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- [发明专利]半导体装置-CN201880069469.7有效
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村濑康裕;芦峰智行;中川博
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株式会社村田制作所
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2018-12-26
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2023-10-13
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H01L21/822
- 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)以及第二主面(110B)；第一电极(131)，设置在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第一电阻控制层((140)，设置在第一电极(131)之上；布线部(150)，设置在第一电阻控制层(140)之上；以及第二电极(132)，设置在半导体基板(110)的第二主面(110B)侧。第一电阻控制层(140)具备：将第一电极(131)与布线部(150)电连接的第一区域(141)；与第一区域(141)并排且电阻率比第一区域(141)高的第二区域(142)。
- 半导体装置
- [发明专利]电容器-CN201880047281.2有效
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竹内雅树;芦峰智行
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株式会社村田制作所
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2018-08-30
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2023-05-30
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H01L21/822
- 具备：基材(110)，其具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有多个沟道部(111)；介电膜(130)，其在基材(110)的第一主面(110A)侧设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，其设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域且设置在介电膜(130)之上；以及焊盘(161)，其与导电体膜(140)电连接，多个沟道部(111)在从基材(110)的第一主面(110A)的法线方向俯视时，避开焊盘(161)的周围的区域中沿与焊盘(161)电连接的焊线(162)延伸的第一方向X的第一区域(101)而设置在沿与第一方向X交叉的第二方向Y的第二区域(102)。
- 电容器
- [发明专利]半导体装置-CN202080051528.5在审
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山口阳平;芦峰智行;村濑康裕
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株式会社村田制作所
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2020-09-08
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2022-03-01
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H01L49/02
- 提供抑制介电膜的绝缘破坏强度的降低(介电膜的耐电压性的劣化)的半导体装置。半导体装置具备具有相互对置的第一主面以及第二主面的半导体基板、配置在第一主面的一部分上的介电膜、配置在介电膜的一部分上的第一电极层、以及从第一电极层的端部连续地覆盖到介电膜的第一外周端的保护层。介电膜具有配置有第一电极层的电极层配置部、和被保护层覆盖的保护层覆盖部。介电膜的保护层覆盖部的第一外周端的厚度比介电膜的电极层配置部的厚度小。保护层具有连续地覆盖第一电极层的第二外周端和保护层覆盖部的至少一部分的第一保护层、和配置在第一保护层上的第二保护层。第一保护层具有比第二保护层低的相对介电常数。第二保护层具有比第一保护层高的耐湿性。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202080045558.5在审
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山口阳平;芦峰智行
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株式会社村田制作所
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2020-08-17
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2022-02-01
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H01L23/31
- 本发明提供一种半导体装置，能够抑制在覆盖介电膜的端部周边的保护层产生裂缝，并抑制由产生裂缝引起的介电膜的绝缘破坏强度的降低。半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；介电膜，配置于第一主面的一部分；第一电极层，配置于介电膜的一部分；以及保护层，从第一电极层的端部遍及上述介电膜的外周端连续地覆盖。介电膜具有：电极层配置部，配置有第一电极层；以及保护层覆盖部，被保护层覆盖。介电膜的保护层覆盖部的外周端处的厚度小于介电膜的电极层配置部的厚度。
- 半导体装置
- [发明专利]电容器-CN201880013711.9有效
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村濑康裕;芦峰智行;中川博
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株式会社村田制作所
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2018-03-22
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2021-09-21
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H01G4/30
- 电容器(100)具备第一电容器层(101)以及第二电容器层(103)，该第一电容器层(101)具有：设置具有沟槽部的第一沟槽结构(125)的第一基板(110)、第一电极(115)、以及设置在包括第一沟槽结构(125)的沟槽部(126)的区域的第二电极(119)，该第二电容器层(103)具有：第二基板(130)、第三电极(139)、以及第四电极(135)，第一电容器层(101)与第二电容器层(103)被配置为第二电极(119)与第三电极(139)相互相对且电连接。
- 电容器
- [发明专利]半导体装置-CN201880069502.6在审
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芦峰智行;中川博;村濑康裕
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株式会社村田制作所
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2018-12-26
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2020-06-12
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H01L21/822
- 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
- 半导体装置
- [发明专利]电容器-CN201880053659.X在审
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芦峰智行;中川博;村濑康裕
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株式会社村田制作所
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2018-11-12
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2020-04-17
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H01G4/33
- 电容器(1)具有：基材(11)，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面(111)和第2主面(112)；有底的第1沟道部(14a)，其形成于基材(11)的第1主面(111)；第1导体部(14)，其形成于第1沟道部(14a)内；第1外部电极部(12)，其形成于基材(11)的第1主面(111)侧，并与第1导体部(14)连接；有底的第2沟道部(15a)，其形成于基材(11)的第2主面(112)；第2导体部(15)，其形成于第2沟道部(15a)内；以及第2外部电极部(13)，其形成于基材(11)的第2主面(112)侧，并与第2导体部(15)连接，第1沟道部(14a)与第2沟道部(15a)重叠。
- 电容器
- [发明专利]电容器-CN201880048977.7在审
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中川博;芦峰智行;村濑康裕
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株式会社村田制作所
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2018-07-11
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2020-03-31
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H01L21/822
- 电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。
- 电容器
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