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[发明专利]电吸收调制激光器芯片及其制作方法-CN202310780751.9在审
发明人：李鸿建;陈云飞 -专利权人：武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种电吸收调制激光器芯片，包括集成的DFB激光器、EAM电吸收调制器以及SOA光放大器，所述DFB激光器的电极和所述SOA光放大器的电极通过可调阻值的电极连接件连接。还提供一种电吸收调制激光器芯片的制作方法。本发明使用电极连接件将SOA与DFB器件连接，实现单源表测试DFB激光器及SOA光放大器性能，同样在封装工作时可减少驱动数量，使DFB激光器和SOA光放大器在单电流源的情况下进行出光选模及光放大，提高出光功率并减小啁啾，增加传输距离，由于金属电极的金属良好的散热性能，也增加了DFB激光器和SOA光放大器的散热面积，此外，由于采用可调阻值的电极连接件，使DFB激光器和SOA光放大器在单电流驱动下更合理的分配电流，实现均衡的光功率输出。
吸收调制激光器芯片及其制作方法

[发明专利]半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构-CN202310725552.8在审
发明人：吴梦影;于海洋;李韶杰;赵秦丰;曹玉莲 -专利权人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构，它属于有源芯片，其在高阶侧模有光场分布而基模无光场分布的双沟两侧的高折射脊台下生长离子吸收区和高阻区，其在增加高阶侧模损耗的同时，减小高阶侧模的增益，抑制高阶侧模激射，保证单横模激射。它主要包括包括离子吸收区和高阻区，在激光器双沟脊波导双沟两侧的高折射率脊台下生长离子吸收区和高阻区，离子吸收区为掺杂高阶侧模自由载流子吸收损耗区，即离子吸收层；高阻区为生长在P型限制层中与限制层材料晶格匹配的绝缘层，即高阻层；离子吸收层，离子吸收层位于P型掺杂限制层Ⅰ上方。本发明主要用于半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射。
半导体 dfb 激光器流下保持单横模激射结构

[发明专利]一种窄线宽DFB纳米等离子体激光器及其制备方法-CN202111532759.0有效
发明人：黄小平;昌竹;彭奉江;颜子龙;彭文鑫;李松浓;赵青 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽DFB纳米等离子体激光器及其制备方法，属于光电技术领域。该激光器包括衬底、纳米结构、绝缘层、金属膜、电极及电极引线、布拉格光栅结构。本发明通过在传统的纳米等离子体激光源器件上集成布拉格光栅结构，利用DFB线宽压缩技术，使激光器谐振腔内的有效折射率产生周期性的微扰，对激光器的纵向激射模式进行有选择性的正反馈，抑制其他模式，实现优质的窄线宽、单模、高稳定激光输出。本发明的窄线宽DFB纳米等离子体激光器在微纳传感、片上集成光源、激光雷达、泵浦光源、通信、光集成等领域有广泛的应用。
一种窄线宽 dfb 纳米等离子体激光器及其制备方法

[发明专利]一种外光注入锁定激光器-CN202210260097.4在审
发明人：张瑞英;张犇 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种外光注入锁定激光器，包括形成于同一衬底之上的主激光器、输入输出波导和从激光器；所述主激光器发出的激光通过所述输入输出波导注入所述从激光器，使得从激光器发出激光被主激光器锁定；所述从激光器包括多边形闭合结构的波导谐振腔，所述波导谐振腔包括第一全反射镜和第一直波导，所述第一全反射镜位于相邻两个所述第一直波导之间。本发明实施例提供一种外光注入锁定激光器，以实现结构紧凑、体积小、器件稳定可靠性好、耐恶劣环境能力强、器件一致性好和成本低。
一种注入锁定激光器

[发明专利]单波长激光产生的方法和装置-CN202210193612.1在审
发明人：刘沛;张楷;吴波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单波长激光生成器和生成单波长激光的方法。激光谐振单元对至少一束多模泵浦激光进行处理，并分别输出第一光束和第一激光，第一光束包括第一辐射光束、第二辐射光束以及残余的多模泵浦激光，所述第一辐射光束是所述至少一束多模泵浦激光在所述激光谐振单元中经过泵浦后产生的，所述第二辐射光束包括所述第一激光在所述激光谐振单元中振荡产生的光束和所述至少一束多模泵浦激光在所述激光谐振单元中经过泵浦后产生的光束。泵浦回收单元阻断第一光束包括的所述第一辐射光束和所述第二辐射光束，并将残余的多模泵浦激光重新输入到激光谐振单元。本申请实施例提升泵浦激光利用效率的同时可以避免自激振荡对第一激光信号的影响。
波长激光产生方法装置

[发明专利]一种硅基外腔可调谐激光器及其锁模方法-CN202310887203.6在审
发明人：李磊;史弘康;陈泽;张晓波;方舟 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种硅基外腔可调谐激光器及其锁模方法，所述激光器包括：硅光子外腔芯片、控制器和集成在所述硅光子外腔芯片上的锁模装置；锁模装置包括微环增强型MZI、2x4MMI耦合器和探测器组；其中，微环增强型MZI上包层采用TiO2；其中，硅光子外腔芯片产生的探测光进入微环增强型MZI，微环增强型MZI后面采用2x4MMI和探测器组作为接收端监控探测光从而获得正交差分功率值并反馈至控制器；控制器用于对锁模装置反馈的差分功率值调整施加在硅光子外腔芯片上的电压值。本发明基于Si‑TiO2波导的增强MZI结构，既可以实现绝热传导，又可以提高输出线性度，并通过锁模装置产生正交差分信号，提高了检测准确性。
一种硅基外腔可调谐激光器及其方法

[发明专利]分布式反馈激光二极管、应用及制备方法-CN202310719634.1有效
发明人：杨军 -专利权人：上海三菲半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了分布式反馈激光二极管、应用及制备方法，包括：一个半导体基材衬底，沉积在所述半导体基材衬底上的半导体有源层，沉积在所述半导体有源层上的半导体隔离层，生长在半导体隔离层上的半导体光栅层，沉积在半导体光栅层上的半导体覆盖层，以及沉积在半导体覆盖层上、具有非金属化区域的导电层；所述非金属化区域为无导电能力的无电流注入区。通过上述方案，本发明具有结构简单、可靠提高单模良率等优点，在半导体技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
分布式反馈激光二极管应用制备方法

[发明专利]一种具有光学极化子层的半导体激光元件-CN202310356377.X在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;黄军;陈婉君;张江勇;刘紫涵;蔡鑫;陈三喜;蒙磊;季徐芳;胡志勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光学极化子层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决现有技术中氮化物半导体激光器缺陷问题；从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层和有源层之间，以及上波导层和有源层之间均设置有光学极化子层；所述光学极化子层为Co3O4、Mn3O4、LaBr2。本发明可提升上波导层和下波导层的光学波导效果，抑制衬底模式泄漏，提升远场图像质量，降低内部光损耗，并极有极高的量子限制效应，降低电子泄漏，提升载流子局域化，提升空穴输运效率，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子和峰值增益，提升激光元件的光功率和斜率效率。
一种具有光学极化半导体激光元件

[发明专利]谐波次数可调的锁模激光器-CN202310421761.3在审
发明人：张鹏;王涛;朱仁江;蒋丽丹 -专利权人：重庆师范大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明属于激光设备技术领域，具体公开了谐波次数可调的锁模激光器，包括锁模激光谐振单元和外部光束反馈单元，锁模激光谐振单元包括泵浦光源、泵浦光准直聚焦镜和锁模谐振腔结构，外部光束反馈单元包括分光片、反馈镜和调节座，反馈镜能够向分光片发射反馈光束；反馈镜安装在调节座上，分光片的倾斜角度能够调节，调节座用于调节反馈镜的倾斜角度以及反馈镜与分光片之间的距离；反馈光束与锁模谐振腔结构产生的基波锁模脉冲共同作用产生谐波次数可调的锁模脉冲并输出谐波次数可调的锁模脉冲激光。本发明使得原有的不可控制的谐波锁模的次数变得可以人为地控制调节，因而能够适应不同的应用场景，极大地扩展了谐波锁模激光器的应用领域。
谐波次数可调激光器

[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块-CN202310619798.7有效
发明人：程洋;赵武;王俊;王渝沛;章宇航;郭银涛;夏明月;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层，所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区，第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧，第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧，第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧，第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
一种半导体发光结构及其制备方法封装模块

[发明专利]一种波长锁定装置及其工作方法-CN202310808688.5在审
发明人：裘利平;潘华东;刘新伟;莫亚娟;王金洲;王俊;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明揭示了一种波长锁定装置及其工作方法，波长锁定装置包括：设置在承载平台上间隔的光模块上料组件、体光栅上料组件、第一相机单元、以及抓取和点胶组件；体光栅上料组件包括：料盒支撑板；所述料盒支撑板上用于放置料盒，所述料盒中用于放置体光栅；抓取和点胶组件，抓取和点胶组件包括：六轴运动单元，所述六轴运动单元包括XYZ三轴平移单元和旋转自由度调节单元；点胶单元；抓取单元；第三相机。所述波长锁定装置能实现体光栅的位置精准调节定位。
一种波长锁定装置及其工作方法

[发明专利]一种光生微波源系统和方法-CN202310444159.1在审
发明人：陈海波;刘亚轩;刘灿;王亮 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开一种光生微波源系统和方法，该系统包括光信号生成模块，用于产生CPT现象，输出光学滤波后的激光束；光电探测器，用于将光信号转换成电信号；电信号调整模块，用于对光电探测器输出的电信号进行放大，并进行分束；晶体振荡器锁定模块，包括晶体振荡器，用于对分束后的第二路信号进行调制并输入至分频器，将分频后的信号与晶体振荡器输出的信号进行鉴相并形成误差校验信号，晶体振荡器锁定模块产生所述微波源系统的微波信号；PID控制模块，用于对误差校验信号进行处理，形成压控信号对压控移相器进行控制。本发明兼具了CPT原子钟的稳定度和光电振荡器低相噪的优点，提升了微波信号的稳定度，能够提供高稳定度和低相噪的微波及时间频率信号。
一种微波系统方法

[发明专利]一种基于自注入锁定的光频梳源-CN202310459195.5在审
发明人：刘午;周志伟 -专利权人：合肥硅臻芯片技术有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于自注入锁定的光频梳源，包括半导体激光器、激光驱动器、第一波导分束器、第二波导分束器和波导滤波器，第一波导分束器、第二波导分束器和波导滤波器集成在一个光芯片上。半导体激光器在激光驱动器的作用下工作于增益开关模式输出光脉冲，半导体激光器输出的光脉冲经过第一波导分束器和第二波导分束器的分束后一部分光脉冲输出到光芯片外，另一部分光脉冲经过波导滤波器处理后形成特定频率的自注入光信号，自注入光信号反馈注入到半导体激光器，实现半导体激光器的自注入锁定以及有效光频梳的产生。此外，本申请提供的光频梳源可基于传统半导体激光器和传统的硅基芯片工艺实现，易于片上集成。
一种基于注入锁定光频梳源

[发明专利]光电系统和方法-CN202211652524.X在审
发明人： L·西安宗杰弗里;A·M·亚伦;K·埃米尔;V·V·埃尔温马提恩 -专利权人：效能光子私人有限责任公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电系统，其包括PIC，PIC包括基于半导体的可调谐激光光源，该激光光源能够实现单模激射，从而在预定义工作波长上发射具有预定线宽的光辐射。PIC还包括光学测量单元，该光学测量单元可以接收由所述激光光源发射的光学辐射，并将代表所接收到的光学辐射的信号提供给光电系统的控制单元，该控制单元与所述激光光源和光学测量单元可操作地连接。光电系统能够省略外部光学测量设备，从而能够以更快和更低成本的方式锁定所述激光器的预定义工作波长并实现预定线宽。本公开还涉及一种根据本公开的光电系统的基于半导体的可调谐激光光源的改进调谐方法。
光电系统方法

[实用新型]一种分布反馈半导体激光器-CN202320120391.5有效
发明人：刘刚;朱国建;冷祥 -专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分布反馈半导体激光器，包括:位于有源层上方的第一波导层；位于第一波导层背离有源层一侧的相移光栅结构；相移光栅结构包括在腔长方向上依次排布的第一均匀区域、第一相移区域、第二均匀区域、第二相移区域、第三均匀区域、第三相移区域和第四均匀区域，第一均匀区域、第一相移区域、第二均匀区域、第二相移区域、第三均匀区域、第三相移区域和第四均匀区域中均具有若干栅缝，各栅缝的延伸方向平行且垂直于腔长方向；第一均匀区域、第二均匀区域、第三均匀区域和第四均匀区域的光栅周期恒定且相等；第一相移区域、第二相移区域、第三相移区域的光栅周期均在腔长方向上先增加后减小。在大电流工作条件下能够保持单纵模激射。
一种分布反馈半导体激光器

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