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[发明专利]单晶的制造方法-CN202180068532.7在审
发明人：清水泰顺;玉置晋;下崎一平;高梨启一;滨田建 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶的制造方法，准确地测量晶种与熔液面的间隔，由此减少晶种的预热位置的偏差。所述单晶的制造方法具备如下步骤：测量在熔液的上方设置的晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(LS)；基于间隔使晶种(5)下降而着液于熔液；一边维持与熔液的接触状态一边提拉晶种(5)来生长单晶。在测量间隔(LS)的步骤中，使用在熔液面(2a)的斜上方设置的相机(20)拍摄晶种(5)和熔液面(2a)，对在拍摄图像中拍到的晶种(5)的实像(5R)的直体部(5a)的下端的边缘图案进行圆形近似来生成实像边缘近似圆，并且，对在熔液面(2a)中映入的晶种(5)的镜像(5M)的直体部(5a)的上端的边缘图案进行圆形近似来生成镜像边缘近似圆，根据从实像边缘近似圆的中心坐标到镜像边缘近似圆的中心坐标的距离算出晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(Ls)。
制造方法

[发明专利]单晶制造装置及单晶的制造方法-CN202180029654.5在审
发明人：西冈研一;高梨启一;滨田建;下崎一平 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于提高晶体提拉工序中测量的单晶直径的测量精度。本发明的单晶制造装置(10)具备：从熔液(13)提拉单晶(15)的单晶提拉部、拍摄在熔液(13)与单晶(15)的边界部产生的熔合环的相机(18)及处理相机(18)的拍摄图像的演算部(24)。演算部(24)根据相机(24)的设置角度(θC)及焦距，将显现于相机(18)的拍摄图像中的熔合环投影转换至相当于熔液的液面的基准平面上，并根据基准平面上的熔合环的形状来计算单晶(15)的直径。
制造装置方法

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN201880095845.X在审
发明人：末若良太;滨田建 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种考虑在培育单晶时作用于单晶中的应力效应，能够精确地培育出无缺陷晶体的单晶硅的培育方法。本发明的单晶硅的培育方法使用配置围绕培育中的单晶(8)的水冷体(11)的同时，配置了包围该水冷体(11)的外周面及下端面的热屏蔽体(10)的单晶培育装置，并且包含间隙可变控制，一边改变原料熔液(9)的液面与热屏蔽体(10)之间的间隙，一边提拉单晶，当单晶(8)中心部的固液界面附近的提拉轴方向的温度梯度为Gc、单晶(8)外周部的固液界面附近的提拉轴方向的温度梯度为Ge、A＝0.1769×Gc+0.5462时，以满足0.9×A≤Gc/Ge≤1.1×A的条件提拉单晶(8)。
单晶硅培育方法

[发明专利]单晶的制造方法及装置-CN201680050263.0有效
发明人： 滨田建 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明的问题在于提供一种硅单晶的制造方法及装置，其可以判断腔室内的摄影图像的亮度分布的异常的有无并进行校正。在基于切克劳斯基法的单晶的提拉工序中，用相机拍摄单晶（2）与熔液（3）的交界部的图像,并对从单晶（2）的提拉轴的延长线（5）观察时的左侧的区域（6L）的至少一部分的图像与右侧的区域（6R）的至少一部分的图像进行比较，而在两者之差为阈值以上的情况下，判断摄影图像（6）的亮度分布为异常。
制造方法装置

[发明专利]单晶的制造方法和制造装置-CN201710111932.7有效
发明人： 滨田建;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：[课题]正确地在单晶的提拉工序中测量晶体直径而不受来自加热器的辐射光强弱的影响。[解決手段]根据本发明所述的单晶的制造方法，基于Czochralski法的单晶的提拉工序中，用照相机拍摄前述单晶与融液面的分界部的图像，将在前述分界部出现的熔融环的圆周方向的最高亮度分布101中至少小于最大值的值设定为阈值H，将前述最高亮度分布101中最高亮度达到前述阈值H以下的区域指定为直径测量区域，进行直径测量处理。
制造方法装置

[发明专利]单晶硅的生长方法-CN200580050178.6有效
发明人：稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。
单晶硅生长方法

[发明专利]硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法-CN200580050122.0有效
发明人：稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM－F121 1979测得的氧浓度为12×10¹⁷～18×10¹⁷个原子/cm³的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。
硅单晶生长方法晶片制造

[发明专利]硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶-CN200580049778.0有效
发明人：稻见修一;村上浩纪;高濑伸光;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：该硅单晶的培育方法是一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内侧圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。
硅单晶培育方法采用