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[发明专利]用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统-CN201510622931.X有效
发明人：李秀山;王贞福;杨国文 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统，能够使半导体激光器腔面失效分析更为准确、可靠，具有产业实际意义。该综合测试系统特别包括分光组件、温度控制模块和多种光特性测试模块，温度控制模块用于调节待测半导体激光器的温度，所述多种光特性测试模块包括近场分布测试模块、远场分布测试模块、功率测试模块和光谱成像模块，分光组件将待测半导体激光器输出的光分出多路用以设置不同的光特性测试模块；计算机接收处理所述温度测试模块和多种光特性测试模块输出的测试数据，并与温度测试模块、温度控制模块和多种光特性测试模块连接。
测试模块半导体激光器光特性温度控制模块综合测试系统失效分析腔面温度测试模块分光组件功率测试模块光谱成像模块计算机接收测试数据输出多路分出近场远场

[实用新型]用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统-CN201520754206.3有效
发明人：李秀山;王贞福;杨国文 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统，能够使半导体激光器腔面失效分析更为准确、可靠，具有产业实际意义。该综合测试系统特别包括分光组件、温度控制模块和多种光特性测试模块，温度控制模块用于调节待测半导体激光器的温度，所述多种光特性测试模块包括近场分布测试模块、远场分布测试模块、功率测试模块和光谱成像模块，分光组件将待测半导体激光器输出的光分出多路用以设置不同的光特性测试模块；计算机接收处理所述温度测试模块和多种光特性测试模块输出的测试数据，并与温度测试模块、温度控制模块和多种光特性测试模块连接。
用于半导体激光器失效分析综合测试系统

[发明专利]用于基于测得的性能特性来调整时钟信号的电路、系统和方法-CN201180018242.8有效
发明人：本杰明·J·哈斯;威廉·J·麦卡沃伊 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：本发明提供用以测量与半导体裸片相关联的性能特性且基于所述测得的性能特性来调整时钟信号的电路、系统和相关方法。所述经调整的时钟信号可用以向所述半导体裸片中所提供的功能电路提供时钟信号，以确保所述功能电路在性能、电压、温度PVT延迟变化的情况下操作时恰当地操作。在这点上，在包含所述功能电路的所述半导体裸片中提供性能监视电路。因此，所述性能监视电路可暴露于与所述功能电路类似的延迟变化。所述性能监视电路经配置以测量与所述半导体裸片相关联的性能特性。所述性能特性用以基于所述性能特性来调整时钟信号，以将经调整的时钟信号提供给所述功能电路以进行恰当操作。
用于基于性能特性调整时钟信号电路系统方法

[发明专利]晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统-CN202110025009.8在审
发明人：菅野亮平;今藤修;则松和良;加藤勇次 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或/和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。
晶体半导体元件装置系统

[发明专利]半导体装置-CN201980046773.4在审
发明人：杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如，α型氧化镓等)作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
半导体装置

[发明专利]包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置-CN202111268571.X在审
发明人：梁祐荣;具本原;金充满;朴洸珉;成河俊;安东浩;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
包括元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件-CN200510056281.3有效
发明人：松山裕司;铃木真二;伊势康介;道上敦生;米田章法 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2005-04-04 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θb(θ_b)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。
氮化物半导体激光元件

[发明专利]带光检部的面发光半导体激光器及制造法和用它的传感器-CN96110615.8无效
发明人：森克己;近藤贵幸;金子丈夫 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1996-07-10 - 公布日： 2002-08-28 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：带光检测部的面发光式半导体激光器，其发光部激光器振荡特性和光检测部光电变换特性均良好。在半导体基板上的第1第2区域上，叠层形成第1和第2导电型半导体层。第1区域中第2导电型半导体层上形成与基板垂直发出光的光谐振器。第2区域中用第1第2导电型半导体层构成光电二极管。第1区域中第2导电型半导体层厚1μm以上并用作向光谐振器注入电流的下部电极。构成光电二极管的第2导电型半导体层，在刻蚀后厚不足1μm。
带光检部发光半导体激光器制造传感器

[发明专利]一种用陶瓷薄膜做基材的薄膜热电半导体器件的制作方法-CN201610484319.5在审
发明人：杜效中;何少云 -专利权人：杜效中;何少云
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供一种采用陶瓷薄膜基材制造耐高温的薄膜热电半导体器件的方法，首先将重参杂的P型及N型热电半导体材料，制成热电半导体粉体材料浆料；同时配制与特定热电半导体材料固态结晶特性、热膨胀系数等物理参数相近特性的陶瓷浆料及内部导电材料浆料，通过流延工艺制作需求厚度的陶瓷薄膜，并将陶瓷薄膜切割成规定的尺寸、形状（5），然后在陶瓷薄膜上印制内导电电极（6）及N型（8）及P型（9）热电半导体材料，经等静压、排胶及烧结工艺，制作出用陶瓷薄膜做基材的薄膜热电半导体器件
一种陶瓷薄膜基材热电半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体材料放大光纤-CN201711225066.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泰瑞科微电子（淮安）有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料放大光纤，本发明纳米半导体薄膜内包层光纤结构,考虑半导体材料能带结构特性,实现新型结构光纤,并采用改进的化学气相沉积法,在相应实验设备条件下制备出50m纳米半导体薄膜包层光纤；通过对光纤掺杂半导体材料的特性分析,从纳米材料的制备、光纤拉制的过程等方面,探讨并制成了掺纳米半导体InP材料放大光纤通过等离子发射光谱仪和扫描电镜,对制备出的新型结构光纤进行掺杂浓度测试和微观结构观察
光纤半导体材料制备放大光纤纳米半导体薄膜等离子发射光谱仪掺杂半导体材料化学气相沉积微观结构观察纳米半导体内包层光纤包层光纤测试系统超连续谱放大增益光纤拉制纳米材料能带结构浓度测试扫描电镜实验设备特性分析增益曲线光放大掺杂改进

[发明专利]IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统-CN202110945062.X在审
发明人：陈驰;付钰伟;王闯;张嘉伟;王倩 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统，属于电力电子器件劣化失效与状态评估领域。本发明方法直接从SiC半导体空间电荷定域化行为出发，对正向阻断状态SiC半导体空间电荷行为进行测量，并通过空间电荷测量结果提取SiC半导体微观电荷特性参数，建立劣化模型。通过劣化模型和微观电荷特性参数，实现了对SiC半导体进行劣化状态评估与寿命预测。本发明的这种状态评估方法从SiC半导体微观劣化机理出发，可以更好的反应其劣化失效特征、更加有效的评估其劣化状态与工作寿命。
igbt sic 半导体微观失效评估方法系统

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410486695.9有效
发明人：郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差，使电特性稳定，还可以减少断态电流。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010135175.5有效
发明人：郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差，使电特性稳定，还可以减少断态电流。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发出辐射半导体构件、用于发出辐射半导体构件的容纳件以及用于制造发出辐射半导体构件的方法-CN200880109647.0有效
发明人： J·索格;S·格鲁伯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有发出辐射特性的、基于半导体的构件。其中设有具有第一表面(2)及第二表面(1)的玻璃衬底(1)，其中在第一表面(2)上容纳具有发出辐射特性的半导体元件(5)。本发明进一步涉及用于制造基于半导体的构件的方法，该方法具有以下步骤：提供玻璃衬底(1)，在玻璃衬底的第一表面(2)上施加半导体元件(5)。本发明还涉及用于基于半导体的构件的容纳件，其中设有两个电接触面(13)，该两个电接触面(1)可与基于半导体的构件的接触面(7)导电连接。
发出辐射半导体构件用于容纳以及制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201180028560.2有效
发明人：山崎舜平;远藤佑太 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的目的是制造一种电特性的变动小且可靠性高的半导体器件，其中包括使用氧化物半导体的晶体管。在包括氧化物半导体层的晶体管中，在顶栅结构的情况下使用氧过剩的氧化硅（SiOx（X>2））作为基底绝缘层。通过使用氧过剩的氧化硅，氧从绝缘层放出，并且可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷以及基底绝缘层或保护绝缘层与氧化物半导体层之间的界面态密度，从而可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体器件。
半导体器件制造方法