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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机电致发光器件的覆盖层用组合物及包含其的有机电致发光器件-CN202110437777.4有效
发明人：朴钟亿;金泂镐;金镇泳 -专利权人：伊爱尔安株式会社
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，尤其涉及使用为有机电致发光器件的覆盖层(Capping Layer：CPL)材料的吲哚并咔唑衍生物化合物，更详细地涉及具有胺取代基的吲哚并咔唑衍生物化合物、包含其的有机电致发光器件的覆盖层用组合物以及包含其的有机电致发光器件。
有机电致发光器件覆盖层组合包含

[发明专利]有机电致发光器件的覆盖层用组合物及包含其的有机电致发光器件-CN202011585374.6在审
发明人：朴钟亿;李惠珍;金真利;金镇泳 -专利权人：伊爱尔安株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，尤其涉及使用为有机电致发光器件的覆盖层(Capping Layer：CPL)材料的吲哚并咔唑衍生物化合物，更详细地涉及具有胺取代基的吲哚并咔唑衍生物化合物、包含其的有机电致发光器件的覆盖层用组合物以及包含其的有机电致发光器件。
有机电致发光器件覆盖层组合包含

[发明专利]位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备-CN202010292267.8在审
发明人： 金镇泳;周娜;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的位线结构包括半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。该位线结构通过将位线从多晶硅‑阻挡金属‑钨结构变更为金属结构，使得位线结构在小于7nm时的局限可以克服。并且去除多晶硅之后，可以进一步堆叠。
结构制作方法半导体存储器电子设备

[发明专利]位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备-CN202010292274.8在审
发明人： 金镇泳;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的位线结构包括半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。该位线结构通过将位线从多晶硅‑阻挡金属‑钨结构变更为金属结构，使得位线结构在小于7nm时的局限可以克服。并且去除多晶硅之后，可以进一步堆叠。
结构制作方法半导体存储器电子设备

[发明专利]半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器-CN202010275218.3在审
发明人： 金镇泳;李俊杰;范正萍;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器，半导体位线接触件的制造方法，包括：提供一基底，在所述基底上依次沉积牺牲层和位线凹槽掩模层；基于所述位线凹槽掩模层在所述基底上制造出凹槽；在所述凹槽和基底上沉积多晶硅层；等离子刻蚀所述多晶硅层，以使剩余的所述多晶硅层的顶面与所述基底的顶面基本相平齐；去除所述牺牲层。本申请的半导体位线接触件的制造方法，在基底上沉积牺牲层，在刻蚀多晶硅层时同时刻蚀牺牲层，直至牺牲层被刻蚀掉预设比例的厚度时停止刻蚀，从而实现多晶硅层顶面与基底顶面相平齐。
半导体接触制造方法存储器

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010575383.0在审
发明人： 金镇泳;周娜;李俊杰;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部的两侧的空气隙；其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，具有“L”型的垂直截面形状，所述竖直部分位于所述线形功能部的侧壁外。半导体结构中的线形功能部件，其侧壁外具有空气隙，能够有效降低寄生电容，同时空气隙的制备步骤少，工艺简单，能够很好地降低成本、提高产率。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010596889.X在审
发明人： 金镇泳;李俊杰;周娜;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成接触沟槽；在所述接触沟槽沉积接触材料层；图形化所述接触材料层以形成接触插塞。本公开的接触插塞的制造方法，通过将现有的氧化物层间介质层的沉积直接替换为沉积多晶硅接触插塞材料，从而将后续的刻蚀开孔以沉积接触插塞材料形成接触插塞替换为刻蚀去除多余的多晶硅插塞材料以形成接触插塞，从而克服了在接触插塞制备中底部开孔不充分，垂直形貌不均匀的问题。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法-CN202010599719.7在审
发明人： 金镇泳;李俊杰;周娜;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构，包括半导体基底和形成于基底上的接触孔；所述接触孔包括上部和下部，并且所述上部的尺寸小于所述下部的尺寸以使得所述上部和下部构成上窄下宽的竖直截面为“凸”字形状。本申请的结构及其制造方法能够解决在高深宽比或小孔的开孔工艺中所存在的开孔不充分或开孔存在斜坡刻蚀轮廓的问题，并且能够有效控制顶底关键尺寸比例等于或者接近理想比例数值1.0。
一种具有高深结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]车辆用灯具-CN201611041128.8有效
发明人：赵晋皓;金镇泳;权秀炡;徐承祐;辛起海;池炳起 -专利权人： SL株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： F21S41/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种车辆用灯具。具体而言，涉及一种通过使光源的光透过柱状透镜而实现立体的形状的车辆用灯具。根据本发明的实施例的车辆用灯具包括：光源；以及光图案形成部，通过使所述光源的光透过而形成多个光图案，其中，所述光图案形成部构成为根据观察的角度而被观察到互不相同的图像的光图案，随着所述观察的角度沿特定方向依序变化，所述互不相同的图像的光图案提供连续的运动形象。
车辆灯具

[发明专利]能够进行湿式工序的多功能金属氧化物溶液、其制造方法、以及使用它的有机太阳电池-CN200880112533.1无效
发明人：李光熙;金镇泳;朴成钦 -专利权人：光州科学技术院
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够进行湿式工序的金属氧化物溶液的制造方法以及使用它的膜的制造方法。解决该课题的技术手段在于：改善广泛用作光催化剂的金属氧化物，形成具有新功能的金属氧化物溶液。金属氧化物溶液具有透明、能够进行湿式工序且电子传导容易的特性。因此，在电子元件中能够以各种形态应用，特别是对使用有机物的电子元件具有高的适用性。另外，使用金属氧化物溶液中的钛氧化物溶液得到的膜，由于具有隔绝、除去氧和水分的功能，因此当适用于使用不耐氧和水分的有机物的电子元件时，具有能够改善元件寿命的效果。
能够进行工序多功能金属氧化物溶液制造方法以及使用有机太阳电池

[发明专利]真空吸尘器的灰尘分离设备-CN200880013987.3有效
发明人：河建缟;郑景善;徐真旭;玄起卓;尹昌虎;金镇泳;李昌勋;辛镇赫;赵圣救;池宪平;黄根培 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： A47L9/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于真空吸尘器的灰尘分离设备。根据本发明的用于真空吸尘器的灰尘分离设备包括：旋风分离器，在所述旋风分离器中形成多个旋风气流；灰尘出口，所述灰尘出口用于排出通过所述多个旋风气流分离出来的灰尘；以及灰尘容器，所述灰尘容器用于储存从所述灰尘出口排出的灰尘，其中，所述旋风分离器包括：本体，在所述本体中，空气沿所述本体的内表面流动；以及一对侧部，所述一对侧部中的每一个形成所述本体的两个侧表面中的一个并限定用于排出空气的出口。
真空吸尘器灰尘分离设备

[发明专利]真空吸尘器-CN200810052772.4无效
发明人：河建镐;徐真旭;尹昌虎;金镇泳;李昌勋 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： A47L5/00 文献下载
摘要：一种真空吸尘器，包括：吸尘器本体和集尘装置，其特征在于：还包括有：压缩尘埃储存部中储存尘埃的加压构件，驱动加压构件的压缩电机，检测加压构件移动范围的检测部，向外部显示集尘装置内尘埃清空信息的信号显示部以及当检测出的加压构件移动范围在基准范围以内的情况下，控制信号显示部进行工作的控制部。本发明的真空吸尘器通过一对加压构件可以对集尘装置内部储存的尘埃进行压缩，使其体积达到最小化，从而可实现集尘装置内部储存的尘埃的集尘容量达到最大化，用户无需经常清空集尘装置的内部储存的尘埃，由此提高用户使用上的便利性；由于尘埃在集尘装置中保持被压缩的状态，在清空尘埃的过程中将可防止尘埃飞散。
真空吸尘器

[发明专利]真空吸尘器及其控制方法-CN200810052808.9无效
发明人：河建镐;徐真旭;尹昌虎;金镇泳;李昌勋 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： A47L5/12 文献下载
摘要：本发明涉及的真空吸尘器包括形成有集尘装置安装部的吸尘器本体，可拆装设置的内部形成有尘埃储存部的集尘装置，用于压缩尘埃储存部内储存尘埃的加压构件，用于驱动加压构件的驱动装置，用于控制驱动装置的控制部，检测加压构件误操作与否的误操作检测部，通过控制部向外部显示加压构件误操作信号的显示部。本发明所涉及的真空吸尘器及其控制方法，通过一对加压构件压缩集尘装置内部储存的尘埃，并使其体积达到最小化，从而可实现集尘装置内部储存的尘埃的集尘容量达到最大化，从而使用户无需经常清空集尘装置的内部储存的尘埃，并由此提高用户使用上的便利性。
真空吸尘器及其控制方法

[发明专利]真空吸尘器的灰尘收集器-CN200810008715.6有效
发明人：尹昌虎;河建镐;金镇泳;李昌勋;徐真旭 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： A47L9/00 文献下载
摘要：这里公开的本发明涉及一种根据本发明的真空吸尘器的灰尘收集器，包括：灰尘分离部，从空气中分离出灰尘；灰尘收集主体，具有存储由灰尘分离部分离出来的灰尘的灰尘存储部；以及划分部，划分出灰尘分离部和灰尘存储部的内部空间，选择性地打开和关闭灰尘分离部，并且具有将灰尘排放到灰尘存储部中的开口。
真空吸尘器灰尘收集

[发明专利]真空吸尘器-CN200810008716.0有效
发明人：尹昌虎;河建镐;金镇泳;李昌勋;徐真旭;俞明植;黄满泰;梁海锡;高武铉;秋宗寿;黄弼载 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： A47L5/12 文献下载
摘要：公开涉及一种真空吸尘器，包括：吸尘器主体，其中形成有灰尘收集器安装部；灰尘收集器，连接到灰尘收集器安装部并可从其上移除，并且里面具有灰尘存储部；至少一个压缩部件，可移动地布置在灰尘存储部内，用于减少存储在灰尘存储部中的灰尘的体积；动力传送单元，与压缩部件连接，用于从外部传送驱动力到压缩部件；以及控制单元，决定存储在灰尘存储单元中的灰尘的量。
真空吸尘器

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