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[发明专利]存储器阵列、存储器器件及其形成方法-CN202110303125.1在审
发明人：林孟汉;贾汉中;王圣祯;杨丰诚;林佑明;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：在实施例中，存储器阵列包括：从存储器阵列的第一边缘沿第一方向延伸的第一字线，第一字线的长度小于存储器阵列的第二边缘的长度，存储器阵列的第二边缘垂直于存储器阵列的第一边缘；从存储器阵列的第三边缘延伸的第二字线，存储器阵列的第三边缘与存储器阵列的第一边缘相对，第二字线沿第一方向延伸，第二字线的长度小于存储器阵列的第二边缘的长度；接触第一字线的存储器膜；以及接触第一源极线和第一位线的氧化物半导体(OS)层，存储器膜设置在OS层与第一字线之间。
存储器阵列器件及其形成方法

[实用新型]一种泡沫切割机用的激光对准装置-CN201921474935.8有效
发明人：黄学勇;王建兵 -专利权人：明珠家具股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B26F3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种泡沫切割机用的激光对准装置，包括加工台，加工台上设置有切割框，切割框上设置有用于切割泡沫的切割装置，所述切割装置包括电热切割丝，切割装置可在切割框上上下移动，切割框上设置有一字线激光器，一字线激光器投射出的激光与电热切割丝的切割路径相重合。通过设置一字线激光器，一字线激光器能射出一条直线的激光，照射在泡沫上，与电热切割丝的通过路径相同，保证其让切割精度。
一种泡沫切割机激光对准装置

[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法-CN201910047497.5在审
发明人：徐贤;高贵汉;金真怜;朴一汉;任琫淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括：由第一串选择线和第一字线限定的第一子块；由不同于第一串选择线的第二串选择线和不同于第一字线的第二字线限定的第二子块；由第一串选择线和第二字线限定的第一空块；由第二串选择线和第一字线限定的第二空块在第一子块中编程第一数据，在第二子块中编程第二数据，并且不在第一空块和第二空块中编程数据。
串选择线字线空块子块非易失性存储器件编程编程数据第一数据

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011009963.X在审
发明人：黄竞加;廖伟明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包含基板、第一字线结构、第二字线结构、第三字线结构、以及第四字线结构。基板具有被隔离结构围绕的主动区。第一字线结构及第二字线结构设置在主动区中并彼此分离。第三字线结构及第四字线结构设置在隔离结构中，其中第三字线结构及第四字线结构分别包含底部功函数层、位于底部功函数层上的中间功函数层、以及位于中间功函数层上的顶部功函数层。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于非易失性存储器的基于行的交替读写-CN200680049987.X有效
发明人：丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：以邻近于一组存储元件的选择栅极线的字线WLn开始编程所述组存储元件。在编程所述第一字线之后，跳过邻近于所述第一字线的下一字线WLn+1且编程邻近于WLn+1的下一字线WLn+2。接着编程WLn+1。编程根据序列{WLn+4、WLn+3、WLn+6、WLn+5，…}而继续，直到已编程所述组的除最后字线外的所有字线为止。接着编程所述最后字线。通过以此方式进行编程，所述组的所述字线中的一些字线(WLn+1、WLn+3等)不具有经随后编程的相邻字线。这些字线的存储器单元将不经历因经随后编程的相邻存储器单元所致的任何浮动栅极到浮动栅极耦合阈值电压移位影响。在不使用基于相邻存储器单元的偏移或补偿的情况下读取不具有经随后编程的相邻字线的字线。使用基于两个经随后编程的相邻字线内的数据状态的补偿读取其它字线。
用于非易失性存储器基于交替读写

[发明专利]存储器件及其操作方法-CN202010336703.7在审
发明人：李道田;金杜应;金真怜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种存储器件包括：板，包括多个字线、多个位线、以及与多个字线中的第一字线和多个位线中的第一位线连接的存储单元；行解码器，被配置为在与存储单元相关联的存取操作中，将字线中的与第一字线邻近的至少一个字线偏置，并且将多个字线中的与第一字线不邻近的其余非邻近字线浮置；以及列解码器，被配置为在存取操作中，将位线中的与第一位线邻近的至少一个位线偏置，并且将多个位线中的与第一位线不邻近的其余非邻近位线浮置。
存储器件及其操作方法

[发明专利]一种高尔夫球杆组立对位装置-CN201510302748.1在审
发明人：谭秋华 -专利权人：衡阳市嘉励运动器材有限公司
申请日： 2015-06-06 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： A63B53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高尔夫球杆组立对位装置，包括球杆固定架和一字线激光器，所述球杆固定架包括架体和至少两个呈直线排列的固定夹，所述一字线激光器安装在球杆固定架的上方。采用上述技术方案，可以将高尔夫球杆放置在固定架上，用固定夹进行固定，再开启一字线激光器并进行微调，使发射出来的一字线与高尔夫球杆的中心线完全重叠，这样就能实现精确、快速地对高尔夫球杆进行组立对位，确保球头和杆身上的标识都能位于同一直线上
一种高尔夫球杆对位装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201010251861.9无效
发明人：崔宰源 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种半导体存储装置包括：电压传送单元，被配置为在第一操作时间段将多个字线控制电压中的第一字线控制电压传送给指定字线，而在第二操作时间段将所述多个字线控制电压中的第二字线控制电压传送给所述指定字线；以及字线放电单元，被配置为在所述第一操作时间段与所述第二操作时间段之间的放电时间段使所述字线放电到比接地电压高且比所述第一字线控制电压和所述第二字线控制电压低的电压电平。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统-CN202111681442.3在审
发明人：黄莹;刘红涛;许锋;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统。该非易失性存储装置的编程操作方法包括：对与第一字线连接的、且已执行第一编程操作的多个存储单元中的第一存储单元执行第二编程操作；对与第一字线间隔至少一条第三字线的第二字线连接的第二存储单元执行第一编程操作，第一存储单元和第二存储单元位于第一存储串上；以及对位于除第一存储串以外的同一存储串上的存储单元执行第一子步骤，直至与第一字线连接的多个存储单元完成第二编程操作，与第二字线连接的多个存储单元完成第一编程操作，其中第一子步骤包括：依次对与第一字线连接的存储单元执行第二编程操作，与第二字线连接的存储单元执行第一编程操作。
非易失性存储装置及其编程操作方法存储系统

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110478030.3在审
发明人：杨柏峰;杨世海;贾汉中;王圣祯;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：存储器阵列，包括接触第一字线和第二字线的栅极介电层；以及氧化物半导体(OS)层，接触源极线和位线，栅极介电层设置在OS层和第一字线以及第二字线的每个之间；互连结构，位于存储器阵列上方，第二字线和互连结构之间的距离小于第一字线和互连结构之间的距离；以及集成电路管芯，接合至与存储器阵列相对的互连结构，集成电路管芯通过电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至互连结构。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种叉车安全指示装置-CN201520597655.1有效
发明人：张功明;林水良;陈少峰 -专利权人：林德（中国）叉车有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： B66F9/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叉车安全指示装置，包括一种叉车安全指示装置，其特征在于，包括：固定件、支撑件、旋转件及一字线激光灯；所述固定件安装在叉车的框架上侧；所述支撑件的一端与固定件相连。另一端连接旋转件；所述旋转件上接有一字线激光灯，所述一字线激光灯可通过旋转件进行投射角度调节；所述一字线激光灯在地上投影出安全指示线，用于限定两车间的安全距离。本实用新型的一种叉车安全指示装置比起使用指示警告牌来提醒叉车间的安全距离，通过一字线激光灯的投影来限定叉车间的安全距离，将安全距离可视化，更具有可靠性，提高了安全性。
一种叉车安全指示装置

[发明专利]钻机开孔定位用多功能激光量角器及钻孔方位角测量方法-CN202111589004.4在审
发明人：张礼;汪东;郭建行;王栓林;高敏;史兴旺;张志刚;孙小明;倪昊 -专利权人：煤炭科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： E21B47/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种钻机开孔定位用多功能激光量角器，包括：壳体，壳体呈半圆形；设置在壳体上的刻度盘；设置在壳体上的第一一字线激光灯，第一一字线激光灯发出的光线与刻度盘上0°刻度线的方向平行；指针，指针上固定设置第二一字线激光灯，第二一字线激光灯发出的光线与指针指示方向平行；设置在壳体上的脉冲式激光测距灯。
钻机定位多功能激光量角器钻孔方位角测量方法

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN201810200364.2在审
发明人：金昶泛;金成勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器装置，其包括：单元串，其从衬底的顶表面竖直地延伸，并且包括第一单元晶体管和第二单元晶体管；第一字线和第二字线，其分别连接至第一单元晶体管的栅电极和第二单元晶体管的栅电极；第一传输晶体管，其将第一字线连接至行解码器；以及第二传输晶体管，其将第二字线连接至行解码器。第一传输晶体管包括在第一字线与行解码器之间并联连接的多个第一子晶体管。
字线单元晶体管传输晶体管行解码器三维半导体存储器栅电极并联连接顶表面晶体管衬底竖直延伸

[发明专利]存储器器件-CN202010465073.3在审
发明人：赵珉熙;宋宇彬;朴玄睦;李相吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：公开了一种存储器器件，该存储器器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一字线和第一位线，第二区域具有第二字线和第二位线；第一存储单元阵列，包括第一区域中的第一存储单元，第一存储单元阵列具有易失性，并且每个第一存储单元包括具有与第一字线中的对应第一字线相邻的第一沟道区的单元开关以及连接到单元开关的电容器；以及第二存储单元阵列，包括第二区域中的第二存储单元，第二存储单元阵列具有非易失性，并且每个第二存储单元包括与第二字线中的对应第二字线相邻的第二沟道区、以及第二字线的对应第二字线与第二沟道区之间的铁电层。
存储器器件

[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法-CN200810092022.X有效
发明人：李丞哲;崔炳镕;李忠浩;李根浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括第一导电类型的半导体衬底、在半导体衬底上的多条字线，每一条字线包括第二导电类型的浮栅。地选择线和串选择线位于字线的各侧。第二导电类型的掺杂区位于与地选择线相邻的第一字线之下。该器件还可以进一步包括第二导电类型的第二掺杂区，其位于与串选择线相邻的第二字线之下。在其它实施方式中，该器件可以进一步包括第二导电类型的第三掺杂区，其位于第一字线和第二字线之间的各第三字线之下。
非易失性存储器及其形成方法

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