含范德华键至少1.2倍的第一钙钛矿制备而成；钙钛矿衬底由以离子键和/或共价键为主要化学构成的第二钙钛矿制备而成；钙钛矿双层异质结用于制备太阳能电池、光电探测器、发光二极管、发光三极管等，本发明提到的双层异质结提高了光电器件的性能，以及降低了钙钛矿双层异质结的制备成本。
一种钙钛矿双层异质结及其制备方法应用

[发明专利]垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用-CN202310918941.2有效
发明人：郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用。本发明属于光电子器件新材料领域。本发明为解决现有钙钛矿异质结制备方法复杂，不利于大规模生产以及所得钙钛矿异质结光电性能不高的技术问题。本发明分别对底层和上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂进行选取，以过饱和的乙氰和甲胺的乙醇溶液构成的混合溶液作为上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂，既保持顶层钙钛矿的结晶浓度，又保持底层不被其溶解；此外，通过设计垂直钙钛矿异质结薄膜各层厚度，构建出一种上层钙钛矿薄膜厚度远超底层钙钛矿薄膜厚度的垂直钙钛矿薄膜异质结，本发明的方法更加的简便快速，易于大面积制备，便于工业化生产。
垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法应用

[发明专利]一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510283480.1有效
发明人：沈辉;吴伟梁;包杰;邱开富 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基钙钛矿异质结太阳电池，该太阳电池的结构从上至下为铝电极、金导电膜、钙钛矿、氧化铝、n型硅片和银电极，其中钙钛矿为CH3NH3PbI3。本发明硅基钙钛矿异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池材料相比具有更优越的电学与光学性能，作为钙钛矿/硅异质结太阳电池的发射极，可实现对光谱的分段吸收，钙钛矿吸收可见光部分，硅吸收红外部分，使得太阳光的利用更加充分本发明还公开了上述硅基钙钛矿异质结太阳电池的制备方法。
一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用-CN202210817546.0在审
发明人：夏虹;李顺心;孙洪波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用，属于有机无机杂化钙钛矿横向异质结技术领域，具体包括钙钛矿前驱体制备、压印模板制备、异质结晶体的制备；利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法，通过两步纳米压印在温度场和重力场的辅助下，避免第二种钙钛矿结晶过程中涉及的溶剂将先沉积的第一种钙钛矿晶体溶解，从而可得到由两种高质量钙钛矿晶体横向拼接而成的横向钙钛矿异质结；制备的横向异质结晶体表面形貌良好，缺陷较少，晶体生长取向良好；并利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法制备了具备自供电、柔性、偏振灵敏性的高性能光电探测器，并且提升了光电响应特性和对环境的稳定性。
利用纳米压印法制双钙钛矿横向异质结制备方法及其应用

[发明专利]一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法-CN202010860334.1有效
发明人：刘孔;王智杰;曲胜春;贾晓皓;孙明飞;任宽宽;黄志涛;吴玉林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控
二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法

[发明专利]一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用-CN202310584432.0在审
发明人：谭海仁;林仁兴 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用，属于太阳能电池技术领域。本发明的三维异质结钙钛矿太阳能电池，其钙钛矿层由吸光层和钝化层复合得到，吸光层和钝化层形成II型异质结，所述吸光层由三维钙钛矿N制成，钝化层由三维钙钛矿Y制成。本发明通过设计在含有厚吸光层的钙钛矿薄膜上构筑三维/三维全钙钛矿II型异质结，有效地钝化钙钛矿表面的缺陷，减少了钙钛矿表面的非辐射复合损失，在提升开路电压和填充因子的同时不影响短路电流源密度，提升了单结和叠层电池的光电转化效率
一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用

[发明专利]一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法和用途-CN202211608889.2在审
发明人：樊超;戴兴良;何海平 -专利权人：浙江大学温州研究院
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法和用途。所述制备方法包括以下步骤：(1)将卤化铅和卤化铯混合研磨，然后进行煅烧，得到钙钛矿粉末；(2)将硅片倒扣在钙钛矿粉末上方，在低压和氮气氛围中加热钙钛矿粉末，使钙钛矿固相粉末蒸发为气相并沉积在上方的硅片表面，最终形成钙钛矿薄膜/硅异质结。本申请在制备钙钛矿薄膜/硅异质结过程中，通过垂直气相沉积的方法来提升钙钛矿在硅表面成核和生长的均匀性，通过低压来提高钙钛矿在硅表面沉积过程中的成核密度，这可以增加钙钛矿薄膜的致密程度，减少针孔密度，从而获得高质量钙钛矿薄膜/硅异质结。
一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法用途

[发明专利]一种自下而上的2D/3D钙钛矿异质结及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用-CN202210950410.7在审
发明人：陈江照;李海云;臧志刚 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种自下而上的2D/3D钙钛矿异质结及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用，属于太阳能电池领域。本发明通过在钙钛矿吸光层的前驱液中添加2‑氨基茚满盐酸盐(AICl)，与碘化铅(PbI2)在空穴传输层与钙钛矿层之间的界面形成了自下而上的2D/3D钙钛矿异质结一方面，通过构筑自下而上的2D/3D钙钛矿异质结能够调节钙钛矿吸光层的结晶，改善其电学性质；另一方面，构筑的自下而上的2D/3D钙钛矿异质结能够改善界面能带排列，促进界面载流子转移与提取，抑制界面载流子非辐射复合通过2D/3D钙钛矿异质结的构筑提高了钙钛矿太阳能电池的功率转换效率、长期运行稳定性及湿热稳定性，该技术能够加速钙钛矿太阳能电池的商业化应用。
一种自下而上钙钛矿异质结及其制备方法钙钛矿太阳能电池中的应用

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。其制造成本较钙钛矿/晶硅叠层电池及全钙钛矿叠层电池更低，寄生效应更少，光损失更低。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结及其构筑方法-CN202310632395.6在审
发明人：张龙振;贺宁芳;吴小超;李庆奎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
用于直接射线探测器钙钛矿异质结及其构筑方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法-CN202310642501.9在审
发明人：王权;程培宇;陈明明 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明属于光电通信和光电器件技术领域，公开了一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法。包括：导电硅基底，钙钛矿层和电极。钙钛矿层由钙钛矿本体和沸石咪唑酯骨架结构材料ZIF‑67组成。步骤为：将ZIF‑67粉末与钙钛矿前驱体溶质混合，加入溶剂搅拌得到均质的钙钛矿前驱液，然后采用抗溶剂旋涂法在处理过的导电硅基底上制备钙钛矿薄膜，经过梯度热退火得到高质量的钙钛矿层，构建钙钛矿/硅异质结，最后在钙钛矿层表面制备电极，得到钙钛矿/硅异质结光电探测器。ZIF‑67对钙钛矿进行n型掺杂，并与p型低阻硅构建异质结，利用其内建电场加速载流子的分离。此外，ZIF‑67可调控薄膜生长，减少晶界及缺陷态，降低器件的非辐射复合损耗，提升器件性能及稳定性。
一种钙钛矿硅异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法-CN202311117696.1在审
发明人：王爱伟;于颖;曹丙强 -专利权人：济南大学;核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。
一种外延钙钛矿异质 pn 光电探测器制备方法

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