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[发明专利]打印钙钛矿晶体的方法及其应用-CN202310829208.3在审
发明人：孙洪波;林琳涵;陈学广;李正操 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种打印钙钛矿晶体的方法及其应用，上述打印钙钛矿晶体的方法包括：(1)将钙钛矿前驱体溶液设置在密封腔室内，钙钛矿前驱体溶液的上方具有气体区域且密封腔室的至少一面为透光面；(2)采用激光穿过透光面对钙钛矿前驱体溶液的待打印区域进行光激发，以使光激发的区域生成钙钛矿晶体。由此，可以得到具有优良光电性能的钙钛矿晶体，钙钛矿晶体加工分辨率极高，且极大简化了钙钛矿晶体生长和打印工艺，有利于实现钙钛矿晶体的商业化大批打印。
打印钙钛矿晶体方法及其应用

[发明专利]一种钙钛矿单晶体的制备方法-CN201911307517.4有效
发明人：赵丽;黄诣敏;董兵海;王世敏;李文路;李矜 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：一种钙钛矿单晶体的制备方法，属于钙钛矿晶体技术领域。钙钛矿单晶体的制备方法包括将钙钛矿前驱体和溶剂混合均匀得到澄清液体，升温至出现黑色浑浊，记录出现黑色浑浊的温度为结晶温度，降温直至黑色浑浊完全消失，再次升温至结晶温度结晶并于结晶温度保温结晶后固液分离得到钙钛矿单晶体本申请以较快速率升温能够用于找钙钛矿单晶体的结晶温度，其中出现黑色浑浊的温度即为结晶温度，在此结晶温度下结晶得到的钙钛矿单晶体的晶体较大，且结晶过程较易控制。在升温过程中出现的黑色浑浊为细小的钙钛矿晶体颗粒，降温能够使细小的结晶的钙钛矿晶体颗粒溶解，溶液重新变得澄清后，再以较慢的速率升温至结晶温度能够结晶得到较大的钙钛矿单晶体。
一种钙钛矿单晶体制备方法

[发明专利]利用溶剂处理钙钛矿晶体薄膜的方法及其应用-CN201510198053.3在审
发明人：方俊锋;王雪艳;李晓冬;酒同钢 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用溶剂处理钙钛矿晶体薄膜的方法，将CH₃NH₃I、PbCl₂和溶剂A混合得到前驱体溶液，涂布后再去除溶剂A形成钙钛矿晶体薄膜，再与溶剂B接触，得到处理后的钙钛矿晶体薄膜；所述的溶剂B为正丁醇或异丙醇。本发明还公开了将上述经溶剂处理后的钙钛矿晶体薄膜作为钙钛矿晶体薄膜层的钙钛矿太阳能电池。将该方法处理后的钙钛矿晶体薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，可以显著提高其电池效率，实现低成本的高效钙钛矿太阳能电池的制备。
利用溶剂处理钙钛矿晶体薄膜方法及其应用

[发明专利]钙钛矿晶体复合材料及其制备方法及应用-CN201710126721.0有效
发明人：瞿光胤;范利生;巫继锋;陈加坡;田清勇;范斌 -专利权人：苏州协鑫纳米科技有限公司;苏州协鑫能源技术发展有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿晶体复合材料，其包括钙钛矿晶体以及掺杂于所述钙钛矿晶体中的有机掺杂剂；所述钙钛矿晶体的化学通式为MA_xFA_1‑xPbI_{3‑y‑z上述钙钛矿晶体复合材料，由于在钙钛矿晶体中掺杂有机小分子，故而增加钙钛矿晶体复合材料抗潮解性能。另外，钙钛矿晶体复合材料的热稳定性也得到了提高。本发明还公开了一种钙钛矿晶体复合材料的制备方法及其应用。}
钙钛矿晶体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结及其构筑方法-CN202310632395.6在审
发明人：张龙振;贺宁芳;吴小超;李庆奎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
用于直接射线探测器钙钛矿异质结及其构筑方法

[发明专利]基于有机配体的电子束辐照图案化钙钛矿纳米晶体的方法-CN202310247202.5在审
发明人：李梓维;李富滨;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于有机配体的电子束辐照图案化钙钛矿纳米晶体的方法，包括以下步骤：S1、将钙钛矿纳米晶体分散在非极性溶剂中，然后将所获取的纳米晶体胶体溶液涂覆在基底上形成钙钛矿纳米晶体薄膜；S2、将预制图案输入电子束曝光系统中，并在电子束作用下对钙钛矿纳米晶体薄膜的选择性区域进行辐照致交联反应以生成交联的钙钛矿纳米晶体；S3、采用非极性溶剂对所述钙钛矿纳米晶体薄膜进行显影，得到图案化的钙钛矿纳米晶体。本发明利用电子束辐照致钙钛矿纳米晶体表面有机配体之间发生交联反应，从而使辐照部位的钙钛矿纳米晶体丧失胶体稳定性，在显影过程中使得曝光区域的钙钛矿纳米晶体不能被显影液带走而留于基底上形成图案。
基于有机电子束辐照图案化钙钛矿纳米晶体方法

[发明专利]一种基于钙钛矿薄片的发光器件及其制备方法-CN201610709998.1有效
发明人：刘生忠;杨周;刘渝城;任小东;孙键焜 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明一种基于钙钛矿薄片的发光器件及其制备方法，加工方便，制备简单，通过生长带隙可调的钙钛矿薄片对器件进行组装。其包括如下步骤，步骤一，通过控制卤素离子掺杂量得到对应发光波长的单晶或多晶钙钛矿晶体；步骤二，对得到的钙钛矿晶体进行切片，得到面积大于200mm²且厚度小于1mm的大面积钙钛矿薄片；步骤三，将大面积钙钛矿薄片作为发光器件的活性层，得到发光器件。在制备大尺寸颜色可调的单晶或者多晶钙钛矿晶体基础上，通过采用晶体切割工艺制备钙钛矿薄片；通过控制切割过程中切割线的粗糙度、运动速度可以实现对晶体的完美切割。钙钛矿晶体的切割工艺有利于产出高品质钙钛矿晶片，有利于制备出高品质的钙钛矿单晶器件。
一种基于钙钛矿薄片发光器件及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸钙钛矿单晶的动力生长装置及方法-CN201910114512.3有效
发明人：徐强;聂婧;欧阳晓平 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸钙钛矿单晶的动力生长装置及方法，该方法基于动力循环和逆温结晶来生长高晶体质量的钙钛矿单晶，属于晶体材料技术领域。该装置利用蠕动泵实现装置中钙钛矿溶液无接触循环流动，将原料供给腔体中的浓度较高的钙钛矿溶液连续的输运到晶体生长腔体中，同时晶体生长腔体中浓度较低的钙钛矿溶液重新进入原料供给腔体。通过调节蠕动泵的转速，控制溶液溶度交互速度，确保晶体可以稳定的生长。本发明可以实现钙钛矿晶体的连续生长，以获得大尺寸的钙钛矿单晶，有利于钙钛矿晶体在各领域中的应用。
一种尺寸钙钛矿单晶动力生长装置方法

[发明专利]一种钙钛矿晶体、其制备方法及X射线探测器-CN202110893452.7在审
发明人：董庆锋;宋益龙;毕伟辉 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿晶体、其制备方法及X射线探测器。本发明提供了一种钙钛矿晶体；其中，所述的钙钛矿晶体包括：钙钛矿单晶和钝化层；其中，所述的钝化层为由钙钛矿单晶的表面缺陷与A1X1结合所形成的结构；且所述钙钛矿晶体不含未与所述钙钛矿单晶的表面缺陷结合的A1X1。本发明对钙钛矿晶体表面进行钝化改性处理。通过钝化改性处理提高了钙钛矿晶体的离子激活能，改善了离子移动现象，降低了器件暗电流；同时制备出钙钛矿单晶共平面结构的高效X射线辐射探测器；其具有高灵敏度与低检测限，并实现了精细的X射线成像以及线阵列成像
一种钙钛矿晶体制备方法射线探测器

[发明专利]连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法-CN201610805277.0有效
发明人：徐闰;杜斌斌;徐海涛;王文贞;吴杨琳;蔡江;倪超伟;徐飞;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
钙钛矿生长单晶钙钛矿晶体驱动环流逆温对角线器件制造工艺加入装置晶体制备新型材料产业化高结晶过饱和温度差输运

[发明专利]可逆转化铯铜卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法-CN202011325940.X在审
发明人：严宇辰;汪岳铭;李丹;赵文博;张桥;曹暮寒;陈淑桦 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可逆转化铯铜卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法，混合前驱物溶液与介孔载体，然后在真空条件下于80～100℃加热，得到初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；然后对初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体进行水雾处理，得到转换铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；再进行干燥得到初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；完成铯铜卤素钙钛矿纳米晶体的可逆转化。本发明实现了蓝色荧光物质与黄色荧光物质之间的多次可控转化，具有识别性非常明显、转化条件简便、转化过程快速、转化循环次数高等优点，为新型无机铜卤钙钛矿的应用研究奠定了基础。
可逆转化卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法

[发明专利]组合物、钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN202111527388.7在审
发明人：孙建侠;陈加坡;乐嘉旭;王保增;范利生;赵亚楠;田清勇;范斌 -专利权人：昆山协鑫光电材料有限公司;苏州协鑫纳米科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合物、钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述用于制备钙钛矿薄膜的组合物包括钙钛矿材料、氢卤酸盐和氯甲胺包括钙钛矿材料、氢卤酸盐和氯甲胺，所述钙钛矿材料、氢卤酸盐和氯甲胺的摩尔比为100～150：1～2：15～20。本发明实施例提供的一种钙钛矿薄膜的制备方法，采用的具有疏水性大体积胺的氢卤酸盐能够有效抑制钙钛矿晶体中的甲胺离子的迁移和逃逸，从而很好的稳定了钙钛矿晶体组分的化学计量比，同时由于本发明选择的大体积胺具有一定的疏水性，能够有效阻挡水汽进入钙钛矿晶体中，提高了钙钛矿晶体的稳定性进而有效提高了钙钛矿太阳能电池和组件的稳定性。
组合钙钛矿薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法-CN202210973241.9在审
发明人：徐亚东;郝莹莹;张鑫;白蕊沉;李芳沛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过界面优化的钙钛矿核辐射探测器及制备方法，其特征在于：钙钛矿晶体的一侧设有LiF中间层，LiF中间层之上为金属阳极且与钙钛矿晶体形成肖特基接触；所述钙钛矿晶体的另一侧为金属阴极且与钙钛矿晶体形成欧姆接触通过在P型钙钛矿晶体与低功函数金属阳极之间引入氟化锂(LiF)中间层，钝化钙钛矿晶体表面，避免钙钛矿晶体与金属发生扩散或化学反应，从而降低界面缺陷态密度，提高探测器的电荷收集效率，同时LiF中间层使界面处的肖特基势垒高度增大
一种通过界面优化钙钛矿核辐射探测器制备方法

[发明专利]一种钙钛矿光子晶体及其制备方法以及钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201610693821.7有效
发明人：周雪;李亚楠;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电能源领域，公开了一种钙钛矿光子晶体及其制备方法以及钙钛矿太阳能电池及其制备方法。钙钛矿光子晶体含有提供光子晶体结构的材料和分布于该提供光子晶体结构的材料中的具有钙钛矿结构的物质，其中，所述提供光子晶体结构的材料为电子传输层材料、空穴传输层材料和支撑材料中的至少一种。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明导电衬底、二氧化钛致密层、钙钛矿光子晶体层、空穴传输层和对电极。本发明得到的钙钛矿光子晶体具有结构高度有序、载流子传输效率高、电子‑空穴复合少的特点，本发明得到的钙钛矿太阳能电池具有光电转换效率高与重复性和稳定性好的特点，而且生产工艺简单，成本低，适合大规模批量生产
一种钙钛矿光子晶体及其制备方法以及太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用-CN201610244438.3有效
发明人：李永舫;王彬彬;张志国 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用。所述钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)配制供体A和供体B的溶液，经搅拌得到钙钛矿前体溶液；2)在空气气氛中，将钙钛矿前体溶液旋涂于基底上，得到设有钙钛矿活性层的基底；3)设有钙钛矿活性层的基底经下述a)或b)或c)处理即得钙钛矿晶体薄膜：a)在空气中放置，直至钙钛矿活性层变为黑色；b)在空气中进行热退火，直至钙钛矿活性层变为黑色；c)在空气中，采用水蒸汽调控设有钙钛矿活性层的基底所在体系的湿度，对钙钛矿活性层进行水蒸汽退火处理，直至钙钛矿活性层变为黑色。利用该方法制备的平面异质结钙钛矿电池的光电转化效率达到16.4％，高于大多数热退火工艺得到的电池效率。
钙钛矿活性层钙钛矿晶体水蒸汽基底制备薄膜退火前体溶液热退火供体光电转化效率电池效率空气气氛退火处理异质结旋涂配制应用电池调控

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