“二硒化钯单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10715668个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种二维二硒化钯单晶及其制备方法与在表面拉曼增强检测中的应用-CN202111112846.0在审
发明人：张心阔;招瑜;雷泽宏;魏爱香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及表面拉曼增强检测技术领域，特别涉及一种二维二硒化钯单晶及其制备方法与在表面拉曼增强检测中的应用。本发明采用金辅助剥离制备二维二硒化钯单晶，操作方法简单、重复性极高。制备得到的二维二硒化钯单晶作为表面拉曼增强的基底，具有灵敏度高、空气稳定性良好等优点。
一种二维二硒化钯单晶及其制备方法表面增强检测中的应用

[发明专利]一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法-CN201810102885.4有效
发明人：李恩;王东飞;范朋;王业亮;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种二硒化钯二维晶态薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤100、准备以碳化硅为基体且在其表面制作有石墨烯层的基座；步骤200、将基座的温度保持在硒和钯的生长温度范围内；步骤300、将纯硒和纯钯按反应比例以蒸发的方式生成硒原子和钯原子后沉积至基座上，硒原子和钯原子在基座上发生反应，形成原子组成的二维有序晶态薄膜层，该薄膜层中，硒原子和钯原子以硒‑钯‑硒的叠加状态分布。本发明通过上述方法解决了现有技术中只能得到二硒化钯块状体的现状，可获取到原子级的二硒化钯薄膜层，为充分利用二硒化钯研究二硒化钯的物性及相关器件提供了便利。
硒化晶态薄膜硒原子钯原子二维制备物性叠加状态器件提供石墨烯层温度保持原子组成薄膜层块状体碳化硅原子级钯薄膜纯硒纯钯沉积蒸发生长便利制作研究

[发明专利]一种二硒化钯的制备方法-CN202210703529.4有效
发明人：逄金波;李玉芬;孙德辉;周伟家;刘宏 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钯的制备方法，包括以下步骤：(1)在基底表面进行钯金属镀膜，得到基底/钯薄膜；(2)在基底/钯薄膜的表面旋涂含硒分散液，干燥后在保护气氛中，利用等离子体辅助热退火制备得到二硒化钯薄膜所述制备方法还包括：将步骤(2)得到的二硒化钯薄膜转移至目标基底的步骤。本发明利用钯薄膜蒸镀‑硒分子涂覆‑加热反应制备二硒化钯薄膜的方法，不但钯金属膜与硒分子膜固相反应制备方法简单直接、生长速率快，而且利用了钯薄膜前驱体的完整涂覆特点，可以得到完整的二硒化钯薄膜，可获取晶圆级二硒化钯的规模化生产
一种二硒化钯制备方法

[发明专利]二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法-CN201811267225.8在审
发明人：谢超;王迪;马梦茹;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在其下表面设置n‑型硅基底电极，在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜，二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。
硒化光电探测器接触电极钯薄膜绝缘层硅异质结硅基制备电流开关比覆盖绝缘层硅基底表面欧姆接触区域覆盖底电极上表面下表面异质结基区铺设响应覆盖

[发明专利]一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器-CN202010164766.9有效
发明人：李永俊;何天应;兰长勇;李春 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，应用于光电探测技术领域，针对现有的光电探测器受限于石墨烯的弱吸光性能，响应度低的问题，本发明首先在n型二氧化硅/硅基底上干法刻蚀暴露出n型硅窗口；然后在硅窗口附近镀上金/铟电极，其次采用机械剥离制备二硒化钯微晶片，并利用定位干法转移二硒化钯于硅窗口；最后采用湿法转移的方式转移石墨烯，覆盖于二硒化钯与电极表面，其中二硒化钯作为石墨烯与硅之间的界面修饰层，单个硅窗口对应的石墨烯层、二硒化钯层、n型硅基底形成石墨烯/二硒化钯/硅异质结；本发明的器件制备工艺简单，且器件具有自驱动性，在可见‑近红外光波段具有较高的响应度等优良的性能。
一种石墨二硒化钯硅异质结驱动光电探测器

[发明专利]一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法-CN202211039782.0在审
发明人：李春;张锐;兰长勇;刘力文;林杰;杨卓俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法，所述面向人体健康监测的柔性应变传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯薄膜上镀金属电极，再使用聚合物膜封装。本发明的优点是二硒化钯材料低温合成兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏面向人体健康监测的柔性应变传感器。
一种面向人体健康监测柔性应变传感器及其制备方法

[发明专利]一种柔性热敏传感器及其制备方法-CN202210053553.8在审
发明人：李春;张锐;兰长勇;林杰;刘力文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性热敏传感器及其制备方法，所述柔性热敏传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)热敏薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长或者转移一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯上镀金属电极，使用聚合物膜封装。
一种柔性热敏传感器及其制备方法

[发明专利]一种柔性热敏传感器及其制备方法-CN202210165881.7在审
发明人：李春;张锐;兰长勇;林杰;刘力文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性热敏传感器及其制备方法，所述柔性热敏传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)热敏薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长或者转移一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯上镀金属电极，使用聚合物膜封装。
一种柔性热敏传感器及其制备方法

[发明专利]一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法-CN201710496489.X有效
发明人：葛万银;张荔;朱建锋;殷立雄 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法，以二氯化锡为锡源，硒粉为硒源，将二氯化锡和螯合剂溶解在水中，得到溶液A；将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中，获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应，即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法，通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段，完成硒化亚锡纳米晶的生长，最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶，反应温度为室温，操作简单，反应时间短，容易控制；本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶，具有较为尖锐的纳米尖端，获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。
一种室温水溶液生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法

[发明专利]一种基于SnSe/SnO2-CN202110258297.1在审
发明人：凌翠翠;冯冰心;侯志栋;曹敏;张拓 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种自驱动光电探测器，该自驱动光电探测器，由上至下依次包括导电银胶点电极、金属钯前电极、硒化锡纳米薄膜层、二氧化锡多层球壳结构薄膜层、硅单晶基底和金属铟背电极。二氧化锡多层球壳结构薄膜层通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等方法制备，硒化锡薄膜层由直流磁控溅射技术制备，器件表现出良好的自驱动光探测性能，稳定性好，从紫外到近红外区域都具有响应特性。
一种基于 snse sno base sub

[发明专利]泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法-CN201910007237.5在审
发明人：杜卫民;顾永攀;魏少红;张道军;曹智 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。以泡沫镍为镍源，硒粉为硒源，采用乙二胺溶剂热法制备泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列。本发明方法简单、成本低，能很好地控制晶体的生长，制备的二硒化三镍为一维的单晶线状结构，该纳米线的直径为30‑‑50纳米，长度可达4‑6微米。这种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列结构在锂离子电池、超级电容器、电解水制氢等电化学领域具有明显的应用优势。
泡沫镍单晶硒化镍纳米线阵列制备支撑纳米材料制备技术超级电容器电化学领域锂离子电池控制晶体线状结构应用优势电解水纳米线溶剂热乙二胺镍源硒粉硒源制氢生长

[发明专利]一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法-CN201610491437.9在审
发明人：邱俊 -专利权人：南京安京太赫光电技术有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法，通过以纯硒粉和纯镓粉为原材料，在高温下进行化学反应得到多晶硒化镓材料。将硒化镓多晶放入三温区炉中通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后，再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。
一种硒化镓二维材料单晶块材生长方法

[发明专利]基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法-CN201811336879.1有效
发明人：吴翟;王媛鸽;吴恩平;贾诚;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法，是在锗基底表面平铺有二维二硒化钯纳米薄膜，在二维二硒化钯纳米薄膜和锗基底上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，二硒化钯与锗形成异质结
基于二维二硒化钯纳米薄膜驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种二维二硒化钯纳米薄膜在宽波段偏振光信号检测中的应用-CN201910247192.9在审
发明人：吴翟;郭佳文;赵智慧;吴恩平;贾诚;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维二硒化钯纳米薄膜在宽波段偏振光信号检测中的应用，是以二维二硒化钯纳米薄膜作为光敏感层，制作偏振敏感的光电探测器，实现对宽波段偏振光信号的探测。本发明以二维二硒化钯纳米薄膜制作的偏振敏感的光电探测器，对偏振光信号具有显著的响应，可以在复杂的电磁环境下对波长覆盖紫外‑可见‑红外的偏振光信号进行精确、稳定的探测。
偏振光信号纳米薄膜二维硒化宽波段光电探测器偏振敏感探测电磁环境光敏感层波长检测制作应用响应覆盖

[发明专利]一种二维二硒化钯柔性自驱动宽光谱光电传感器及其制备方法-CN202110485167.1有效
发明人：杜君莉;夏大伟;史书怀;马云瑞;谢伟 -专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维二硒化钯柔性自驱动宽光谱光电传感器及其制备方法，该光电传感器包括以下部分：柔性栅介质层、源电极、二维二硒化钯、绝缘层、漏电极、聚甲基丙烯酸甲酯、柔性透明衬底。本发明是通过简单、快速的方法制备了所述的光电传感器，通过引入静电场对二硒化钯进行原位掺杂形成同质结，从而构筑了柔性光电传感器，由于二硒化钯对红外光和可见光的宽吸收范围和光电传感器结构的合理设计，该柔性光电传感器可实现自驱动宽光谱探测
一种二维二硒化钯柔性驱动光谱光电传感器及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条