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[实用新型]介电质膜高反射镜-CN202222874482.6有效
发明人：吴茂;杨建文 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学薄膜技术领域，具体公开了一种介电质膜高反射镜，包括基底及堆叠设置在基底上并包括交替堆叠设置的若干全介电质低折射率膜层和若干全介电质高折射率膜层的反射膜，全介电质低折射率膜层的折射率小于1.55，全介电质高折射率膜层的折射率大于2，单个全介电质低折射率膜层和单个全介电质高折射率膜层的厚度分别为2‑200nm，反射膜的厚度为1300‑3000nm。上述介电质膜高反射镜采用介电质低折射率膜层和介电质高折射率膜层交替堆叠设置，光束在各膜层界面反射回前表层的光产生相长干涉，反射率提高；各膜层均由全介电质材料成型，不含单质金属层，避免了氧化和受潮问题，延长了介电质膜高反射镜的使用寿命
质膜反射

[发明专利]一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片-CN202111553097.5在审
发明人：张帅龙;李恭;高伟博;李凤刚;覃珊 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片，DMF介电层覆膜方法，包括：将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上；在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板；将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板；在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。
一种 dmf 介电层覆膜方法系统数字微流控芯片

[发明专利]电容器及其制备方法-CN202010009965.2在审
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电容器的制备方法，其包括：形成下电极；在所述下电极上依次形成层叠设置的多个介电膜层，其中距离所述下电极最近的介电膜层和距离所述下电极最远的介电膜层均含有氮氧化铝、氮氧化锆、氮氧化铪中的至少一种；以及在所述多个介电膜层远离下电极的一侧形成上电极最靠近所述上电极的介电膜层为金属氮氧化物，最靠近所述下电极的介电材料层为金属氮氧化物，既能保证所述多个介电膜层整体的高介电系数，又能有效避免介电膜层与电极的反应，从而改善所述电容器的泄露问题。
电容器及其制备方法

[实用新型]热声发动机驱动的摩擦纳米发电机-CN202320157895.4有效
发明人：杨宇鹏;杨睿;余国瑶;吴张华;罗二仓 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种热声发动机驱动的摩擦纳米发电机，包括：反应器，反应器具备密闭内腔；驱动模块，驱动模块包括依次设置的加热器、回热器和冷却器；发电模块，发电模块包括层叠设置的第一介电膜层和第二介电膜层，第一介电膜层固定设置在密闭内腔中，第一介电膜层和第二介电膜层滑动配合，第一介电膜层、第二介电膜层的第一表面和第二表面上分别间隔设有多个电极，位于同一表面上的相邻电极之间的间距等于电极的宽度，第一介电膜层的第一表面上的电极与第二介电膜层的第二表面上的电极电连接；传动组件，传动组件包括传动杆，传动杆上设有与密闭内腔滑动配合的活塞，第二介电膜层跟随传动杆同步移动。
声发动机驱动摩擦纳米发电机

[发明专利]半导体装置-CN202080045558.5在审
发明人：山口阳平;芦峰智行 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，能够抑制在覆盖介电膜的端部周边的保护层产生裂缝，并抑制由产生裂缝引起的介电膜的绝缘破坏强度的降低。半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；介电膜，配置于第一主面的一部分；第一电极层，配置于介电膜的一部分；以及保护层，从第一电极层的端部遍及上述介电膜的外周端连续地覆盖。介电膜具有：电极层配置部，配置有第一电极层；以及保护层覆盖部，被保护层覆盖。介电膜的保护层覆盖部的外周端处的厚度小于介电膜的电极层配置部的厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200810086241.7有效
发明人：蔡方文;王冠程;林耕竹;林志隆;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置，适用于先进内连线的超低介电常数介电膜层结构，其包括：具有不同折射率的一上层ELK介电层及一下层ELK介电层。上层ELK介电层的折射率大于下层ELK介电层的折射率。本发明提供一种应用于先进内连线的内层金属介电层的超低介电常数介电膜层。超低介电常数介电膜层包括在相同UV光波长测量下具有不同折射率的双膜层，以防止后续UV烘烤期间UV光穿透至下方膜层，进而提高UV烘烤效率并节省UV光的使用。
半导体装置

[发明专利]介电薄膜、其制作方法及导电插塞-CN202310645608.9有效
发明人：薛翔;张伟;汪民武;林智伟;郭廷晃 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供了介电薄膜、其制作方法及导电插塞。该介电薄膜包括非硅基介电膜和掺杂至非硅基介电膜中的氟自由基。其中，由于膜层的介电性与形成膜层的材料的极性有关，即材料的极性越大，膜层的介电常数越小，基于此，在低介电常数的非硅基介电膜中掺杂低极性基团的氟自由基之后，该氟自由基能够增加膜层材料的疏水性，从而减少了膜层材料与空气中的潮气的反应，进而减少了羟基基团等高极性基团的形成，且氟自由基本身为低极性基团，因此，氟自由基对非硅基介电膜的介电性的影响较小，从而能够使得介电薄膜达到理论上的最小k值。
薄膜制作方法导电

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110775594.3在审
发明人：吴轶超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体的结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一介电层以及位于第一介电层中的第一导电层，基底的顶部形成有第二介电层，第一导电层侧部的第二介电层的顶部形成有硬掩膜层，硬掩膜层露出位于第一导电层顶部的第二介电层；以硬掩膜层为掩膜，去除第一导电层顶部的部分厚度的第二介电层，在第二介电层中形成第一开口；以第一开口底部的剩余第二介电层作为掩膜，去除硬掩膜层；去除第一开口底部的剩余第二介电层，在剩余厚度的第二介电层中形成露出第一导电层顶面的第二开口，第二开口顶部和第一开口底部相连通；在第一开口和第二开口中形成第二导电层。本发明降低在第一开口和第二开口中形成的第二导电层产生空洞缺陷的概率。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201810167630.6在审
发明人：张海洋;蒋鑫;钟伯琛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属连接层，并在金属连接层上形成盖层；形成低k介电层，低k介电层形成于盖层的上方，在低k介电层上形成层间介质层，并在层间介质层上形成硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀层间介质层以形成连接孔，暴露低k介电层；形成覆盖连接孔的内壁的侧墙；和除去暴露的低k介电层和硬掩膜层。避免低k介电层出现刻蚀过度产生的缺陷，保证了低k介电层结构尺寸的规整。
低k介电层硬掩膜层半导体器件金属连接层介质层连接孔盖层层间介质层规整刻蚀层暴露侧墙衬底介电内壁掩膜半导体覆盖保证

[发明专利]高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法-CN201710010968.6有效
发明人：郑宪徽;伍得;颜铭佑 -专利权人：武汉市三选科技有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明为一种高介电聚合复合物膜组合物，其可作为高分子介电电容膜，用于封装电子组件。本发明之高介电聚合复合物膜组合物包含硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，其可提供形成之膜层具有高介电。本发明之高分子介电电容膜包含一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层，封装后可直接进行切割，无须额外黏附切割胶带，使封装制程更为简便及快速。
高介电聚合复合物组合电容及其制备方法封装

[发明专利]用于光学器件增强的润湿层-CN201980012469.8有效
发明人：卡尔·J·阿姆斯特朗;傅晋欣;威尔逊·班茨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：方法包括在基板上沉积介电膜，在介电膜上沉积润湿层，及在润湿层上沉积含金属膜。在另一实施方式中，提供一种光学器件。器件包括基板，沉积在基板上且接触基板的介电膜，沉积在介电膜上且接触介电膜的润湿层，和沉积在润湿层上且接触润湿层的含金属膜。
用于光学器件增强润湿

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201811102054.3有效
发明人：蔡万霖;许仲豪;张竞予;王仁宏;潘兴强;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：形成半导体装置的方法包括沉积介电层于基板上，进行第一图案化以形成开口于介电层中，并沉积氧化物膜于介电层上及介电层的开口中，且氧化物膜接触介电层。氧化物膜由多个前驱物形成，且前驱物不含氧气。沉积氧化物膜的步骤包括形成前驱物的第一前驱物的等离子体。
半导体装置形成方法

[发明专利]红外设备-CN201880089976.7在审
发明人： F·乌德雷亚;S·Z·艾利;R·H·霍普尔 -专利权人： AMS传感器英国有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01J3/10 文献下载
摘要：我们在此公开了一种红外(IR)设备，包括：基板，其包括蚀刻腔体部分和基板部分；介电层，其设置在基板上。介电层包括介电膜，介电膜与基板的蚀刻腔体部分相邻、或者在其正上方或者在其正下方。设备还包括在介电膜上或介电膜中、或者其上方或者下方的反射层，以增强一个或多个波长的红外光的发射或吸收。
红外设备

[发明专利]半导体装置结构-CN201810902651.8在审
发明人：邓伊筌;蔡俊胤;朱家骅;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：半导体装置结构包含第一介电层与第二介电层于半导体基板上。空腔穿过第一介电层与第二介电层。半导体装置结构亦包含第一可动膜于第一介电层与第二介电层之间。经由空腔部分地露出第一可动膜。第一可动膜包含沿着空腔的边缘排列的第一波纹部分。
介电层半导体装置结构可动空腔半导体基板边缘排列波纹穿过

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201310068026.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括在半导体衬底上依次形成低k介电层和第一低k介电硬掩膜层；在所述第一低k介电硬掩膜层上形成金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜层和所述第一低k介电硬掩膜层以形成开口；执行紫外光固化处理，以扩大所述第一低k介电硬掩膜层的开口尺寸；刻蚀处理所述低k介电层以形成沟槽结构；移除所述金属掩膜层；在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层。根据本发明的制造工艺可以有效避免在顶部沉积的铜晶种层影响采用电化学电镀方法对沟槽结构进行的铜填充。
一种半导体器件及其制作方法

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