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[发明专利]垂直型功率半导体器件结构及形成方法-CN202211080108.7在审
发明人： 仲雪倩;陈思哲;黄海涛;张永熙 -专利权人：上海瞻芯电子科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及一种垂直型功率半导体器件结构及形成方法，所述方法包括：在衬底的外延层表面区域形成注入掩膜；在注入掩膜两侧，以第一能量、第一剂量及第一角度进行N型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的N+区域，第一角度为N型离子注入方向与外延层所在平面的法线的夹角；在注入掩膜两侧，以第二能量、第二剂量及第二角度对外延层进行P型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的P阱区域，第二角度大于第一角度，第二能量大于第一能量；去除注入掩膜及预设厚度的外延层，以得到目标长度的沟道。本公开实施例可以有效减少工艺的复杂程度，沟道长度及掺杂浓度可灵活调整，实施难度小，成本较低。
垂直功率半导体器件结构形成方法

[发明专利]超级结的制造方法及其超级结肖特基二极管-CN202010150476.9在审
发明人：陈伟;仲雪倩;黄海涛;张永熙 -专利权人：上海瞻芯电子科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种超级结的制造方法及其超级结肖特基二极管。本申请中超级结的制造方法包括：通过外延生长工艺在宽禁带半导体衬底表面上形成外延层；将第一掺杂离子沿宽禁带半导体的预设晶向注入外延层的至少一部分区域，形成第一导电类型区；将第二掺杂离子沿宽禁带半导体的预设晶向注入第一导电类型区的至少一部分区域，形成第二导电类型区，其中，第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型不同；预设晶向为使得掺杂离子沿预设晶向注入会发生沟道效应的晶向。
超级制造方法及其结肖特基二极管

[发明专利]具有新型焊线的电力电子模块装置-CN201210570401.1在审
发明人：谢刚;仲雪倩;盛况;汪涛;郭清 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有新型焊线的电力电子功率模块装置。本发明采用具有低膨胀系数的金属材料代替传统铝材料，作为电力电子功率模块装置中用于芯片之间或芯片与电极之间相连接的引线。具有新型焊线的电力电子功率模块装置有效地解决了传统铝焊线与其接合材料的交界面上热应力过大的问题，改善了高温工作条件下金属焊线的安全性，有效提高了整个功率模块的使用寿命。
具有新型电力电子模块装置

[发明专利]具有新型接合层的电力电子模块散热结构-CN201210570362.5在审
发明人： 仲雪倩;盛况;汪涛;郭清;谢刚 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有新型接合层的电力电子功率模块散热结构。本发明使用纳米级金属颗粒接合层替代传统电力电子功率散热结构中的焊锡层，作为DBC板上金属层与芯片之间的上接合层以及DBC板下金属层与散热基板之间的下接合层。具有新型接合层的电力电子功率模块散热结构，通过采用新型纳米级金属颗粒接合层代替焊锡作为上下接合层，有效地解决了传统焊锡材料与DBC板上下金属层之间的热膨胀系数差别较大的不足，既保证了接合层的导电性能，又明显降低了整体的热应力，同时大幅度提升了接合层的可靠工作温度，有效改善了DBC板与组件的使用寿命。
具有新型接合电力电子模块散热结构

[实用新型]一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件-CN201220562067.0有效
发明人：汤岑;谢刚;仲雪倩;崔京京;汪涛;郭清;盛况 -专利权人：浙江大学苏州工业技术研究院
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件，包括衬底，依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极，电容性耦合沟槽矩形阵列，电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，所述第三半导体层与所述第二半导体层之间形成二维电子气沟道，所述多晶硅连接器贯穿所述二维电子气沟道，并截止于第二半导体层中。多晶硅连接器长度短，不但工艺简单，而且还降低了制作成本，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，介质击穿电压高，使得电子器件能承受很高的电压。
一种带有漂移电场成型技术化合物半导体器件