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[发明专利]一种光刻胶喷涂设备-CN202210578943.7有效
发明人：刘颂军;孙炜;冯亚楠 -专利权人：沧州信联化工有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B05B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶喷涂设备，涉及半导体生产领域，该喷涂设备包括喷涂机架、托盘和喷涂组件；所述喷涂组件包括喷涂头组件、料箱、料泵和承托驱动机构，所述喷涂头组件包括外壳体、旋转雾化件和导液细管，所述承托驱动机构包括支托架、支托滑轨、六棱柱和驱动件，所述支托架固定在喷涂机架上且六棱柱转动设在支托架上，六棱柱的外壁上设置有多组齿条且每组齿条的齿间距不同，所述支托滑轨设在支托架侧部且支托滑轨上设有在其上滑动的承托件，所述旋转雾化件的外壁上具有与其中一组齿条相啮合的外齿轮本发明结构简单，能够雾化光刻胶喷涂并调节光刻胶的雾化及喷涂速度，喷涂均匀且便于操作。
一种光刻喷涂设备

[发明专利]晶圆清洗设备及晶圆清洗方法-CN202011089747.0在审
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗设备，该晶圆清洗设备包括清洗装置和控制器，清洗装置包括多个可移动的清洗液喷嘴，清洗液喷嘴用于向待清洗的晶圆的晶边喷涂清洗液，各个清洗液喷嘴中的清洗液的成分不同；控制器与清洗装置通信连接，控制器用于根据晶圆上的光刻胶的成分，选择一个或多个清洗液喷嘴向晶圆喷涂清洗液。本实施例提出的晶圆清洗设备通过设置多个清洗液喷嘴喷涂不同成分的清洗液，从而适应多种不同类型的光刻胶，并利用控制器根据光刻胶的成分选择清洗液，并控制对应的清洗液喷嘴移动，进而喷涂清洗液，提高了清洗效果，避免了因清洗液对光刻胶的溶解度低而导致的清洗不完全
清洗设备方法

[发明专利]光纤端面微细加工方法-CN02111917.1无效
发明人：李以贵;贾书海;王宏坤 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2002-06-03 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明具体方法如下：(1)在光纤端面喷涂光刻胶形成均匀光刻胶层；(2)将光纤端面前烘；(3)将光纤端面导入带自对准的掩膜板微孔，对光刻胶进行曝光，显影，并进行后烘；(4)以光刻胶为掩膜对光纤端面进行刻蚀
光纤端面微细加工方法

[发明专利]一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法-CN202210181055.1在审
发明人：赵振合;刘絮霏 -专利权人：筑磊半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-02-26 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。该种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，运用可高效收集光刻胶残留物的环糊精衍生水性剥离剂，结合喷嘴喷射的喷雾结构、雾化和冲击条件，应用低的去除温度和快速的去除时间，不仅可去除在氧化铟锡电极上的光刻胶，保持电极电学和光学性能的稳定，同时可减少光刻胶去除工艺步骤中环境污染物的产生。
一种环糊精衍生水性剥离去除氧化表面有机光刻高效喷涂方法

[发明专利]COA基板、显示装置及该COA基板的制造方法-CN201310454684.8无效
发明人：齐永莲;舒适;惠官宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：COA基板、显示装置及该COA基板的制造方法，所述COA基板包括：一衬底基板；薄膜晶体管阵列，设置于所述衬底基板上；一保护层，覆盖于所述薄膜晶体管阵列上；彩色滤光片，包括彩色像素和白色像素，所述白色像素由光刻胶材料制成本发明的COA基板在保护层之上涂覆光刻胶，保留白色像素区域内的光刻胶，使得白色像素由光刻胶材料形成，去除彩色像素区的光刻胶，对彩色像素区采用喷墨法形成彩色层，使得喷涂形成的彩色像素区和白色像素区之间具有较小的段差
coa 基板显示装置制造方法

[发明专利]用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法-CN202211487546.5在审
发明人：刘阿娟;侯鹏 -专利权人：陕西光电子先导院科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法，包括在晶圆表面上包括凹槽内依次旋涂或喷涂第一层感光光刻胶、不感光的光刻胶和另一层感光光刻胶，共三层胶，之后再选择光刻板进行一次曝光，依次进行一次显影本发明在光刻显影后，沟槽光刻胶可全部干净，沟槽外平台倒角横向长度可到1.1微米‑2.3微米左右，在后续溅射金属时满足倒角处无金属粘连，能够满足剥离的需求，达到易剥离且图形边缘没有残余金属的效果。
用于沟槽三层一次曝光显影金属剥离方法

[发明专利]用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法-CN202010589829.5有效
发明人：邢栗;陈兴隆;张怀东;童宇波;孙会权 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B05B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法，属于集成电路制造晶圆工艺中的喷胶处理技术领域。该喷嘴装置包括液体输送管、雾化装置和除灰化装置，所述液体输送管与所述雾化装置相连接，所述雾化装置与所述除灰化装置相连接；所述雾化装置用于将所述液体输送管输送的喷胶用光刻胶光刻胶或保护隔离层雾化成液滴，并将小尺寸液滴作用于晶圆表面，通过调节雾化装置中电压以及共振频率即可调节喷胶速率，以满足不同工艺需求。该喷嘴针对带有深孔结构的晶圆喷涂光刻胶或保护隔离层，以及需喷涂薄胶(2μm以下)工艺的晶圆同，能够解决常规喷胶方式难以满足工艺需求如高深宽比深孔结构晶圆以及薄胶喷涂晶圆喷涂。
用于高深结构喷涂喷嘴装置方法

[发明专利]涂布机-CN201610782533.9在审
发明人：张余堂 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种涂布机，用于向基板上涂布光刻胶，所述涂布机设有驱动马达、线性喷嘴和挡片，所述驱动马达用于驱动所述线性喷嘴进行前后或上下运动，所述线性喷嘴包括用于向下方喷涂所述光刻胶的喷口，所述挡片设置在所述喷口的端部，以用于阻挡所述喷口的所述端部向所述基板涂布所述光刻胶。根据本发明的涂布机无需在基板的边缘区域进行光刻胶涂布，能够省去基板的曝边工艺，从而能够节省曝边机的设备成本，并且降低产品不良的风险。
涂布机

[发明专利]一种光刻胶涂布设备及涂布方法-CN201811024986.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶涂布设备及涂布方法，所述光刻胶涂布设备包括工作台、边缘研磨模块及喷头模块；通过具有研磨槽的边缘研磨模块，对待研磨半导体衬底的边缘区域进行研磨，以去除位于待研磨半导体衬底的边缘区域的残留光刻胶；在边缘研磨模块进行研磨的同时，通过位于待研磨半导体衬底上方及下方的喷头模块喷涂清洗液，及时有效地去除研磨废料。防止位于半导体衬底边缘区域的光刻胶成为后续工艺中缺陷的产生源，从而提高产品良率。
一种光刻布设方法

[实用新型]一种光刻胶涂布设备-CN201821440414.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光刻胶涂布设备，所述光刻胶涂布设备包括工作台、边缘研磨模块及喷头模块；通过具有研磨槽的边缘研磨模块，对待研磨半导体衬底的边缘区域进行研磨，以去除位于待研磨半导体衬底的边缘区域的残留光刻胶；在边缘研磨模块进行研磨的同时，通过位于待研磨半导体衬底上方及下方的喷头模块喷涂清洗液，及时有效地去除研磨废料。防止位于半导体衬底边缘区域的光刻胶成为后续工艺中缺陷的产生源，从而提高产品良率。
研磨光刻胶涂布半导体边缘研磨衬底边缘区域喷头模块光刻胶去除衬底边缘区域本实用新型产品良率后续工艺产生源清洗液研磨槽有效地工作台喷涂残留

[发明专利]涂胶设备及涂胶方法-CN201910279647.5在审
发明人：汪涛;高锦成;刘泽旭;张瑞锋;李涛;钱海蛟;刘知畅 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种涂胶设备及涂胶方法，涂胶设备，包括基板放置区，所述基板放置区用于放置待涂胶基板，所述基板放置区上方设有可移动喷头，所述喷头用于喷涂光刻胶，所述基板放置区下方设有多个激光器。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在涂胶设备中增加多个激光器进行基板的边涂胶边固化，能够有效防止基板在传送的过程中引起的光刻胶不规则流动，提高了曝光前光刻胶膜层的均一性，提升了曝光的精度，有效防止了光刻胶残留等不良，同时将光刻胶涂覆和固化进行整合，节省了后续的步骤，降低了单件产品的生产时间。
基板放置区涂胶设备光刻胶涂胶激光器基板固化喷头不规则流动待涂胶基板光刻胶残留光刻胶膜层可移动喷头单件产品曝光均一性喷涂涂覆整合申请传送生产

[实用新型]用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置-CN202021195669.8有效
发明人：邢栗;陈兴隆;张怀东;童宇波;孙会权 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B05B17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置，属于集成电路制造晶圆工艺中的喷胶装置技术领域。该喷嘴装置包括液体输送管、雾化装置和除灰化装置，所述液体输送管与所述雾化装置相连接，所述雾化装置与所述除灰化装置相连接；所述雾化装置用于将所述液体输送管输送的喷胶用光刻胶光刻胶或保护隔离层雾化成液滴，并将小尺寸液滴作用于晶圆表面，通过调节雾化装置中电压以及共振频率即可调节喷胶速率，以满足不同工艺需求。该喷嘴针对带有深孔结构的晶圆喷涂光刻胶或保护隔离层，以及需喷涂薄胶(2μm以下)工艺的晶圆，能够解决常规喷胶方式难以满足工艺需求如高深宽比深孔结构晶圆以及薄胶喷涂晶圆喷涂。
用于高深结构喷涂喷嘴装置

[发明专利]光刻胶涂布方法-CN202310316023.2在审
发明人：罗先刚;王璞;邓坤;高平;乔帮威;向遥 -专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法。该光刻胶涂布方法包括：在晶圆的第一表面喷涂用于提高光刻胶粘结力的粘结剂，在晶圆的第一表面滴第一预定量的第一液体，以第一加速度驱动晶圆旋转以使第一液体从滴落点向晶圆的边缘方向运动，以通过第一液体的运动使粘结剂均匀铺在晶圆的第一表面，向晶圆的中心滴第二预定量的光刻胶，在完成滴胶后的第一时间段内以第二加速度驱动晶圆旋转以使第二预定量的光刻胶在第一表面铺开，在第二时间段内以预定转速驱动晶圆旋转以在晶圆的第一表面形成厚度均匀的光刻胶涂层采用本申请实施例的光刻胶涂布方法可以在晶圆表面旋涂超薄、高均匀性的光刻胶。
光刻胶涂布方法

[发明专利]一种指纹识别微透镜成像组件的制备方法-CN202011383383.7在审
发明人：邵仁锦;张瑾;浦东林 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州迈塔光电科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种指纹识别微透镜成像组件的制备方法，包括：S1、提供微透镜阵列，在微透镜阵列表面涂覆正性光刻胶，正性光刻胶厚度大于微透镜阵列高度；S2、去除微透镜周围的正性光刻胶并保留微透镜上表面的正性光刻胶；S3、在正性光刻胶表面和微透镜的间隙处喷涂一层黑色光阻材料；S4、对黑色光阻材料紫外泛曝光；S5、将正性光刻胶及其表面的黑色光阻材料剥离，得到指纹识别微透镜成像组件。
一种指纹识别透镜成像组件制备方法

[发明专利]RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路-CN202310507696.6在审
发明人：易凡;陈蓓;史宏宇 -专利权人：深圳市华芯微测技术有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本申请提供一种RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路，其中，RDL积层线路的制作方法包括：制作基板；在基板上旋涂第一光刻胶；将第一光刻胶曝光显影，以在基板上制备出用作连接的盲孔；基于电镀铜柱工艺在基板上电镀，以形成铜柱；去除剩余的第一光刻胶，以得到带铜柱的基板；向基板上喷涂满足预设性能条件的材料，其中，满足预设性能条件的材料固化后形成介质层；基于磁控溅射工艺在基板的表面形成种子层；在种子层的上表面旋涂第二光刻胶；基于第二光刻胶曝光显影出焊盘及线路；电镀焊盘和线路；去除剩余的第二光刻胶和蚀刻多余的种子层。
rdl 线路制作方法