[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710976438.7 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107658265B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 长田昌也 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/498;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过在所述半导体基板的所述第一表面上的所述导体层电连接至所述电极层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧之上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面之上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板至导体层；以及配线层，其通过在所述半导体基板的第一表面上方的导体层电连接至电极层，配线层通过设置在配线层和电极层之间的绝缘层从电极层物理分离。
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- 2021-05-13 - 2023-10-24 - H01L21/768
- 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供待填充层；于待填充层的上表面形成图形化的掩膜层，基于掩膜层刻蚀待填充层，以形成待填充图形；于待填充图形内和掩膜层的上表面形成填充层；以掩膜层为刻蚀阻挡层刻蚀填充层，使填充层与掩膜层表面齐平；去除掩膜层。以掩膜层为刻蚀阻挡层刻蚀填充层，使填充层与掩膜层表面齐平，可以避免使用机械方式去除多余的填充层，从而避免产生缺陷。
- 用于射频(RF)应用的环氧树脂模制化合物上的减薄硅的方法-201980004903.8
- G·H·施;P·利安托;Y·古 - 应用材料公司
- 2019-09-24 - 2023-10-24 - H01L21/768
- 本文描述用于处理半导体基板的方法的实施例。在一些实施例中，处理半导体基板的方法包括以下步骤：从具有多个管芯的重构基板的背侧移除材料，以暴露多个管芯中的至少一个管芯；蚀刻重构基板的背侧，以从暴露的至少一个管芯移除材料；以及在重构基板的背侧和暴露的至少一个管芯上沉积第一材料层。
- 半导体结构及其形成方法-202310896518.7
- 任烨;吴旭升 - 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
- 2023-07-20 - 2023-10-20 - H01L21/768
- 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面形成有第一外延层和第二外延层，所述半导体衬底包括若干交替分布的第一区域和第二区域；掩埋金属连接结构，位于所述第二区域的第一外延层和第二外延层中，所述掩埋金属连接结构的顶面尺寸小于所述掩埋金属连接结构的底面尺寸；穿硅通孔连接结构，位于第二区域的半导体衬底的第二表面贯穿所述半导体衬底并电连接所述掩埋金属连接结构的底面。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，增加了掩埋金属连接结构底部的尺寸，可以使得掩埋金属连接结构和穿硅通孔连接结构精准对接，提高器件可靠性。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
