专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]O连接-CN201520415034.7有效
  • 杨永盛 - 杨永盛
  • 2015-06-12 - 2015-12-16 - E04D1/28
  • O连接瓦,O连接瓦(1)它是由3个c型片状相连接和多个圆筒型O连接,其O底部与片状瓦的顶部相粘连的长块状瓦;这样设计不但隔音隔热、保温、省料,承重抗折性更好,适用于居住的建筑、工棚、仓库、蔬菜大棚
  • 连接
  • [实用新型]连接的中间连接-CN201720721695.1有效
  • 沈青松 - 万向钱潮传动轴有限公司;万向集团公司
  • 2017-06-21 - 2018-02-13 - F16D1/092
  • 本实用新型涉及一种锥连接的中间连接副,包括中间连接叉、中间花键轴,所述的中间连接叉在与中间花键轴的连接部位上开设有锥形,所述的中间花键轴的一端径向轴面为锥形面,该中间花键轴通过锥型面与中间连接叉的锥形呈锥连接,且在中间花键轴的一端通过锥锁紧螺母轴向固定;在所述的中间连接叉的底端面与支架间设有弹性垫片,该弹性垫片套于中间花键轴的轴体上;本实用新型的有益效果为锥连接取代了花键连接,降低成本;支架的刚性连接中加了弹性垫片,成了柔性连接,消除支架异响隐患。
  • 连接中间
  • [实用新型]母线连接内表面清-CN200620135624.5无效
  • 陈永福;童文君 - 青铜峡铝业集团有限公司
  • 2006-09-11 - 2007-10-10 - C25C3/16
  • 本实用新型涉及一种内加工工具,特别是电解铝行业中,清理各连接母线内表面由于打火产生的各种凸凹现象的表面的母线连接内表面清器。其特征在于清器是由圆型头部和与头部相连的柄部组成,圆型头部的端面有一凹坑,凹坑与头部的外表面形成切削刃。本实用新型的特点是:结构简单、使用方便。由于母线连接件均采用导电性能好的有色金属,如铜、铝等,其硬度和强度较小。当连接部分打火时,的内表面被破坏后,使用本装置可非常方便的将内表面清理干净,而基本不会改变的尺寸,这样就可保证连接面的面积不变。使用非常方便、清理效率高。
  • 母线连接表面清孔器
  • [发明专利]多角型连接结构-CN201310558892.2在审
  • 张造伦 - 张造伦
  • 2013-11-12 - 2015-05-20 - F16B9/02
  • 本发明提供一种多角型连接结构,设于一母端对象,使该母端对象得以连接另一公端对象,该连接具有复数个星角,各该星角彼此以一角度相互间隔,而该公端对象的连接端亦具有复数个星突,各该星突对应各该星角的使该公端对象得以穿过该连接而固定,其中该公端对象在穿过该连接后。可经由外部施加一旋转动作,使各该星角的内壁面与各该星突的外表面发生磨擦,进而产生一力量回馈,或是通过挤压各该星突,使其穿过各该星角后卡入各该星角的凹槽内再弹回定位或彼此交错扣住,直至抵住该连接背面以形成连接固定
  • 多角型连接结构
  • [发明专利]连接的制造方法-CN200810208047.1有效
  • 沈满华;王新鹏;孙武;尹晓明;赵林林 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2008-12-25 - 2010-06-30 - H01L21/768
  • 本发明提供连接的制造方法,包括:在半导体结构上依次具有刻蚀停止层和介质层;在介质层上形成光刻胶层,并图形化所述光刻胶层,形成连接图案;执行主刻蚀工艺,刻蚀连接图案底部部分厚度的介质层;执行第一步过刻蚀工艺,刻蚀连接图案底部剩余的介质层,在介质层中形成底部露出刻蚀停止层的开口;执行第二步过刻蚀工艺,刻蚀开口的底部,去除开口底部部分厚度的刻蚀停止层;其中,第一步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比小于等于
  • 连接制造方法
  • [发明专利]连接形成方法-CN201110332269.6有效
  • 张海洋;王新鹏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2011-10-27 - 2013-05-08 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种连接形成方法,将现有的圆形连接改为矩形连接,即使在定义连接位置的图案化光刻胶开口位置与沟槽位置未对准的情况下,也能得到完整的矩形连接形状且准确对准沟槽的位置;作为优选的技术手段,定义连接位置的图案化光刻胶矩形开口关键尺寸大于沟槽的关键尺寸,在进行连接刻蚀时,由于金属硬掩膜的阻挡,沟槽的关键尺寸是由图案化的金属硬掩膜开口宽度定义的,所以,连接关键尺寸可等于沟槽的关键尺寸,保证了连接的关键尺寸,稳定了集成电路的性能。
  • 连接形成方法
  • [发明专利]阀体连接加工机床-CN201110333186.9有效
  • 杨建龙;郏正秋 - 杨建龙;郏正秋
  • 2011-10-28 - 2012-02-22 - B23P23/02
  • 本发明提供了一种阀体连接加工机床,属于机械技术领域。它解决了现有阀体加工机床加工范围小和无法实现对阀体连接加工等问题。本阀体连接加工机床包括床身、送料料斗和固连在床身上的主轴箱,床身上设有横导轨,横导轨上设有用于加工连接的加工刀架,主轴箱的主轴端部固连有用于夹持阀体并使阀体端部朝向加工刀架的夹具,床身上设有将送料料斗中待加工的阀体定位输送至主轴的夹具中的输送机构本阀体连接加工机床具有操作方便、自动化程度高和产品一致性好等优点。
  • 阀体连接加工机床
  • [发明专利]连接至器件-CN201210587635.7有效
  • 陈明发;王宇洋;詹森博 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2012-12-28 - 2017-08-15 - H01L23/538
  • 连接至器件。本发明提供了用于连接和由应变硅材料形成的晶体管端子的方法和器件。端子可以是NMOS或PMOS晶体管的源极或漏极,其形成在衬底内。衬底上方的第一层间介电(ILD)层内的第一接触件形成在端子上方并且与端子连接。通延伸穿过第一ILD层至衬底中。第二接触件形成在位于第二ILD层和接触蚀刻终止层(CESL)内的第一接触件和通上方并且与第一接触件和通连接
  • 接通器件

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