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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201210475974.6有效
发明人：鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明的半导体器件，包括栅极结构，所述栅极结构中包括功函数金属层，其中，所述功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。这一半导体器件，由于功函数金属层的中心区域和边缘区域厚度不同，可以起到调节栅极的功函数的作用，在一定程度上减小了半导体器件的短沟道效应。本发明的半导体器件的制造方法包括形成栅极的功函数金属层的步骤，其形成的功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。该半导体器件的制造方法，通过将功函数金属层的中心区域和边缘区域设置为不同厚度，调节了栅极的功函数，减小了制造的半导体器件的短沟道效应。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种低功函数金属栅形成方法-CN201210241699.1有效
发明人：韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低功函数金属栅形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长界面层薄膜；在界面层薄膜上生长高K栅介质层；在高K栅介质层上沉积金属栅功函数层；在金属栅功函数层上沉积功函数调节层；在功函数调节层上沉积填充金属，并进行热处理；进行一次热退火处理和/或二次热退火处理，其中，所述一次热退火处理在生长高K栅介质层完成后进行，所述二次热退火处理在沉积金属栅功函数层完成后进行。通过本发明实施例所提供的技术方案，可以有效增强调节层低功函数金属对于功函数的调节能力，从而实现CMOS器件在低漏电流情况下的低阈值电压。
一种函数金属形成方法

[发明专利]栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法-CN201510674607.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的高K电介质层、在所述高K电介质层上的盖层；在所述盖层上沉积第一N型功函数金属层；在所述第一N型功函数金属层上沉积第二N型功函数金属层，所述第二N型功函数金属层中的Ti与Al的原子比大于所述第一N型功函数金属层中的Ti与Al的原子比；在所述第二N型功函数金属层上沉积金属电极层。本发明能够减轻或防止N型功函数金属层被氧化的程度，从而避免NMOS器件的功函数不稳定的问题。
栅极堆叠结构 nmos 器件半导体装置及其制造方法

[发明专利]形成水平方向功函数可变的栅极的方法-CN201410174782.0有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成水平方向功函数可变的栅极的方法，属于半导体技术领域。在衬底上从下到上依次形成栅极介质层、栅极材料层、硬介质掩膜层；通过光刻和刻蚀，图案化所述栅极材料层上的硬介质掩膜层，形成用于刻蚀所述栅极材料层的图形；对位于刻蚀所述栅极材料层的图形两侧的栅极材料层按照设定的倾斜角度进行离子注入，以调整所述栅极材料层水平方向的功函数本发明中，对位于刻蚀所述栅极材料层的图形两侧的栅极材料层按照设定的倾斜角度进行离子注入，以调整所述栅极材料层水平方向的功函数，形成离子掺杂区，从而避免了段沟道效应，消除了阈值电压的漂移，以及漏电流的增大
形成水平方向函数可变栅极方法

[发明专利]导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法-CN202110318984.8在审
发明人：申铉振;金尚元;卞卿溵;李殷奎;金昌炫;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法。该导电结构包括包含金属的导电材料层和用于通过结合至该导电材料层来控制导电结构的功函数的功函数控制层。功函数控制层包括具有缺陷的二维材料。
导电结构结合控制金属函数方法

[发明专利]高介电常数金属栅MOS晶体管-CN202110059785.X在审
发明人：魏程昶;苏炳熏;何德彪;吴方锐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，高介电常数金属栅包括：栅介质层、金属功函数层、顶部盖帽层以及金属导电材料层；栅介质层中包含有高介电常数层；金属功函数层位于栅介质层的顶部；顶部盖帽层位于金属功函数层和金属导电材料层之间，顶部盖帽层采用具有防止金属导电材料层的金属向底部扩散到金属功函数层中的材料且采用非晶结构，以减少或消除氧扩散路径，从而减少或消除对金属功函数层表面的氧化。本发明能防止金属功函数层的顶部表面被氧化而使功函数产生偏移并从而防止器件的阈值电压产生漂移。
介电常数金属 mos 晶体管

[发明专利]阴极配置、电子枪以及包括此电子枪的光刻系统-CN201480071807.2有效
发明人： L.迪努-格尔特勒;E.P.霍杰沃斯特 -专利权人：迈普尔平版印刷IP有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种阴极配置(20)，其包括：热离子阴极，其包括发射部分(30)和贮存器(38)，该发射部分设置有用于发射电子的发射表面，该贮存器用于保留材料，其中，该材料在受热时释放功函数降低微粒，这些功函数降低微粒朝该发射部分扩散并且以第一蒸发速率从该发射表面处发出；聚焦电极(40)，其包括聚焦表面，用以聚焦从该阴极的发射表面处被发射的电子；以及可调整的热源(50)，其被配置成用以保持该聚焦表面在可防止功函数降低微粒累积在该聚焦表面上的温度。
发射表面聚焦表面功函数发射阴极配置电子枪贮存器阴极热离子阴极发射电子光刻系统聚焦电极受热可调整热源蒸发聚焦扩散释放保留配置

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210048953.X在审
发明人：张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：，第一介质层的上表面低于基底的上表面，以暴露出第一沟槽的部分侧壁；于第一沟槽暴露出的侧壁形成第二介质层，第二介质层与保护材料层之间形成有第二沟槽，且第二介质层与第一介质层相接触；于第二沟槽内填充形成功函数结构，功函数结构包括第一功函数层和第二功函数层；其中，第二功函数层位于第一功函数层的上表面，且第二功函数层的功函数小于第一功函数层的功函数。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210781041.3在审
发明人：金俊植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：有源层，该有源层包括与衬底间隔开的沟道并且在平行于衬底的表面的方向上延伸；栅极电介质层，该栅极电介质层形成在有源层之上；字线，该字线在栅极电介质层之上被横向定向以面对有源层，并且该字线包括低功函数电极和高功函数电极，该高功函数电极平行于低功函数电极；以及电介质覆盖层，该电介质覆盖层设置在高功函数电极与低功函数电极之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]整流元件-CN201380048901.1在审
发明人：野崎真次;内田和男;黑川真吾;古川实;白土正 -专利权人：国立大学法人电气通信大学;日本电业工作株式会社
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种整流元件，其包括：第1电极，其具有第1功函数；第2电极，其具有比上述第1功函数大的第2功函数；以及半导体层，其具有值在上述第1功函数与上述第2功函数之间的第3功函数，并且与上述第1电极和上述第
整流元件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710866605.2在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有由第一区延伸至第二区的伪栅开口；在所述伪栅开口内形成第一功函数膜；在第一区第一功函数膜中掺入掺杂离子；在所述第一区第一功函数膜中掺入掺杂离子之后，采用刻蚀工艺去除第二区第一功函数膜，在所述第一区伪栅开口内形成第一功函数层，所述刻蚀工艺对第一区第一功函数膜的刻蚀速率小于对第二区第一功函数膜的刻蚀速率。
第一区功函数基底伪栅半导体结构开口掺杂离子刻蚀工艺介质层掺入刻蚀半导体器件性能功函数层去除延伸

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202210652796.3在审
发明人：金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体存储器件包括：有源层，其与衬底间隔开，在平行于衬底的方向上延伸，以及包括沟道；位线，其在垂直于衬底的方向上延伸以及接触有源层的第一端部；电容器，其接触所述有源层的第二端部；字线，其包括与位线相邻的高功函数电极和与电容器相邻的低功函数电极，低功函数电极具有比高功函数电极更低的功函数；第一栅介电层，其设置在低功函数电极与有源层之间；以及第二栅介电层，其设置在高功函数电极与有源层之间，第二栅介电层比第一栅介电层更薄。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]显示装置及其显示面板-CN201910252019.8有效
发明人：吕磊 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置及其显示面板，通过改变透明显示区所对应阴极、以及非透明显示区所对应第二阴极的功函数，使得第一阴极的功函数大于第二阴极的功函数，且第一阴极与第二阴极的功函数范围为3.8eV‑4.1eV第一阴极的功函数大于第二阴极的功函数，使得透明显示区与非透明显示区满足各自发光效率的需求；第一阴极与第二阴极的功函数范围为3.8eV‑4.1eV，使得第一阴极与第二阴极的透光率也满足各自区域需求；发光效率结合透光率
显示装置及其显示面板

[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构-CN202110047944.4在审
发明人：杨蒙蒙;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域，旨在解决现有的半导体结构制造过程中的热预算较高，且炉管的无定形硅层影响功函数层对晶体管的功函数调节过程的问题。去除牺牲层和第二堆栈层中的功函数复合层和第一导电层，保留第二堆栈层中的衬底、第二界面层和高介电常数层。在高介电常数层上形成栅极层。本发明能够优化半导体结构的功函数调整过程，提升半导体结构的性能。
半导体结构制造方法

[发明专利]肖特基势垒整流器及其制备方法-CN201711293800.7有效
发明人：马文力;金银萍;杨勇;姚伟明 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：：在半导体层的表面沉积肖特基势垒层；在肖特基势垒层的表面沉积阻挡层；在阻挡层的表面沉积反向漏电流抑制层；在反向漏电流抑制层的表面形成第一电极层；在半导体层的背面形成第二电极层；其中，反向漏电流抑制层的功函数高于肖特基势垒层的功函数并且，其可在较大范围内实现功函数的连续调节。同时，阻挡层、反向漏电流抑制层和第一电极层均与传统工艺兼容，由此降低了生产难度，同时还降低了溅射靶材数量，实现了更高精度的功函数调整。
肖特基势垒层反向漏电流抑制层阻挡层表面沉积功函数肖特基势垒整流器半导体层第一电极制备功函数调整肖特基势垒表面形成传统工艺第二电极溅射靶材连续调节生产难度背面兼容

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