“半导体特性”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果800235个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN202010692943.0在审
发明人：岛行德;大野正胜;重信匠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。半导体层包含铟及氧。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980050350.X在审
发明人：肥塚纯一;冈崎健一;保坂泰靖;生内俊光;中泽安孝;保本清治;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201980042911.1在审
发明人：肥塚纯一;神长正美;井口贵弘;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成与半导体层的一部分重叠的栅电极。然后，对半导体层中的不与栅电极重叠的区域通过金属氧化物层及栅极绝缘层供应第一元素。作为第一元素可以举出磷、硼、镁、铝及硅等。如果对金属氧化物层进行加工，在对半导体层供应第一元素之后进行该工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法与应用-CN202211149280.3在审
发明人：宋伟东;郭越;马博新 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：上述紫外光电探测器，包括以下结构：衬底层；GaN半导体层，上述GaN半导体层设于上述衬底层的上表面；N型半导体层，上述N型半导体层设于上述GaN半导体层的上表面；欧姆电极接触层，上述欧姆电极接触层设于上述GaN半导体层的上表面，且与上述N型半导体层相互分离；N型电极层，上述N型电极层设于上述N型半导体层的上表面。本发明紫外光电探测器具有内建电场，在无外置偏压条件下，即可产生稳定的光电流，这使得本发明紫外光电探测器不仅具有快速响应的特性，还具有自驱动的特性。
一种紫外光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210191772.9有效
发明人：加茂宣卓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法，能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置。在对于可见光透明的半导体基板（1）的表面形成源极电极（2）以及漏极电极（3）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间形成表面侧栅极电极（4）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间以外的区域形成对准标记（5）。基于能够透过半导体基板（1）观察到的对准标记（5），对半导体基板（1）进行对位，在半导体基板（1）的背面，在与表面侧栅极电极（4）对置的位置形成背面侧栅极电极（6）。
半导体装置制造方法

[发明专利]太阳能电池元件及其装置-CN201010145150.3有效
发明人：杨宇智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池元件及其装置，该太阳能电池结构包含一多边形半导体外延结构，具有大于或小于九十度夹角的两相邻侧边；一具有第一导电特性的第一半导体材料层；一设置于第一半导体材料层上具有第二导电特性的第二半导体材料层；一第一电极，设置于第一半导体材料层的一侧并与第一半导体材料层电连接；一第二电极，设置于第二半导体材料层的一侧并与第二半导体材料层电连接，其中，第二电极设置于两相邻侧边的夹角上或邻近两相邻侧边的任一侧边
太阳能电池元件及其装置

[发明专利]非易失半导体存储器件-CN200710087896.1有效
发明人：山崎舜平;浅见良信;高野圭惠;古野诚 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种具有优越的写入和电荷保持特性的非易失半导体存储器件，其包括：半导体衬底，其中，在以一定间隔形成的一对杂质区之间形成沟道形成区；以及位于所述半导体衬底的上层部分之上的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层和控制栅极形成所述浮置栅极的半导体材料的能带隙优选小于所述半导体衬底的能带隙。例如，形成所述浮置栅极的半导体材料的能带隙比所述半导体衬底中的所述沟道形成区的能带隙小0.1eV或小得更多。这是因为，通过使所述浮置栅电极的导带的底部能级降至低于所述半导体衬底中的所述沟道形成区的底部能级，改善了电荷注入和电荷保持特性。
非易失半导体存储器件

[发明专利]半导体装置及半导体系统-CN201510072617.9有效
发明人：岩水守生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其通过不设置用于抵消温度特性的元件，而是以积极利用相反的温度特性使电流平衡的方式作用负反馈，从而校正并列连接多个半导体元件的情况下的元件间的偏差。栅极驱动电路经由连接到充电泵(CP)电路与功率半导体元件的栅极之间的电阻而将由CP电路升高的电压施加到功率半导体元件的栅极，使功率半导体元件可靠地处于导通状态。另一方面，在使功率半导体元件处于关断状态时，利用由控制电路输出的控制信号导通栅极驱动电路内的MOS开关并经由二极管放出功率半导体元件的栅极的电荷，从而使功率半导体元件可靠地处于关断状态。
功率半导体元件栅极驱动电路半导体装置关断状态温度特性半导体系统半导体元件二极管并列连接导通状态电流平衡电压施加方式作用控制电路控制信号电荷充电泵负反馈导通电阻校正抵消电路升高输出

[发明专利]一种半导体器件特性的测试分析方法-CN201710175026.3在审
发明人：李阳 -专利权人：合肥仁德电子科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件特性的测试分析方法，包括以下方法X射线无损探伤分析，物理特性外部分析，耐腐蚀特性测试，声学扫描显微镜测试，先行偏振光检测方法。本发明所提供的一种半导体器件特性的测试分析方法，用严谨科学的试验方法和判定依据，对于半导体器件样品的品质给出了最有效的判定依据，通过一系列的方法逐次排查半导体器件样品的芯片尺寸、引线键合定位、BGA封装焊球
一种半导体器件特性测试分析方法

[发明专利]自动传输线脉冲系统-CN200410062870.8有效
发明人：柯明道;张智毅;侯春麟 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种测量半导体元件的静电放电(ESD)特性的自动传输线脉冲系统，包括至少一个产生ESD级脉冲的脉冲产生器；半导体元件的第一端点用以接收来自该至少一个脉冲产生器的第一ESD级脉冲；半导体元件的第二端点用以相对于第一端点接地；半导体元件的至少一个第三端点用以接收来自该至少一个脉冲产生器的第二ESD级脉冲；以及一个资料收集器用以收集半导体元件的ESD特性。以获得更多的有关ESD防护元件的ESD特性资料。
自动传输线脉冲系统

[发明专利]CMOS半导体器件及其制造方法-CN01112354.0无效
发明人：小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2001-04-02 - 公布日： 2001-11-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：更低耐压CMOS和更高耐压CMOS混在一起的CMOS半导体器件中,包括温度特性和AC特性的全部特性均与用P型半导体衬底的CMOS器件的全部特性相同,封装芯片时,连接到焊片的引线构成Vdd端。用在n型半导体衬底上形成较厚的P型外延层,在P型外延层上形成CMOS的结构和制造方法,可用于常规的CMOS技术中,连接到焊片的引线能构成Vdd端。
cmos 半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法-CN202110043042.3在审
发明人：邵国键;林罡;陈韬;陈正廉;俞勇;沈杰;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，步骤依次为：测试化合物半导体器件的初始转移特性；逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；判断阈值电压是否随漏极电压的升高而发生变化，若发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构存在缺陷，若未发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构完整。
一种化合物半导体器件结构缺陷直流筛选方法

[发明专利]一种天然蓝色素在有机半导体器件中的应用-CN201910566277.3有效
发明人：占纪勋;亚历山大·科瓦连科;席克丹姆·尤姆萨克 -专利权人：杭州唯铂莱生物科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K85/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种天然蓝色素在有机半导体器件中的应用。本发明的目的在于提供一种天然蓝色素在有机半导体器件中的应用。天然蓝色素具有1.7eV窄带隙，还具有很高的摩尔消光系数，近乎平面结构，允许分子内及分子间的氢键的结合以及适应性良好的能量水平，为高电荷载流子迁移率的标志，使得其具备双极性能量载体特性，应用该天然蓝色素的有机半导体器件具有优良的光学特性和电学特性
一种天然色素有机半导体器件中的应用

[发明专利]一种多功能半导体场效应晶体管测试电路与方法-CN202310198321.6在审
发明人：刘扬;冉浩然;赵智星;詹海峰;王自鑫 -专利权人：中山大学;湖南炬神电子有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能半导体场效应晶体管测试电路与方法，其中多功能半导体场效应晶体管测试电路包括：动态特性测量装置，用于对待测器件进行测试模式的控制与切换；所述动态特性测量装置包括：控制信号输出电路、多功能测试电路以及钳位电路本发明同时具备测量半导体场效应晶体管的正向导通特性和逆向导通特性，克服了现有的半导体测量装置中测量功能较为单一，不同时具备测量器件正向特性和逆向特性能力的问题，有利于节省元器件数量，简化操作流程，提高测试效率
一种多功能半导体场效应晶体管测试电路方法

[发明专利]立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法-CN201010128715.7无效
发明人：杨大鹏;李红东;吉晓瑞;杨旭昕;李英爱;张铁臣 -专利权人：吉林大学
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半导体特性的立方氮化硼单晶片，是采用高压直接合成或高压再扩散的方法，所述的制备掺杂的立方氮化硼薄膜，是以上述具有半导体特性的立方氮化硼单晶片为衬底，采用真空气相沉积的方法，掺杂生长半导体类型与衬底类型相反的立方氮化硼薄膜。
立方氮化硼单晶薄膜同质制备方法