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[发明专利]具有单元群体分布辅助的读取容限的存储器-CN200780035306.9有效
发明人：卡洛斯·J·冈萨雷斯;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：本发明呈现一种存储器，其在所存储状态分布被降级时使用数种技术来提取其存储元件的数据内容。如果所述所存储状态分布已降级，则使用经修改的读取条件来执行对存储器单元的次级评估。基于这些补充评估的结果，存储器装置确定用以最佳地决定所存储数据的读取条件。
具有单元群体分布辅助读取容限存储器

[发明专利]用于非易失性存储器的基于行的交替读写-CN200680049987.X有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：以邻近于一组存储元件的选择栅极线的字线WLn开始编程所述组存储元件。在编程所述第一字线之后，跳过邻近于所述第一字线的下一字线WLn+1且编程邻近于WLn+1的下一字线WLn+2。接着编程WLn+1。编程根据序列{WLn+4、WLn+3、WLn+6、WLn+5，…}而继续，直到已编程所述组的除最后字线外的所有字线为止。接着编程所述最后字线。通过以此方式进行编程，所述组的所述字线中的一些字线(WLn+1、WLn+3等)不具有经随后编程的相邻字线。这些字线的存储器单元将不经历因经随后编程的相邻存储器单元所致的任何浮动栅极到浮动栅极耦合阈值电压移位影响。在不使用基于相邻存储器单元的偏移或补偿的情况下读取不具有经随后编程的相邻字线的字线。使用基于两个经随后编程的相邻字线内的数据状态的补偿读取其它字线。
用于非易失性存储器基于交替读写

[发明专利]用于传统主机的方法和存储器系统-CN200680043453.6有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼;约拉姆·锡达;查尔斯·施罗特;米尔顿·洛伦索·巴罗卡斯;卡洛斯·冈萨雷斯;凯文·M·康利 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置，其具备控制器且包括控制存储器操作并仿真传统存储器装置的存储器和通信特征的方法。以此方式，所述存储器装置与最初经设计以操作所述传统存储器装置的主机兼容。具体来说，所述控制器执行对所述主机的仿真，其考虑到例如多位存储器、错误校正需求、覆写的存储器支持和可擦除的区块大小等差异。
用于传统主机方法存储器系统

[发明专利]对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法-CN200680028436.5有效
发明人：尼玛·穆赫莱斯;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-07-19 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种用于快速且有效地对非易失性集成存储器装置中的难以编程的存储元件进行编程的系统和方法。在流经许多存储元件的电流被限于第一电平的情况下，所述许多存储元件同时经受编程过程。当这些存储元件的一部分达到指定状态时，将它们从正被编程的单元组移除，且升高继续被编程的元件上的电流限制。可将这些难以编程的单元中的电流电平升高到第二、较高的限制或未经调整。根据另一方面，在编程操作期间，允许用于单元的电流限制取决于所述单元将被编程到的目标状态。
非易失性集成存储器装置中的单元进行编程系统方法

[发明专利]采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统-CN200710135802.3有效
发明人：艾力亚胡·哈拉里;乔治·萨马奇萨;阮雄;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统，非易失性存储器单元在存储器单元的沟道区域上一电介质材料存储区域中存储相应于正在被存储在夹在一控制栅(109，110，111)和半导体衬底表面(101)之间的电介质材料存储区域的数据的电荷级别。用正在被存储在电介质材料的一公用区域的多于两个的电荷中的一个提供多于两个的存储状态。在每一单元中可包括多于一个此种公用区域的多个区域。在一形式中，在一单元中提供邻接源极与漏极扩散区域(103，104，105)的两个这样的区域，也包括位于两个区域之间的选择晶体管。在另一形式中，存储单元串的NAND阵列在一个夹在字线(110)与半导体衬底(100)之间的电介质层区域中存储电荷。
采用电介质存储元件多态非易失性集成电路存储系统

[发明专利]向便携式数据存储装置的用户传递消息作为其使用条件-CN200680005774.7有效
发明人：陈健;卡洛斯·J·冈萨雷斯;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G06F21/00 文献下载
摘要：本发明提供存储器卡、闪速存储器驱动器或其他可装卸可再编程非易失性存储器装置，其经配置以使存储器的至少一部分不能用于存储用户数据，直到由用户通过所述存储器装置所连接的主机装置至少读出存储在所述存储器中的消息的数据为止。所述消息可以是广告、关于使用所述存储器装置的说明、或诸如此类，作为使所述存储器卡的全部容量此后可供用户使用的条件，用户应至少接触到所述消息。
便携式数据存储装置用户传递消息作为使用条件

[发明专利]浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器-CN200580043718.8有效
发明人：方玉品;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：对于非易失性存储器系统来说，将擦除阈值电压分布压缩为最低阈值电压状态将减小有效数据阈值电压窗口。减小所述有效数据阈值电压窗口会减小浮动栅极之间的耦合效应。可将所述压缩执行为擦除过程的一部分或编程操作的一部分。
浮动栅极之间耦合效应减小 nand 擦除可编程只读存储器

[发明专利]对非易失性存储器的并行编程-CN200580025143.7有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明的一个实施例包括：对一位线施加一第一值(A或B，图12)，对与所述位线(图9上晶体管566的漏极)及一共用选择线(图9上晶体管500的源极)相关联的字线(图9上的WLO/WL31)进行升压以基于所述第一值形成一第一状态，及切断与所述共用选择线相关联的一边界非易失性存储元件(例如图9上的532)以为与所述位线及所述共用选择线相关联的一特定非易失性存储元件(例如图9上的518)保持所述第一状态。对所述位线施加一第二值，并对所述字线的至少一子集进行升压以为与所述位线及共用选择线相关联的一不同的非易失性存储元件(例如图9上的550)形成一第二状态。所述第二状态是基于所述第二值。所述第一状态与所述第二状态在时间上重叠。根据这两个非易失性存储元件的相关联的状态对这两个非易失性存储元件并行编程。
非易失性存储器并行编程

[发明专利]用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法-CN200580019389.3有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明揭示在一用于编程非易失性存储器的系统中用于以较高精确度和合理的编程时间进行编程的技术。在一个实施例中，将一第一电压施加到一第一非易失性存储元件的一位线以便抑制所述第一非易失性存储元件。将一第一编程电压施加到所述第一非易失性存储元件。举例来说，将一编程脉冲施加到所述第一非易失性存储元件的一控制栅极。在所述编程脉冲期间，所述位线从所述第一电压改变为一第二电压，其中所述第二电压允许编程所述第一非易失性存储元件。
用于非易失性存储器编程控制调谐管理方法

[发明专利]用于非易失性存储器的粗略/精细编程的有效验证-CN200580007370.7有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：通过首先实施一粗略编程过程且随后实施一精细编程过程来对一非易失性存储器装置进行编程。通过使用一有效验证方案增强所述粗略/精细编程方法，所述有效验证方案容许对某些非易失性存储单元实施粗略编程过程验证，而对其他非易失性存储单元实施精细编程过程验证。可使用电流吸收、电荷包计量或其它合适方法来完成精细编程过程。
用于非易失性存储器粗略精细编程有效验证

[发明专利]用于非易失性存储器的粗略/精细编程的可变电流吸收-CN200580007369.4有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：通过首先执行一粗略编程过程并随后执行一精细编程过程来编程一非易失性存储器装置。通过使用一有效的检验方案来增强所述粗略/精细编程方法，所述有效的检验方案允许为所述粗略编程过程检验一些非易失性存储器单元，而为所述精细编程过程检验其它非易失性存储器单元。可使用电流吸收、电荷包计量或其它适当方法来完成所述精细编程过程。
用于非易失性存储器粗略精细编程可变电流吸收

[发明专利]用于非易失性存储器的粗略/精细编程的电荷包计量-CN200580007372.6有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：通过首先执行一粗略编程过程并随后执行一精细编程过程来编程一非易失性存储器装置。通过使用一有效的检验方案来增强所述粗略/精细编程方法，所述有效的检验方案允许为所述粗略编程过程检验一些非易失性存储器单元，而为所述精细编程过程检验其它非易失性存储器单元。可使用电流吸收、电荷包计量或其它适当方法来完成所述精细编程过程。
用于非易失性存储器粗略精细编程荷包计量

[发明专利]基于非易失性存储器单元的行为的编程方法-CN200480030734.9有效
发明人：陈建;杰弗里·W·卢策;李彦;丹尼尔·C·古特曼;田中智晴 -专利权人：桑迪士克股份有限公司;株式会社东芝
申请日： 2004-10-12 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：该用于编程一组存储器单元的处理是修改基于该等存储器单元的行为编程处理得以改进。例如，施加一组编程脉冲到一组快闪存储器单元的字线。对哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程作出判定。可基于哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程的所述判定来调整位线电压(或其它参数)。接着将藉由所述调整的位线电压(或其它参数)继续所述编程处理。
基于非易失性存储器单元行为编程方法

[发明专利]用于存储器系统的跟踪单元-CN200480021210.3有效
发明人： 丹尼尔·C·古特曼;斯蒂芬·J·格罗斯;沙阿扎德·哈立德;杰弗里·S·冈威尔 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2004-06-07 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：将跟踪单元用于存储器系统中以改进读取过程。所述跟踪单元可提供数据质量的一个指示且若存在差错则可作为数据恢复操作的一部分使用。跟踪单元5提供一个构件以将读取参数调整到最佳水平以便反映存储器系统的目前状况。另外，使用多状态存储单元的一些存储器系统将应用循环数据方案以最小化磨损。可基于多个跟踪单元的状态将所述循环方案编码在所述跟踪单元中，其在读取时被解码。
用于存储器系统跟踪单元

[发明专利]多状态存储器的智能检验-CN200380105121.2有效
发明人：杰弗里·S·冈沃尔;丹尼尔·C·古特曼;尤平·卡温·方 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2003-12-01 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提出一种“智能检验”技术，由此通过使用对于基于依序状态检验实施的多状态检验范围的基于检验结果的动态调整来编程多状态存储器。此项技术可在维持依序检验的多状态存储器实施内的可靠操作的同时，提高多状态写入速度。其通过提供“智能”方法最小化写入序列的每个编程/检验/锁定步骤的依序检验操作的数量从而实现上述目的。在所选择存储元件的编程/检验循环序列期间多状态存储器的写入序列的示范性实施例中，在进程开始时，在检测阶段中，仅对于所选择存储元件正被编程到其中的多状态范围的最低状态进行检测。一旦一或多个所选择元件达到第一存储状态，则将多状态序列中的下一个状态加入到检验进程中。所述下一个状态可在序列中最快的元件达到其前一个状态时，立即加入，或者也可以在若干编程循环的延迟之后加入。将状态加入到检验阶段中正被检验集合中的加入过程继续依序进行经过多状态集合的剩余部分，直到最高状态已被加入。此外，当所有局限于这些水平的所选择存储元件都被成功地检验为符合那些目标值，且当其被锁定无法进一步被编程时，可将较低状态从所述检验集合中移除。
状态存储器智能检验

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