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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体基板及其制备方法-CN201910724774.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区及测量区；采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层，在所述测量区形成至少一测量膜层，在俯视方向上，本发明在制备半导体基板的工艺中，在测量区域形成多边形的测量单元，该形状的测量单元的受力力矩小，不易脱落，不会成为缺陷源，从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率；同时，多边形的测量单元的应力分布相对更均匀
半导体及其制备方法

[发明专利]电子设备-CN202110472326.4在审
发明人：全景辰;具素英;金亿洙;金亨俊;南润龙;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该电子设备包括：第一晶体管，包括第一氧化物半导体图案；第二晶体管，包括第二氧化物半导体图案；阻挡层，包括导电材料；信号线，包括设置在不同层上的第一线和第二线；以及桥接图案，电连接到第一晶体管、信号线的第一线和信号线的第二线中的每者，其中，信号线的第一线和阻挡层设置在同一层上，并且信号线的第二线和第一氧化物半导体图案设置在同一层上。
电子设备

[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置-CN202110485141.7在审
发明人：芹泽宏明;滝沢亮人 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />的复合结构物具有出色的抗粒子性，优选作为半导体制造装置用构件而被使用
复合结构以及具备半导体制造装置

[发明专利]半导体装置结构-CN202110551892.4在审
发明人：邱士权;张家豪;庄正吉;王志豪;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含凸出于半导体基板之上的鳍有源区域；设置于鳍有源区域上的栅极堆叠物，其中栅极堆叠物包含栅极电介质层以及栅极电极；形成于鳍有源区域上且栅极堆叠物插入于其间的源极/漏极(S/D)部件；以及电性连接至栅极电极以及
半导体装置结构

[发明专利]一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法-CN202110845853.5在审
发明人：单志远;郑洪仿;杨杰;谭伟翔;陈国津 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片及其的制备方法，所述制备方法包括：S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；S2、去除发光结构上的衬底，将第一半导体层裸露出来；S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构，并对第一半导体层进行氧化和粗化，以形成图型化氧化膜；S4、采用蚀刻溶液蚀刻第一半导体层，形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体，所述尖状体将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。
一种亮度倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器-CN202010275218.3在审
发明人：金镇泳;李俊杰;范正萍;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器，半导体位线接触件的制造方法，包括：提供一基底，在所述基底上依次沉积牺牲层和位线凹槽掩模层；基于所述位线凹槽掩模层在所述基底上制造出凹槽本申请的半导体位线接触件的制造方法，在基底上沉积牺牲层，在刻蚀多晶硅层时同时刻蚀牺牲层，直至牺牲层被刻蚀掉预设比例的厚度时停止刻蚀，从而实现多晶硅层顶面与基底顶面相平齐。
半导体接触制造方法存储器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010279542.2在审
发明人：吕开敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：该发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。本发明主要针对基板的导电结构进行改进，新的结构设计对金属焊料可以引流，避免芯片与半导体基板在后续的塑封阶段出现产品失效的问题，同时加强导电结构与基板之间焊接金属结合力。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法-CN202011096118.0在审
发明人：朴贤圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本文提供了一种半导体存储器装置和该半导体存储器装置的操作方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多条字线；外围电路，通过多条字线耦合至存储器单元阵列，并且被配置为在编程操作期间向多条字线中的所选字线施加编程电压，并且向多条字线中的未选择字线施加通过电压；
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202110863579.4在审
发明人：王守坤;秦韶阳;郭子栋;赵成雨;孙增标;顾维杰;刘翔;杜哲;王刚 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示面板具有邻接的显示区和功能区，显示面板包括：衬底；驱动器件层，包括层叠设置的半导体层、栅绝缘层和栅极金属层，半导体层位于衬底的一侧，栅绝缘层位于半导体层背向衬底的一侧，栅极金属层位于栅绝缘层背向衬底的一侧
显示面板显示装置

[发明专利]一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法-CN202110806275.4在审
发明人：王廷云;潘香萍;董艳华;文建湘;陈秀秀;黄怿;张小贝 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法，光纤包括纤芯和包层，纤芯包括外层的二氧化硅疏松层和中部的掺杂层，掺杂层中掺杂PbS量子点、稀土氧化物和金属氧化物。本发明利用热原子层沉积(T‑ALD)技术的优势或等离子体增强原子层沉积(PE‑ALD)技术的优势，将半导体量子点、稀土氧化铒材料与光纤制备相结合，在稀土石英放大光纤中掺入一定浓度的半导体量子点，可以解决稀土掺杂光纤放大增益带宽受限
一种半导体量子稀土石英放大光纤及其制备方法

[发明专利]一种解决半导体封装行业IC芯片划伤的加工设备及加工方法-CN202110824051.6在审
发明人：王书为;冯后清;马勉之;师泽伟;郑勇 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片加工技术领域，具体为一种解决半导体封装行业IC芯片划伤的加工设备及加工方法，包括有工作台，工作台上安装有中转机构，中转机构内部设置有料盒组件，中转机构底部设有安装板，安装板的上表面两侧安装有侧板通过本发明提出的一种解决半导体封装行业IC芯片划伤的加工设备及加工方法，在进行锡化前的料片转运过程中，不会对芯片产生划伤，提高产品生产质量。
一种解决半导体封装行业 ic 芯片划伤加工设备方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010817732.5在审
发明人：郑盛旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置可以包括电极结构、多个沟道柱和至少一个栅极分隔层。电极结构包括交替地堆叠的绝缘中间层和栅极导电层。沟道柱被形成为穿过电极结构。半导体存储器装置还包括布置在栅极分隔层的两侧的狭缝结构。狭缝结构被形成为穿过电极结构。在平面图中，沟道柱中的与狭缝结构相邻的每个沟道柱具有凸月形状。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010328306.5在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧衬底内形成源漏掺杂层；在所述源漏掺杂层上形成第一导电结构；在所述栅极结构顶部和所述第一导电结构上形成开口；在所述开口内形成与所述第一导电结构电绝缘的第二导电结构，能够有效降低所述第一导电结构和所述第二导电结构之间的间距，进而提升最终形成的半导体结构的元件的集成度。另外，通过在所述开口内形成绝缘层，利用所述绝缘层的电学隔离能够有效避免所述第一导电结构和所述第二导电结构之间发生短接，以此提升最终形成的半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装方法-CN202010230919.5在审
发明人：周辉星 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体封装方法。其中，所述半导体封装方法包括将引线框固定于载板上，所述引线框包括具有引脚的至少一个引脚区；将待封装的裸片正面朝向所述引线框并设于所述引线框的引脚区，所述裸片的正面设有焊垫，所述裸片的焊垫与所述引脚对应；上述实施例，通过引线框与裸片的焊垫进行电连接，以将所述裸片的焊垫引出，实现裸片扇出布线，简单方便，能够有效节省半导体封装的时间，从而提高产品的生产效率。
半导体封装方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子设备-CN202110881820.6在审
发明人：杨超;吴振国;徐文超;柳波;轩攀登 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法和电子设备，包括：提供一基板，所述基板的生长表面包括外围电路区域，所述外围电路区域包括标记生长区域；在所述基板上生长结构叠层，同时在所述结构叠层形成套刻标记，所述套刻标记在所述生长表面的正投影位于所述标记生长区域由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过将套刻标记形成在位于外围电路区域的标记生长区域相应处，进而能够减小应力对套刻标记造成的影响，减小根据套刻标记得到的套刻偏差的偏移量，进而提高半导体器件制作过程中套刻偏差的测量精度，达到提高半导体器件的良率和性能的目的。
一种半导体器件及其制作方法电子设备

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