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[发明专利]金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法-CN201410279864.1在审
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法。所述金属栅极功函数层的制备方法包括沉积功函数层；在含N气氛下对所述功函数层进行退火，以在所述功函数层的表面形成氮化物层。本发明为了解决目前功函数层容易被氧化的问题，提供了一种新的制备方法，在所述方法中在沉积功函数层之后在含N气氛下进行退火来代替常规的Ar气氛下进行的退火，通过所述方法可以使功函数层的表面氮化，从而形成一层氮化物层，防止所述功函数层在退火以及工艺等待过程中被氧化，避免了功函数层功函的漂移，同时还可以使制备得到的功函数层更加致密，以提高器件的性能和良率。
金属栅极函数制备方法半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110287710.7在审
发明人：田震;董耀旗;黄达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，沿鳍部的延伸方向上，鳍部包括沟道区，沟道区用于形成叠层功函数层；在沟道区形成保形覆盖鳍部的顶部和侧壁的栅介质层；在沟道区形成保形覆盖栅介质层的第一功函数层；在相邻鳍部之间的第一功函数层上形成填充层，填充层至少露出鳍部顶部的第一功函数层，填充层的材料费米能级相较于叠层功函数层的材料费米能级更接近于鳍部的费米能级；形成覆盖第一功函数层和填充层的第二功函数层，第二功函数层和第一功函数层用于构成叠层功函数层。第二功函数层位于第一功函数层和填充层顶部，降低了第二功函数层中产生空洞缺陷的概率，提高器件阈值电压的均一性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710616847.6有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域衬底上形成第一初始功函数层；对所述第二区域第一初始功函数层进行保护处理，形成第一功函数层；去除所述第一区域的第一初始功函数层，去除所述第一区域的第一初始功函数层的过程中，所述第一功函数层的去除速率小于所述第一初始功函数层的去除速率。对第二区域第一初始功函数层进行保护处理，形成第一功函数层。所述第一功函数层的去除速率小于所述第一初始功函数层的去除速率，使去除所述第一区域的第一初始功函数层的过程对第一功函数层的损耗较小，从而能够改善所形成半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201611067425.X有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，包括N型逻辑区、P型逻辑区、以及相邻的上拉晶体管区和下拉晶体管区；在栅介质层上形成第一功函数层；去除N型逻辑区和下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第一功函数层和栅介质层上形成第二功函数层；去除第二N型阈值电压区的第二功函数层；在剩余第二功函数层和第二N型阈值电压区上形成N型功函数层。相比在下拉晶体管区仅形成N型功函数层的方案，本发明第二功函数层覆盖上拉晶体管区和下拉晶体管区交界处的第一功函数层侧壁，还覆盖上拉晶体管区第一功函数层顶部，增加了N型功函数层中金属离子至上拉晶体管区第一功函数层的扩散路径
功函数层上拉晶体管下拉晶体管逻辑区半导体结构晶体管区栅介质层阈值电压去除电学性能金属离子扩散路径交界处侧壁覆盖基底优化

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710948014.X在审
发明人：陈劲达;陈彦廷;吴汉威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体装置的结构及其制造方法，在第一鳍片上形成第一功函数层，且与相邻的第二鳍片相比，第一功函数层终止于更靠近第一鳍片。在第一功函数层上形成第二功函数层，且与相邻的第一鳍片相比，第二功函数层终止于更靠近第二鳍片。在第二功函数层和第二鳍片上形成第三功函数层。在第三功函数层上形成导电层。
功函数层鳍片半导体装置导电层制造

[发明专利]低功函数电极、半导体器件及其制备方法-CN202310238260.1在审
发明人：胡又凡;龙冠桦;蔡翔;樊晨炜 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积低功函数材料而形成，低功函数材料层除下表面之外的所有其他表面均被保护层包覆本公开实现了对低功函数材料表面进行包覆式保护的电极结构，能够避免低功函数材料氧化导致电极退化，降低低功函数材料在微纳加工过程中的退化，提升低功函数电极的稳定性。使用本公开提供的低功函数电极作为半导体器件的电极，可显著提升半导体器件的稳定性和性能表现，降低半导体器件的加工封装工艺要求和存储环境要求。
函数电极半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110272188.5在审
发明人：李永亮;赵飞;程晓红;马雪丽;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在第一栅介质层和第二栅介质层上分别形成第一功函数层。在位于第一栅介质层上的第一功函数层上、以及在第二栅介质层上形成第二功函数层。或，对位于第二栅介质层上的第一功函数层的功函数进行调整，形成第二功函数层，以使第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010018878.3在审
发明人：陈建 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区；在衬底的第一区、第二区和第三区上形成第一功函数材料层；在第一功函数材料层上形成第二功函数材料层，所述第二功函数材料层和第一功函数材料层的功函数类型相同；去除第一区上的第一功函数材料层和第二功函数材料层；去除第二区上的第二功函数材料层。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210679189.6在审
发明人：潘育麒;林冠玮;苏育德;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：沉积第一功函数层在第一沟槽及第二栅极沟槽上方。方法包括沉积第二功函数层在第一功函数层上方。方法包蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层，且覆盖第二栅极沟槽中的第二功函数层，导致第一栅极沟槽中的第一功函数层包含蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层后所留下的金属掺质。方法包括形成第一主动栅极结构及第二主动栅极结构，第一主动栅极结构及第二主动栅极结构各自包括第一功函数层及从第一栅极沟槽中的第二功函数层所留下的金属掺质、以及第一功函数层及无从第二功函数层所留下的金属掺质
半导体装置制造方法

[发明专利]一种三栅极结构的形成方法-CN201610985906.2有效
发明人：刘英明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种三栅极结构的形成方法，包括：第一步骤：在衬底上依次形成介质层、第一功函数金属层和硬掩膜层；第二步骤：形成硬掩膜层的图案；第三步骤：采用形成图案的硬掩膜层刻蚀第一功函数金属层，以形成第一功函数金属凸块；第四步骤：沉积第二功函数金属层，其中第二功函数金属层与第一功函数金属层为不同材料；第五步骤：对第二功函数金属层进行化学机械研磨，直到露出第一功函数金属凸块；第六步骤：刻蚀第二功函数金属层和介质层，从而形成在第一功函数金属凸块侧壁包围第二功函数金属侧壁的结构
一种栅极结构形成方法

[发明专利]FinFET器件及其形成方法-CN201510005573.8有效
发明人：居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：、PMOS器件区域的衬底；形成鳍；对PMOS器件区域中的鳍进行离子掺杂；形成多个伪栅结构、源极和漏极；形成互连介质层；去除伪栅结构，以在互连介质层中形成开口；在NMOS器件区域的开口中的鳍表面形成不同功函数的功函数层FinFET器件包括：多个阈值电压不同的NMOS晶体管、PMOS晶体管；NMOS晶体管的栅极结构包括功函数层以及栅极结构，且功函数层之间的功函数大小不同；PMOS器件区域的鳍中形成有分别对应于各个PMOS本发明有益效果在于，本发明的方法可以在工艺难度、成本以及晶体管稳定性以及调整阈值电压的效果之间取得较佳平衡。
finfet 器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510670999.5在审
发明人：秦长亮;殷华湘;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件制造方法，通过引入功函数层并调节其厚度参数，改变沟道区域功函数层的等效平均厚度，以此平衡不同沟道尺寸的器件由于应力工程而产生的不同的阈值电压偏移，从而能够使不同尺寸器件的阈值电压区域一致；而在调节功函数层厚度的同时还可以对栅极凹槽深度也即栅极高度进行调节；本发明的方法便于在器件制造中进行参数调整，以获得一致的阈值电压，并且工艺简单有效，与先有的工艺流程兼容。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201611248888.6有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供包括第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底，第一N区与第一P区相邻接；在栅介质层上形成阻挡层；在阻挡层上形成第一功函数层；刻蚀第一功函数层，保留位于第一P区的第一功函数层；在第一N区、第一P区、第二N区以及第二P区上形成第二功函数层；刻蚀第一N区和第二N区的第二功函数层，直至露出第一N区的栅介质层；形成第三功函数层，第三功函数层还覆盖第一N区和第一P区交界处的阻挡层侧壁、第一功函数层侧壁以及第二功函数层侧壁；在第三功函数层上形成第四功函数层。本发明避免对第一P区的第一功函数层以及第二功函数层造成横向刻蚀，改善了形成的半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种CMOS器件及其制作方法-CN201710725569.8有效
发明人：殷华湘;姚佳欣;赵超;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：每次等离子体处理能够一次性同时调整NMOS区域的功函数和PMOS区域的功函数；无需通过调节阻挡层的厚度调节CMOS器件的功函数，从而使得集成工艺更为简单；NMOS和PMOS之间阈值调节关联影响较小，控制精度更高而且通过两次不同的等离子体处理使得不同部分NMOS沟道区域和PMOS沟道区域的功函数不同，从而能够得到三个阈值以上的CMOS器件。
一种 cmos 器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210067312.5有效
发明人：殷华湘;徐秋霞;赵超;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其中第一栅极堆叠结构包括第一栅极绝缘层、第一功函数金属层、第二功函数金属扩散阻挡层、栅极填充层，该功函数接近价带(导带)边。第二栅极堆叠结构包括第二栅极绝缘层、改性的第一功函数金属层、第二功函数金属层、栅极填充层，其特征在于：第二功函数金属层包括注入的调节功函数掺杂离子，同时部分扩散到其下的第一功函数层调节阈值，使该栅极的功函数接近导带(价带)边与原有的第一功函数相对，从而精确调节栅极功函数。
半导体器件及其制造方法