专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果27个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构-CN202111469456.9有效
  • 姚泰;宋波;于永澔;张宇民 - 哈尔滨工业大学
  • 2021-12-03 - 2023-10-17 - B24B7/22
  • 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构,包括底座,所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道,所述输送通道上设置有加工区域,所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件,所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件,所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件,夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位,上料完毕后夹紧装置自动夹紧,并且研磨装置自动进给研磨,最后下次上料时,将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出,一体化联动自动加工,减少人力物力的投入。
  • 一种应用于半导体衬底加工自动装卸结构
  • [实用新型]一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构-CN202320434847.5有效
  • 于永澔;李光 - 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-09-12 - C30B35/00
  • 本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括轨道架,轨道架固定在操作台上,轨道架设置在炉体的一侧,并高于炉体,轨道架内设有适配的移动架,轨道架上设有用于驱动移动架升降的直线驱动机构;移动架的朝向炉体的一侧固定连接有支架立板,支架立板的两端固定设有半圆结构的上叉臂和下叉臂,上叉臂和下叉臂之间固定有加热高频线圈,加热高频线圈套设在炉体的外侧,炉体的外部固定有贯穿在上叉臂和下叉臂的支撑杆,支撑杆的下部与下叉臂之间设有销轴。本实用新型可调节炉内轴向温度梯度,另外,该升降机构可将炉体进行提升,使坩埚外露,方便坩埚的取放,可提高工作效率。
  • 一种碳化硅晶体生长加热模块升降机构
  • [发明专利]一种地震数据信息发布系统及存储介质-CN202310653260.8有效
  • 权腾龙;张慧峰;刘福顺;贾震;于永澔 - 山东省地震局
  • 2023-06-05 - 2023-08-11 - H04W4/90
  • 本发明公开了一种地震数据信息发布系统及存储介质,包括云端数据处理层、用户信息存储单元、联网地震数据库模块以及与云端数据处理层无线通讯的用户终端层,本发明涉及地震数据处理技术领域。该地震数据信息发布系统及存储介质,可实现通过以震源为中心从近到远将用户分为多级发布对象等级,来使地震发布顺序按照该发布对象等级依次发布通知,从而使位于震源最近的用户能够再最短时间内获得地震预警通知信息,从而确保地震发布通知能够很大程度的锁定真正需要撤离避险的重要用户,同时可实现将途径地震范围或居住在地震范围的注册地为非地震范围的用户也进行地震预警通知,来使地震发布针对性更强,从而使地震发布更加全面。
  • 一种地震数据信息发布系统存储介质
  • [实用新型]一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置-CN202320614862.8有效
  • 于永澔;李光 - 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-08-11 - C30B23/00
  • 本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括供气转轴和轴套,供气转轴与炉下盖共轴设置,炉下盖的下方固定有用于供气转轴转动的驱动装置,供气转轴的顶端贯穿炉下盖的底部,延伸至石墨坩埚内,供气转轴的轴心线上设有两端封闭的供气通道,供气转轴位于轴套内的轴截面上设有多个第一通孔,轴套对应第一通孔的位置设有贯穿的第二通孔,第二通孔上连接有供气嘴,供气转轴的顶部沿周向设有多个供气孔,供气孔斜向延伸与供气通道相连通。本实用新型可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上,确保了坩埚内气流的稳定性,有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
  • 一种碳化硅晶体生长保护气体供气装置
  • [实用新型]一种碳化硅晶体生长炉操作台-CN202320403644.X有效
  • 于永澔;李光 - 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-08-11 - C30B35/00
  • 本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉操作台,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括操作台主体支架,操作台主体支架的顶部设有台面,台面的中部设有用于安装碳化硅晶体生长炉的槽口,台面为宽面结构,碳化硅晶体生长炉与台面边缘之间构成行走区;操作台主体支架的一侧设有活动连接的下箱体和上箱体,下箱体、上箱体处于抽出状态后,与台面组成梯台;下箱体与操作台主体支架之间设有直线驱动机构,直线驱动机构设置在下箱体内部;下箱体的顶部后方设有用于推动上箱体的推板;在下箱体被推出后,上箱体与操作台主体支架之间设有用于下箱体自动收回操作台主体支架内部的复位装置。
  • 一种碳化硅晶体生长操作台
  • [发明专利]一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置-CN202310460681.9在审
  • 于永澔;李光 - 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-08-04 - C30B23/00
  • 本发明公开了一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置,属于碳化硅晶体生长炉技术领域,包括操作台,操作台上设有碳化硅晶体生长炉,碳化硅晶体生长炉由上炉体和下炉体组成,上炉体的外侧套设有高频加热线圈,下炉体的底部固定设有下炉盖,下炉盖的轴心线上转动连接有供气杆,供气杆的顶部延伸至石墨坩埚内;上炉盖的下部固定设有管状结构的晶体生长管,晶体生长管的底部沿周向倾斜设有多个晶体生长载面;晶体生长管的外侧设有密封管,密封管与晶体生长管之间形成结晶区。本发明可一次性生长多块碳化硅晶锭,碳化硅晶锭的生产效率高。另外可确保了坩埚内气流的稳定性,有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
  • 一种碳化硅晶体生长制备方法生长装置
  • [发明专利]轴承外套圈批量处理的数值模拟和注入剂量均匀性的方法-CN202210319133.X在审
  • 于永澔;王浪平;姚泰;王小峰 - 哈尔滨工业大学
  • 2022-03-29 - 2022-09-30 - G06F30/17
  • 本发明属于轴承外套圈处理技术领域,公开了一种轴承外套圈批量处理的数值模拟和注入剂量均匀性的方法,轴承外圈批量改性处理过程的数值模拟以及外套圈内表面改性均匀性实验。本发明利用二维PIC模型对轴承外套圈内滚道PIII批量处理过程进行数值模拟,并对轴承套圈PIII批量改性处理的均匀性进行实验研究;采用高压脉冲辉光放电在圆筒内部获得连续的等离子体,等离子体通过二次电子对气体粒子的碰撞产生且随着碰撞的加剧,离子能量逐渐提高;利用SEM对内表面沉积的DLC薄膜膜层厚度进行测试,在内表面形成深度均匀的注入层,在氮气1.5Pa、注入电压20kV情况下,峰值注入深度16.9nm,改性均匀性达到87.3%。
  • 轴承外套批量处理数值模拟注入剂量均匀方法
  • [发明专利]一种制备碳化硅单晶的方法-CN202110200678.4有效
  • 姚泰;宋波;于永澔;张宇民 - 哈尔滨工业大学
  • 2021-02-23 - 2022-07-15 - C30B29/36
  • 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法,属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法,包括以下步骤:S1.以PVT法生长氮化铝衬底,所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上;S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器,以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底,本发明采用氮化铝作为衬底,降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配,因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
  • 一种制备碳化硅方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top